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2025.07.09
高品質単結晶によりIGZOの本質的な電子状態を解明 ~次世代ディスプレイの性能向上に新たな指針を提供~
東京理科大学高輝度光科学研究センター 研究の要旨とポイント 光フローティングゾーン法により作製された高品質なInGaZnO4(IGZO)単結晶に対して、硬X線光電子分光(HAXPES)実験を行い、バルク固有の電子状態を明らかにしました。 こ…
先進工学部 物理工学科
理学部第一部 応用物理学科
先進工学研究科 物理工学専攻
宮川研究室(先進工学部 物理工学科)
宮川研究室(先進工学研究科 物理工学専攻)