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Improved Transcondctance of AlGaAs/GaAs Heterostructuer FET with Si-Doped Channel
[ 全著者名 ] S.Nishi, S.Takahashi and K.Kaminishi
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys
[ 掲載年月 ] 1986年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Improved Transconductance of AlGaAs/GaAs Heterostructure FET with Si-Doped Channel"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys.
[ 掲載年月 ] 1986年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"GaAs Power FETs Fabricated on a GaAs/Si Substrate"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Proc. 12th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds
[ 掲載年月 ] 1986年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Submicrometer Insulated-Gate inverted-Structure HEMT for High-Speed Large-Logic-Swing DCEL Gate
[ 全著者名 ] H.Kinoshita, T.Ishida, M.Akiyama and K.Kaminishi
[ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Electron Devices
[ 掲載年月 ] 1986年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Improved Transconductance of AlGaAs/GaAs Heterostructure FET with Si-Doped Channel"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys.
[ 掲載年月 ] 1986年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
GaAs on 2-inch Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy
[ 全著者名 ] S.Nishi, M.Akiyama and K,Kaminishi
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys
[ 掲載年月 ] 1985年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Growth of Single Domain GaAs on 2-inch Si(100)Substrate by Molecular Beam Epitaxy"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys.
[ 掲載年月 ] 1985年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Growth of Single Domain GaAs on 2-inch Si(100)Substrate by Molecular Beam Epitaxy"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys.
[ 掲載年月 ] 1985年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Chemisorption of NO on Polycrystalline Tungsten Surface
[ 全著者名 ] H. Miki, H. Inomata(Fujishiro) K. Kato, T. Kioka, K. Kawasaki
[ 掲載誌名 ] SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 1984年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Chemisorption of NO on Polycrystalline Tungsten Surface"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Surface Sci.
[ 掲載年月 ] 1984年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
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