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先進工学部 物理工学科 鄭 雨萌助教が日本板硝子材料工学助成会において令和8年度研究助成金を獲得しました。

助成対象者

先進工学部　物理工学科　助教　鄭 雨萌

助成テーマ

界面欠陥工学に基づく酸化物抵抗変化メモリの記憶スケール設計

助成内容

本研究では、ReRAMの材料として界面型スイッチングを示すNbドープSrTiO3を対象に、欠陥の種類・密度・分布を精密に制御する「欠陥エンジニアリング」に基づき、記憶メカニズムを定量的に明らかにすることを目指している。さらに、短期から長期にわたる記憶スケールを制御し、最終的には物理リザバーシステムの構築と検証を計画するものである。欠陥の様子と電気的特性の関係をしらべる基礎研究から始まり、欠陥の意図的な制御から最終的には応用までを念頭にいれた独自性の高い意欲的な研究であり、この分野に貢献をもたらすことが大いに期待される。4D TEMという特徴ある技術を取り入れることで、どのような成果がもたらされるかが楽しみである。次世代の情報処理技術にたいして重要で価値の高い研究であるので、博士学位取得後まであまり時が過ぎていない若手研究者ならではの意欲をもって、本課題に取り込んで下さることを期待して応援したい。

採択日

2026年4月20日

関連リンク
助成研究の紹介
公益財団法人 日本板硝子材料工学助成会

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