Top > Back > 学会発表 の検索結果 333 件中 91‐120 件目
| Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs |
| [ 共同発表者名 ] Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016 |
| [ 発表日付 ] 2016年6月27日 |
| 蒸着SiOx膜を用いたfT=300GHz超InSb-HEMTの作製 |
| [ 共同発表者名 ] 辻 大介，磯野恭佑，竹鶴達哉，藤川紗千恵，渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，笠松章史 |
| [ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2016年3月22日 |
| SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上 |
| [ 共同発表者名 ] 加藤三四郎，宮下愛理，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2016年3月20日 |
| In1-xGaxSb量子井戸構造の電気的特性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 原田義彬,岡直希,藤川紗千恵,藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2016年3月20日 |
| 3次元ICに向けた多結晶に向けた多結晶InSbInSb MOSMOS FETFETの電気特性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 高橋正紘,藤川紗千恵,藤代博記,入沢寿史,富永淳二,前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2016年3月20日 |
| 高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長 |
| [ 共同発表者名 ] 町田 龍人，戸田 隆介，藤川 紗千恵，原 紳介，渡邊 一世， 赤羽 浩一，笠松 章史，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2016年3月20日 |
| DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, H. Suzuki, H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 31st NORTH AMERICAN MOLECULAR BEAM EPITAXY CONFRENCE |
| [ 発表日付 ] 2015年10月4日 ～ 10月7日 |
| ナノスケールIII‐V HEMTの雑音解析 |
| [ 共同発表者名 ] 高橋 択斗、初芝 正太、藤川 紗千恵、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年9月16日 |
| 3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 高橋 正紘、藤川 紗千恵、藤代 博記、入沢 寿史、富永 淳二、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年9月15日 |
| Al/Si(111)-\sqrt{3}×\sqrt{3}表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 緒方 悟公、町田 龍人、石井 達也、藤川 紗千恵、原 紳介、色川 勝己、三木 裕文、河津 璋、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年9月14日 |
| GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 鈴木 浩基、藤川 紗千恵、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年9月13日 |
| InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価 |
| [ 共同発表者名 ] 原 紳介、渡邊 一世、竹鶴 達哉、辻 大介、藤川 紗千恵、藤代 博記、赤羽 浩一、笠松 章史 |
| [ 学会・会議名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年9月13日 |
| AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 |
| [ 共同発表者名 ] 竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電子デバイス研究会（ED） |
| [ 発表日付 ] 2015年7月25日 |
| Electron transport properties of InGaSb quantum well structure |
| [ 共同発表者名 ] Y. Harada, K. Isono, T. Taketsuru, H. Suzuki, S. Katou, D. Tsuji, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 34rd Electronic Materials Symposium (EMS34) |
| [ 発表日付 ] 2015年7月17日 |
| Formation of GaSb islands on Si(100) with low-temperature grown GaSb layer |
| [ 共同発表者名 ] R. Machida, R. Toda, S. Fujikawa, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 34rd Electronic Materials Symposium (EMS34) |
| [ 発表日付 ] 2015年7月16日 |
| Growth of GaSb Islands on Si(100) with Low-temperature Grown GaSb Layer |
| [ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Hiroki Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2015 |
| [ 発表日付 ] 2015年7月2日 |
| Study on Impacts of Dislocation and Roughness Scatterings on Electron Transport in InSb QW Comparing Monte Carlo Simulation and Measurements |
| [ 共同発表者名 ] Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa and Hiroki Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2015 (CSW2015) |
| [ 発表日付 ] 2015年7月2日 |
| GaSb表面の純窒化プロセスの検討 |
| [ 共同発表者名 ] 後藤 高寛、藤川 紗千恵、藤代 博記、小倉 睦郎、安田 哲二、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年3月14日 |
| InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討 |
| [ 共同発表者名 ] 前田 章臣、辻 大介、竹鶴 達哉、藤川 紗千恵、藤代 博記、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史 |
| [ 学会・会議名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2015年3月11日 |
| Ga/Si(100)表面再構成構造上 GaSb 3 次元島の成長形態解析 |
| [ 共同発表者名 ] 戸田隆介, 町田龍人, 緒方悟公, 藤川紗千恵, 原紳介, 藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2014年9月19日 |
| 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2014年9月19日 |
| グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価 |
| [ 共同発表者名 ] 竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2014年9月18日 |
| 貫通転位がInSb HEMTの特性に与える影響の解析 |
| [ 共同発表者名 ] 初芝正太,長井彰平,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世,笠松章史,藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2014年9月17日 |
| Improved Electron Transport Properties of InSb-QW Structure Using Stepped Buffer Layer for Strain Reduction |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, D. Tsuji, T. Taketsuru, T. Maeda and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014) |
| [ 発表日付 ] 2014年9月7日 ～ 9月12日 |
| 貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析 |
| [ 共同発表者名 ] 初芝正太，長井彰平，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 電子デバイス研究会 |
| [ 発表日付 ] 2014年8月14日 ～ 8月14日 |
| III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 |
| [ 共同発表者名 ] 矢島悠貴，大濱諒子，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 電子デバイス研究会 |
| [ 発表日付 ] 2014年8月14日 ～ 8月14日 |
| Improved electron transport characteristic of InSb-QW structure with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 共同発表者名 ] T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS) |
| [ 発表日付 ] 2014年7月9日 ～ 7月11日 |
| Comparison of delay times in III-V MOSFETs with various channel materials |
| [ 共同発表者名 ] Y. Yajima, R. Ohama, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS) |
| [ 発表日付 ] 2014年7月9日 ～ 7月11日 |
| Characterization of InSb-QW structures with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb buffer layer for strain reduction |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, Y. Takagi, T. Maeda, T. Taketsuru, D. Tsuji and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (38th WOCSDICE) |
| [ 発表日付 ] 2014年6月15日 ～ 6月18日 |
| Analysis of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials |
| [ 共同発表者名 ] R. Ohama, Y. Yajima, A. Nishida, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014) |
| [ 発表日付 ] 2014年5月11日 ～ 5月15日 |
