Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 109 件中 91‐109 件目
| Ion-beam doping of GaAs with low-energy(100eV)C+ using combined ion-beam and molecular-beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High-Energy Implantation of Hg+ Ions into GaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Method: Formation of Maltiple Shallow Emissions |
| [ 全著者名 ] K. Harada, B. Lo, Y. Makita, A. C. Beye, M. H. Halsall, S. Kimura, N. Kobayashi, T. Shima, and T. Matsumori |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters 67 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Hyperthermal(30-500cV)C+ ion-beam doping into GaAs during molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Novel Optical Features in Cd+ Ion-Implanted LEC-Grown GaAs |
| [ 全著者名 ] Y. Kawasumi, S. Kimura, A. Obara, H. Shibata, N. Kobayashi, T. Tsukamoto, and Y. Makita |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods B106 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Heavily carbon-doped GaAs layers prepared low-energy ion-beam impinging during molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Carbon Doping into GaAs using Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy (CIBMBE) |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, Y. Kawasumi, A. Yamada, T. Tsukamoto, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Crystal Growth 150 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Low Temperature Photoluminescence from GaAs Impinged by Mass-Separated Low-energy C+ Ion Beams during Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Winter, S. Kimura, Y. Tsai, Y. Kawasumi, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, S. Uekusa, and T. Tsukamoto |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316 |
| [ 掲載年月 ] 1994年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Damage-Free Ion Beam Doping of Carbon during Molecular Beam Epitaxy of GaAs |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, S. Winter, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, S. Niki, Y. Tsai, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316 |
| [ 掲載年月 ] 1994年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Formation of Shallow Energy Levels in Mn+ Implanted GaAs with Extremely Low Background Impurity Concentration |
| [ 全著者名 ] H. Shen, Y. Makita, A. Yamada, S. Niki, H. Shibata |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316 |
| [ 掲載年月 ] 1994年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effects of Hyperthermal Carbon Subplantation Doping on The Raman Spectra of GaAs |
| [ 全著者名 ] P. Fons, Y. Makita, S. Kimura, T. Iida, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, Y. Tsai, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 316 |
| [ 掲載年月 ] 1994年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Optical Characterization of 100 eV C+ Ion Doped GaAs |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, S. Winter, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, S. Niki, P. Fons, Y. Tsai, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 30 |
| [ 掲載年月 ] 1993年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Formation of Four New Shallow Emissions in Mn+ Ion-Implanted GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy Having Extremely Low Concentration of Background Impurities |
| [ 全著者名 ] H. Shen, Y. Makita, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letter 63 |
| [ 掲載年月 ] 1993年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Conditions for The Formation of Defect-Induced Bound Exciton Emissions in GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] N. Ohnishi, Y. Makita, H. Asakura, A. Yamada, H. Shibata, S. Uekusa, T .Matsumori |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letter 62 |
| [ 掲載年月 ] 1993年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Pulsed UV Laser Irradiation Effect for Sn+-Implanted GaAs |
| [ 全著者名 ] H. Shibata, Y. Makita, T. Ikeda, M. Hasegawa, A. Yamada, S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B80/81 |
| [ 掲載年月 ] 1993年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Properties of Mn+-Implanted GaAs |
| [ 全著者名 ] S. Niki, Y. Makita, A. Yamada, A. Obara, H. Tanoue, T. Kitahara, K. Aoki, and N. Kutsuwada |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B80/81 |
| [ 掲載年月 ] 1993年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Ion Implantation of Isoelectronic Impurities into InP |
| [ 全著者名 ] A. Yamada, Y. Makita, K.M. Mayer, H. Yoshinaga, S. Kimura, S. Niki, H. Shibata, S. Uekusa, and T. Matsumori |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B80/81 |
| [ 掲載年月 ] 1993年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Conditions for the formation of defect-induced bound exciton emissions in GaAs grown by molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 1993年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Low energy(100eV)C+ ion doping into GaAs using combined ion beam and molecular beam epitaxial technology |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 1993年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Characterization of Novel Emissions in Mg+-Implanted InP |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Niki, A. Yamada, H. Asakura, S. Kimura, A. Obara, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 235 |
| [ 掲載年月 ] 1992年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
