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Thermoelectric Properties of Mg2Si0.6Ge0.4 Processed by Spark Plasma Sintering Method
[ 全著者名 ] Y. Mizuyoshi, M. Akasaka, T. Iida, T. Matsuyama and H. Tatsuoka
[ 掲載誌名 ] THIN SOLID FILMS
[ 掲載年月 ] 2007年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Composition dependent thermoelectric properties of sintered Mg2Si1-xGex (x=0 to 1) initiated from melt-grown polycrystalline source
[ 全著者名 ] M. Akasaka, T. Iida , T. Baba, S. Kawakami, K. Nishio and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] THIN SOLID FILMS
[ 掲載年月 ] 2007年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Non-wetting crystal growth of Mg2Si by vertical Bridgman method and thermoelectric characteristics
[ 全著者名 ] M. Akasaka, T. Iida, J. Soga, N. Kato, T. Sakuma, Y. Higuchi, and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
[ 掲載年月 ] 2007年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Bulk crystal growth of semiconducting orthorhombic BaSi2 by the vertical Bridgman method and the optical characteristics
[ 全著者名 ] S. Kishino, T. Imai, T. Iida, Y. Nakaishi, T. Shinada, Y. Takanashi, and N. Hamada
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
[ 掲載年月 ] 2007年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Analysis of deviation of threshold voltage from hole accumulation model at high excitation
[ 全著者名 ] H. Taguchi, H. Murakami, M. Oura, T. Iida, and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2006年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Analysis of deviation of threshold voltage from hole accumulation model at high excitation
[ 全著者名 ] H. Taguchi, H. Murakami, M. Oura, T. Iida, and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2006年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Frequency dependence of drain conductance due to hole accumulation in InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors
[ 全著者名 ] H. Taguchi, M. Kawaguchi, M. Hayakawa, Y. Nakamura, T. Iida, and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2006年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Thermoelectric properties of undoped p-type CoSb3 prepared by the vertical Bridgman crystal growth and the spark plasma sintering
[ 全著者名 ] S. Furuyama, T. Iida, S. Matsui, M. Akasaka, K. Nishio, and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
[ 掲載年月 ] 2006年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Effects of post annealing on thermoelectric properties of p-type CoSb3 grown by vertical Bridgman method
[ 全著者名 ] M. Akasaka, T. Iida, G. Sakuragi, S. Furuyama, M. Noda, S. Matsui, M. Ota, H. Suzuki and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
[ 掲載年月 ] 2005年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa3(TM=Fe,Ru,and Os)
[ 全著者名 ] Y. Amagai, A. Yamamoto, T. Iida and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2004年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Bulk crystal growth of Mg2Si by the Vertical Bridgman method
[ 全著者名 ] M.Yoshinaga, T.Iida, M.Noda, T.Endo, and Y.Takanashi
[ 掲載誌名 ] THIN SOLID FILMS
[ 掲載年月 ] 2004年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Crystal growth of orthorhombic BaSi2 by the vertical Bridgman method
[ 全著者名 ] S. Kishino, T. Iida, T. Kuji and Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] THIN SOLID FILMS
[ 掲載年月 ] 2004年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Growing Cobalt Tetraantimonied Using Vertical Bridgeman Method and Effects of Post Annealing
[ 全著者名 ] M.Akasaka, G.Sakuragi, H.Suzuki, Y.Takanashi
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 646
[ 掲載年月 ] 2001年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Nanolithography on Electron Beam Resist Trimming Technique
[ 全著者名 ] H.Taguchi, Y.Takanashi, T. Maeda, K. Ishii, E.Suzuki
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 636
[ 掲載年月 ] 2001年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Characterization of Oxide Layer of Bulk Si1-xGex
[ 全著者名 ] W. Suzukake, S. Nemoto, Y. Takanashi
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 654
[ 掲載年月 ] 2001年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers : Thermal behavior and formation mechanisms
[ 全著者名 ] 高野 幸夫 伊藤 孝政 野口 大輔
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2001年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Si1-xGex Bulk Crystal Growth and Pn Junction Formation by Diffusing Phosphorus
[ 全著者名 ] S. Kato, T. Horikoshi, T. Ohkubo, and Y. Takano
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 607
[ 掲載年月 ] 2000年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Thermal Behavior of Residual Strain in Silicon-On-Insulator Bonded Wafer and Effects on Electron Mobility
[ 全著者名 ] T. Itoh, Y. Takano, A. Sandhu, and K. Shikama
[ 掲載誌名 ] Solid-State Electronics 43
[ 掲載年月 ] 1999年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Change in residual strain by heat treatment for SOI bonded wafer
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Proceeding of the Silicon Materials Science and Technology Forum
[ 掲載年月 ] 1997年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Residual ion damage in GaAs : C prepared by combined ion beam and molecular beam epitaxy
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Nuclear instruments and methods in physics research
[ 掲載年月 ] 1997年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Change of Residual Strain by Heat Treatment for SOI Bonded Wafer
[ 全著者名 ] T. Itoh, and Y. Takano
[ 掲載誌名 ] Proc. Of The Science and Technology of Silicon Materials
[ 掲載年月 ] 1997年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Residual Ion Damage in GaAs:C Prepared by Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy
[ 全著者名 ] Y. Makita, J. Horn, H. L. Hartnagel, T. Shima, S. Kimura, H. Sanpei, K. Shikama, and A. Sandhu
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 127/128
[ 掲載年月 ] 1997年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Optical Characterization of Low-energy nitrogen-ion doped GaAs
[ 全著者名 ] T. Shima, Y. Makita, S.Kimura, H. Sanpei, M. Yamaguchi and K. Kudo
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 127/128
[ 掲載年月 ] 1997年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
High Concentration Nitrogen Ion Doping into GaAs for The Fabrication of GaAsN
[ 全著者名 ] T. Shima, S. Kimura, A. Obara, Y. Makita, K. Kudo, and K. Tanaka
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 118
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Optical and Electrical Properties of Heavily Carbon-Doped GaAs Fabricated by High-Energy Ion-Implantation
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
C+-energy-dependent residnal ion damage in GaAs : C grown by the low-energy ion-beam doping method
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Annealing Effect of Cd+ Ion-Implanted Liquid Encapsulated Czochralski-GaAs
[ 全著者名 ] Y. Kawasumi, S. Kimura, M. Kotani, A. Obara, N. Kobayashi, T. Tsukamoto, and Y. Makita
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 396
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Optical and Electrical Properties of Heavily Carbon-Doped GaAs Fabricated by High-Energy Ion-Implantation
[ 全著者名 ] T. Shima, Y. Makita, S.Kimura, H. Sanpei, M. Yamaguchi and K. Kudo
[ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 396
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
High-Energy Implantation of Hg+ Ions into GaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Method: Formation of Maltiple Shallow Emissions
[ 全著者名 ] K. Harada, B. Lo, Y. Makita, A. C. Beye, M. H. Halsall, S. Kimura, N. Kobayashi, T. Shima, and T. Matsumori
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters 67
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Hyperthermal(30-500cV)C+ ion-beam doping into GaAs during molecular beam epitaxy
[ 全著者名 ]
[ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
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