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Ga/Si(111)表面上に局所成長したGaSb 2次元島のSTM観察

[ 共同発表者名 ] 町田龍人，八木下一輝，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会

[ 発表日付 ] 2012年3月15日～ 3月18日

InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響

[ 共同発表者名 ] 佐藤純，荒井敦志，町田史晴，原紳介，藤代博記，遠藤聡，渡邊一世

[ 学会・会議名 ] 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会

[ 発表日付 ] 2012年3月15日～ 3月18日

MBE法によるSiパターン基板上InSb選択成長の研究

[ 共同発表者名 ] 原紳介、西野祐一、小畑卓也、藤代博記

[ 学会・会議名 ] イノベーションつくば2012WS

[ 発表日付 ] 2012年2月23日～ 2月23日

Study of GaSb Strained Layer Locally Grown on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy

[ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Yagishita, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H.I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM19)

[ 発表日付 ] 2011年12月19日～ 12月21日

Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs

[ 共同発表者名 ] Hiroki Fujishiro

[ 学会・会議名 ] BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T

[ 発表日付 ] 2011年10月23日～ 10月27日

Study of Initial Growth Layer of GaSb on Ga- and Sb-induced Si(111) Reconstructed Surface by Scanning Tunneling Microscopy

[ 共同発表者名 ] S. Hara, R. Machida, K. Fuse, K. Yagishita, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2011)

[ 発表日付 ] 2011年10月3日～ 10月7日

各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較

[ 共同発表者名 ] 長谷川慶，本間嵩広，原紳介，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会

[ 発表日付 ] 2011年8月29日～ 9月2日

歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析

[ 共同発表者名 ] 町田史晴，佐藤純，原紳介，藤代博記，遠藤聡，渡邊一世

[ 学会・会議名 ] 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会

[ 発表日付 ] 2011年8月29日～ 9月2日

Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects

[ 共同発表者名 ] S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I. Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe

[ 学会・会議名 ] 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)

[ 発表日付 ] 2011年8月28日～ 8月31日

量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析

[ 共同発表者名 ] 佐藤純町田史晴原紳介藤代博記

[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ＥＤ研究会

[ 発表日付 ] 2011年7月29日～ 7月30日

Strain Effects on Performances in InAs HEMTs

[ 共同発表者名 ] F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)

[ 発表日付 ] 2011年5月22日～ 5月26日

Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation

[ 共同発表者名 ] T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)

[ 発表日付 ] 2011年5月22日～ 5月26日

InAs HEMTの歪み効果に関するモンテカルロ解析

[ 共同発表者名 ] 町田史晴，佐藤純，西野啓之，原紳介，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会

[ 発表日付 ] 2011年3月24日～ 3月27日

Si(111)表面上GaSb初期成長層のSTM観察

[ 共同発表者名 ] 町田龍人, 布施和敬, 八木下一輝, 原紳介, 色川勝己, 三木裕文, 河津璋, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会

[ 発表日付 ] 2011年3月24日～ 3月27日

InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究

[ 共同発表者名 ] 佐藤純，町田史晴，西野啓之，原紳介，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 2011年電子情報通信学会総合大会

[ 発表日付 ] 2011年3月14日～ 3月17日

Study of GaSb quantum dot on Si(111) surface by scanning tunneling microscopy

[ 共同発表者名 ] K. Fuse, K. Yagishita, R. Machida, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki and H.I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)

[ 発表日付 ] 2010年12月9日～ 12月11日

量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析

[ 共同発表者名 ] 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会

[ 発表日付 ] 2010年11月22日～ 11月22日

Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs

[ 共同発表者名 ] Hiroki Fujishiro, Hisanao Watanabe, Takahiro Homma and Shinsuke Hara

[ 学会・会議名 ] International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)

[ 発表日付 ] 2010年11月1日～ 11月4日

InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析

[ 共同発表者名 ] 渡邉久巨，本間嵩広，原紳介，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会

[ 発表日付 ] 2010年9月14日～ 9月17日

MBE法によるSiO2/Siパターン基板上InSbの結晶性評価Ⅰ

[ 共同発表者名 ] 西野祐一，飯田智顕，原紳介，藤代博記