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"Pseudomorphic Inverted HEMT Suitable to Low Supplied Voltage Application"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Characterization of Ultrahigh-Speed Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs Inverted High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] H.Thuji and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys, 31
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Pseudomorphic Inverted HEMT Suitable to Low Supplied Voltage Application"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Pseudomorphic Inverted HMET Suitable to Low Supplied Voltage Application
[ 全著者名 ] M.Katashima, Y.Arai, H.Nakamura and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig,, Washington, DC
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Ultrahigh-Speed Pseudomorphic Inverted HEMT for Digital Circuits"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Int. Sym. on Intelligent Design and Synthesis of Electronic Material Systems
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Characterization of Anomalous Frequency Dispersion in GaAs BP-MESFETs by Direct Large-Signal I-V Measurement"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Proc. 18th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Enhancement-Mode Pseudomorphic Inverted HEMT for Low Noise Amplifier"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"0.2μm Gate Pseudomoprhic Inverted HEMT for High Speed Digital ICs"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Characterization of Anomalous Frequency Diperson in GaAs BP-MESFETs by Direct Large-Signal I-V Measurement
[ 全著者名 ] Y.Arai, M.Jasashima, H.Nakamura and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] Proc,18th Int. Symp. Gallium Aesenide and Related Compounds
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
0.2μm Gate Pseudomorphic Inverted HEMT for High Speed Digital Ics
[ 全著者名 ] H.Tsuji, M.Shikata, K.Tanaka and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Enhancement-Mode Pseudomorphic Inverted HEMT for Low Noise Amplifier"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Enhancement-Mode Pseudomorphic Inverted HEMT for Low Noise Amplifier"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"0.2μm Gate Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs Inverted HEMTs"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Proc. 17th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"0.2μm Gate Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs Inverted HEMTs"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Proc. 17th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"Enhancement-Mode Pseudomorphic Inverted HEMT for Low Noise Amplifier"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"20Gb/s DCFL D-Flip Flop and 2 : 1 Selector IC using Pseudomorphic Inverted HEMTs"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"0.2μm Gate Pseudomoprhic Inverted HEMT for High Speed Digital ICs"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"20Gb/s DCFL D-Flip Flop and 2 : 1 Selector IC using Pseudomorphic Inverted HEMTs"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
20Gb/s DCFL D-Flip Flop and 2:1 Selector IC using Pseudomorphic Inverted HEMTs
[ 全著者名 ] M.Shikata, K.Tanaka, H.Tsuji and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig,.
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
0.2μm Gate Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs Inverted HEMTs
[ 全著者名 ] H.Tsuji and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] Proc.17th Int, Symp. Galluim Aesenide and Related Compounds, Jersey
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A Sub-10ps/gate Direct-Coupled FET Logic Circuit with 0.2μm-Gate GaAs MESFET"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys.
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A 36GHz 1/8 Frequency Divider with GaAs BP-MESFET's"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A Sub-10ps/gate Direct-Coupled FET Logic Circuit with 0.2μm-Gate GaAs MESFET"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Jpn. J. Appl. Phys.
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
A 36GHz 1/8 Frequency Divider with GaAs BP-MESFETs
[ 全著者名 ] S.Nishi, H.Tsuji, M.Shikata,K. tanaka
[ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig. San Francisco
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
A Sub-10ps/gate Direct-coupled FET Logic Circuit with 0.2um-gate MESFET
[ 全著者名 ] H.Tsuji, H,Nakamura and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] Jpn J.Appl. Phys.29
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A Sub-10ps/Gate DCFL Circuit with 0.2μm-Gate GaAs MESFET"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Extended Abstracts of the 22nd Conference on Solid State Devices and Materials
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A 36GHz 1/8 Frequency Divider with GaAs BP-MESFET's"(jointly worked)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEDM Tech. Dig.
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A Sub-10ps/Gate DCFL Circuit with 0.2μm-Gate GaAs MESFET"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Extended Abstracts of the 22nd Conference on Solid State Dvices and Materials
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
A Sub-10ps/Gate DCFL Circuit with 0.2μm-Gate GaAs MESFT
[ 全著者名 ] H.Tsuji, H.Nakamura and S.Nishi
[ 掲載誌名 ] Extended Abstracts of the 22nd Conference on Solid State Decives and Materials, Tokyo
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
"A 0.5μm-Gate GaAs/AlGaAs Inverted HEMT IC-Multiplier and D/A Converter"(共著)
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] IEEE Trans. Electron Devices
[ 掲載年月 ] 1989年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
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