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Carbon Doping into GaAs using Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy (CIBMBE)
[ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, Y. Kawasumi, A. Yamada, T. Tsukamoto, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Journal of Crystal Growth 150
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Ion-Beam Doping of GaAs with Low-Energy (100 eV) C+ using Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy
[ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, S. Winter, Y. Tsai, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, P. Fons, S. Niki, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics 77
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Ion-beam doping of GaAs with low-energy(100eV)C+ using combined ion-beam and molecular-beam epitaxy
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
High-Energy Implantation of Hg+ Ions into GaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Method: Formation of Maltiple Shallow Emissions
[ 全著者名 ] K. Harada, B. Lo, Y. Makita, A. C. Beye, M. H. Halsall, S. Kimura, N. Kobayashi, T. Shima, and T. Matsumori
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters 67
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Hyperthermal(30-500cV)C+ ion-beam doping into GaAs during molecular beam epitaxy
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Formation of Shallow Energy Levels in Mn+ Implanted GaAs with Extremely Low Background Impurity Concentration
[ 全著者名 ] H. Shen, Y. Makita, A. Yamada, S. Niki, H. Shibata
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316
[ 掲載年月 ] 1994年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Effects of Hyperthermal Carbon Subplantation Doping on The Raman Spectra of GaAs
[ 全著者名 ] P. Fons, Y. Makita, S. Kimura, T. Iida, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, Y. Tsai, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316
[ 掲載年月 ] 1994年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Low Temperature Photoluminescence from GaAs Impinged by Mass-Separated Low-energy C+ Ion Beams during Molecular Beam Epitaxy
[ 全著者名 ] Y. Makita, S. Winter, S. Kimura, Y. Tsai, Y. Kawasumi, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, S. Uekusa, and T. Tsukamoto
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316
[ 掲載年月 ] 1994年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Damage-Free Ion Beam Doping of Carbon during Molecular Beam Epitaxy of GaAs
[ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, S. Winter, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, S. Niki, Y. Tsai, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316
[ 掲載年月 ] 1994年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Optical Characterization of 100 eV C+ Ion Doped GaAs
[ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, S. Winter, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, S. Niki, P. Fons, Y. Tsai, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 30
[ 掲載年月 ] 1993年 12月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Formation of Four New Shallow Emissions in Mn+ Ion-Implanted GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy Having Extremely Low Concentration of Background Impurities
[ 全著者名 ] H. Shen, Y. Makita, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Letter 63
[ 掲載年月 ] 1993年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Conditions for The Formation of Defect-Induced Bound Exciton Emissions in GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
[ 全著者名 ] N. Ohnishi, Y. Makita, H. Asakura, A. Yamada, H. Shibata, S. Uekusa, T .Matsumori
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Letter 62
[ 掲載年月 ] 1993年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Ion Implantation of Isoelectronic Impurities into InP
[ 全著者名 ] A. Yamada, Y. Makita, K.M. Mayer, H. Yoshinaga, S. Kimura, S. Niki, H. Shibata, S. Uekusa, and T. Matsumori
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B80/81
[ 掲載年月 ] 1993年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Pulsed UV Laser Irradiation Effect for Sn+-Implanted GaAs
[ 全著者名 ] H. Shibata, Y. Makita, T. Ikeda, M. Hasegawa, A. Yamada, S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B80/81
[ 掲載年月 ] 1993年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Properties of Mn+-Implanted GaAs
[ 全著者名 ] S. Niki, Y. Makita, A. Yamada, A. Obara, H. Tanoue, T. Kitahara, K. Aoki, and N. Kutsuwada
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B80/81
[ 掲載年月 ] 1993年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Low energy(100eV)C+ ion doping into GaAs using combined ion beam and molecular beam epitaxial technology
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters
[ 掲載年月 ] 1993年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Conditions for the formation of defect-induced bound exciton emissions in GaAs grown by molecular beam epitaxy
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters
[ 掲載年月 ] 1993年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Characterization of Novel Emissions in Mg+-Implanted InP
[ 全著者名 ] Y. Makita, S. Niki, A. Yamada, H. Asakura, S. Kimura, A. Obara, and S. Uekusa
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 235
[ 掲載年月 ] 1992年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
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