2025.07.09

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高品質単結晶によりIGZOの本質的な電子状態を解明
～次世代ディスプレイの性能向上に新たな指針を提供～

東京理科大学高輝度光科学研究センター 研究の要旨とポイント 光フローティングゾーン法により作製された高品質なInGaZnO4（IGZO）単結晶に対して、硬X線光電子分光（HAXPES）実験を行い、バルク固有の電子状態を明らかにしました。 こ…