Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 160 件中 121‐150 件目
| "A 0.5μm-Gate GaAs/AlGaAs Inverted HEMT IC-Multiplier and D/A Converter"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Electron Devices |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Modulation of Drain Current by Holes Generated by Impact Ionization in GaAs MESFET"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys. |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "0.25μm Gate Inverted HEMTs for an Ultra-High Speed DCFL Dynamic Frequency Divider"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig. |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "0.25μm Gate Inverted HEMTs for an Ultra-High Speed DCFL Dynamic Frequency Divider"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig. |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| 0.25μm Gate inverted HEMTs for an Ultra-High Speed DCFL Dynamic Frequency Divider |
| [ 全著者名 ] T.Saito, T.Ichioka, S.Nishi and Y.Sano |
| [ 掲載誌名 ] IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig. San Diego |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| A 0.5μm-Gate GaAs/AlGaAs Inverted HEMT IC-Multiplier and D/A Converter |
| [ 全著者名 ] S.Nishi , S.Seki, T,Saito and Y,Sano |
| [ 掲載誌名 ] IEEE Trans, Electron Devices ED-36 |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Modulation of Drain Current by Holes Generated by Impact Ionization in GaAs MESFET"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys. |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "A 0.5μm-Gate GaAs/AlGaAs Inverted HEMT IC-Multiplier and D/A Converter"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Electron Devices |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Sidegating Effects in Inverted AlGaAs/GaAs HEMT"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys. |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "An 8bit 1GHz Digital to Analog Converter Using 0.5μm Gate Inverted HEMTs"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig. |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "An 8bit 1GHz Digital to Analog Converter Using 0.5μm Gate Inverted HEMTs"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig. |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Sidegating Effects in Inverted AlGaAs/GaAs HEMT"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys. |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Quarter-micron Gate Inverted HEMT for High Speed ICs"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 14th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Quarter-micron Gate Inverted HEMT for High Speed ICs"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 14th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Sidegating Effects in Inverted AlGaAs/GaAs HEMT |
| [ 全著者名 ] T.Saito, S.Nishi and Y.Sano |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| An 8bit 1 GHz Digital to Analog Converter Using 0.5μmGate Inverted HEMTs |
| [ 全著者名 ] S.Seki, T.Saito, S, Nishi and Y.Sano |
| [ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig. San Francisco |
| [ 掲載年月 ] 1988年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "逆構造HEMTのLSI化への検討"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会論文誌C |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（日本語） |
| Qurater-micron Gate Inverted HEMT for High Speed Ics |
| [ 全著者名 ] T.Saito, S.Nishi, S.Seki, Y.Sano and K.Kaminishi |
| [ 掲載誌名 ] Proc,14 Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds, Crete |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High Speed Inverted-HEMT Logic with a Sub-Half-Micron Gate |
| [ 全著者名 ] T.Saito, S.Nishi, Y.Sano and K.Kiminishi |
| [ 掲載誌名 ] Extended Abstracts 19th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| 逆構造HEMTのLSI化への検討 |
| [ 全著者名 ] 西・関・斎藤・佐野・上西 |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会論文誌C |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（日本語） |
| "High Speed Inverted-HEMT Logic with a Sub-Half-Micron Gate"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Extended Abstracts 19th Conf. Solid State Devices & Materials |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| GaAs Power FETs Fabricated on a GaAs/Si Substrate |
| [ 全著者名 ] S.Nishi, M.Akiyama, M.Itoh, S.Takahashi, K.Kaminishi |
| [ 掲載誌名 ] Proc.12th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds, Karuizawa |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "High Performance Inverted HEMT and Its Application to LSI"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 13th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "High Performance Inverted HEMT and Its Application to LSI"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 13th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "High Speed Inverted-HEMT Logic with a Sub-Half-Micron Gate"(共著) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Extended Abstracts 19th Conf. Solid State Devices & Materials |
| [ 掲載年月 ] 1987年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Submicrometer Insulated-Gate inverted-Structure HEMT for High-Speed Large-Logic-Swing DCEL Gate |
| [ 全著者名 ] H.Kinoshita, T.Ishida, M.Akiyama and K.Kaminishi |
| [ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Electron Devices |
| [ 掲載年月 ] 1986年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Improved Transconductance of AlGaAs/GaAs Heterostructure FET with Si-Doped Channel"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys. |
| [ 掲載年月 ] 1986年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High porformance Inverted HEMT and Its Appkication to LSI |
| [ 全著者名 ] N.Nishi, S.Seki, Y.Sano, T.Ito, M.Akiyama and K.Kaiminishi |
| [ 掲載誌名 ] Proc,13th Int. Symp. Gllium Arsenide and Related Compounds |
| [ 掲載年月 ] 1986年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| "Submicrometer Insulated-Gate Inverted-Structure HEMT for High-Speed Large-Logic-Swing DCFL Gate"(jointly worked) |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Electron Devices |
| [ 掲載年月 ] 1986年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Growth of Single Domain GaAs on 2-inch Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] S.Nishi, M.Akiyama, K.Kaminishi |
| [ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys |
| [ 掲載年月 ] 1986年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
