Top > Back > 学会発表 の検索結果 333 件中 121‐150 件目
ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析 |
[ 共同発表者名 ] 初芝正太,長井彰平,永井佑太郎,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世1,笠松章史,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2014年3月20日 |
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析 |
[ 共同発表者名 ] 矢島悠貴,大濱諒子,西田明央,藤川紗千恵,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2014年3月20日 |
Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討 |
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,藤川紗千恵,藤代博記,小倉睦郎,安田哲二,前田辰郎 |
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2014年3月18日 |
歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価 |
[ 共同発表者名 ] 藤川紗千恵,高木裕介,前田章臣,古仲佑太朗,原紳介,渡邉一世,遠藤聡,山下良美,笠松章史,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2014年3月18日 |
ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価 |
[ 共同発表者名 ] 藤川紗千恵,高木裕介,前田章臣,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2014年3月18日 |
Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates |
[ 共同発表者名 ] G.Gotoh,S.Fujikawa,H.I.Fujishiro,M.Ogura,T.Yasuda,T.Maeda |
[ 学会・会議名 ] 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2013) |
[ 発表日付 ] 2013年12月6日 |
Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface |
[ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Keisuke Yoshiki, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Akira Kawazu, Hiroki I. Fujishiro |
[ 学会・会議名 ] 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2013) |
[ 発表日付 ] 2013年11月4日 ~ 11月8日 |
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析 |
[ 共同発表者名 ] 大濱諒子,西田明央,藤川紗千恵,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2013年9月19日 |
各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界 |
[ 共同発表者名 ] 長井彰平,永井佑太郎,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世,笠松章史,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2013年9月19日 |
GaSb ショットキー接合型メタルS/D pMOSFETs の動作実証 |
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,藤川紗千恵,藤代博記,小倉睦郎,安田哲二,前田辰郎 |
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2013年9月17日 ~ 9月 |
Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials |
[ 共同発表者名 ] Shohei Nagai, Yutaro Nagai, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Shinsuke Hara, Akira Endoh, Issei Watanabe, and Akifumi Kasamatsu |
[ 学会・会議名 ] 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013) |
[ 発表日付 ] 2013年9月2日 ~ 9月5日 |
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 |
[ 共同発表者名 ] 町田龍人,戸田隆介,吉木圭祐,藤川紗千恵,原紳介,色川勝己,三木裕文,河津璋,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会 |
[ 発表日付 ] 2013年8月8日 ~ 8月13日 |
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 |
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,原紳介,藤代博記,小倉睦郞,安田哲二,前田辰郎 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会 |
[ 発表日付 ] 2013年8月8日 ~ 8月13日 |
Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials |
[ 共同発表者名 ] Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu |
[ 学会・会議名 ] 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013) |
[ 発表日付 ] 2013年5月19日 ~ 5月23日 |
Comparative Study on III-V DG MOSFETs with Various Channel Materials |
[ 共同発表者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro |
[ 学会・会議名 ] 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013) |
[ 発表日付 ] 2013年5月19日 ~ 5月23日 |
InSb/Al0.25In0.75Sb HEMTの作製及び特性評価 |
[ 共同発表者名 ] 高橋 維,小畑卓也,古仲佑太朗,高木裕介,原 紳介,藤代博記,渡邊一世,山下良美,遠藤 聡,笠松章史 |
[ 学会・会議名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2013年3月29日 |
GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製 |
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,原 紳介,藤代博記,小倉睦郎,安田哲二,前田辰郎 |
[ 学会・会議名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2013年3月28日 |
Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island |
[ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Yoshiki, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro |
[ 学会・会議名 ] 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20) |
[ 発表日付 ] 2012年12月17日 ~ 12月19日 |
Ga 誘起 Si(111)再構成表面上 GaSb ナノ構造の成長形態の温度依存性 |
[ 共同発表者名 ] 町田龍人、吉木圭祐、原紳介、色川勝己、三木裕文、河津璋、藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 第32回表面科学学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2012年11月20日 ~ 11月22日 |
Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Nano-Scale III-V MOSFETs |
[ 共同発表者名 ] Hiroki Fujishiro |
[ 学会・会議名 ] BIT's 2st Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology (Nano-S&T 2012) |
[ 発表日付 ] 2012年10月26日 ~ 10月28日 |
Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs Using Monte Carlo Technique |
[ 共同発表者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro |
[ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) |
[ 発表日付 ] 2012年10月15日 ~ 10月19日 |
Temperature-Dependent Growth Morphology of GaSb Islands on Ga/Si(111) |
[ 共同発表者名 ] S. Hara, R. Machida, Ke. Yoshiki, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. Fujishiro |
[ 学会・会議名 ] The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS10) |
[ 発表日付 ] 2012年9月26日 |
傾斜 Field-Plate 構造 AlGaN/GaN HEMT の 遅延時間の発生メカニズムに関する理論的検討 |
[ 共同発表者名 ] 戸島拓也,原和也,原紳介,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2012年9月12日 |
III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響 に関する理論的解析 |
[ 共同発表者名 ] 長谷川慶,西田明央,原紳介,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会 |
[ 発表日付 ] 2012年9月11日 |
InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析 |
[ 共同発表者名 ] 西田明央,長谷川慶,原紳介,藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会 |
[ 発表日付 ] 2012年9月11日 ~ 9月11日 |
Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111) |
[ 共同発表者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu, |
[ 学会・会議名 ] 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2012) |
[ 発表日付 ] 2012年8月27日 ~ 8月30日 |
Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation |
[ 共同発表者名 ] J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe |
[ 学会・会議名 ] 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012) |
[ 発表日付 ] 2012年8月27日 ~ 8月30日 |
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 |
[ 共同発表者名 ] 永井佑太郎,佐藤純,原紳介,藤代博記,遠藤 聡,渡邊一世 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会 |
[ 発表日付 ] 2012年7月27日 |
GaAs基板上InSb/AlInSbヘテロ構造の断面TEM観察 |
[ 共同発表者名 ] 原紳介、内田明憲、 堀井宏之、藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 中部地区ナノテク総合支援:ナノ材料創製加工と先端機器分析 平成23年度成果報告会 |
[ 発表日付 ] 2012年3月31日 ~ 3月31日 |
モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析 |
[ 共同発表者名 ] 平澤勇樹、原和也、原紳介、藤代博記 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 2012年総合大会 |
[ 発表日付 ] 2012年3月20日 ~ 3月23日 |