Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 104 件中 61‐90 件目
| Analysis of deviation of threshold voltage from hole accumulation model at high excitation |
| [ 全著者名 ] H. Taguchi, H. Murakami, M. Oura, T. Iida, and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2006年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Analysis of deviation of threshold voltage from hole accumulation model at high excitation |
| [ 全著者名 ] H. Taguchi, H. Murakami, M. Oura, T. Iida, and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2006年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Frequency dependence of drain conductance due to hole accumulation in InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors |
| [ 全著者名 ] H. Taguchi, M. Kawaguchi, M. Hayakawa, Y. Nakamura, T. Iida, and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2006年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Thermoelectric properties of undoped p-type CoSb3 prepared by the vertical Bridgman crystal growth and the spark plasma sintering |
| [ 全著者名 ] S. Furuyama, T. Iida, S. Matsui, M. Akasaka, K. Nishio, and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS |
| [ 掲載年月 ] 2006年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effects of post annealing on thermoelectric properties of p-type CoSb3 grown by vertical Bridgman method |
| [ 全著者名 ] M. Akasaka, T. Iida, G. Sakuragi, S. Furuyama, M. Noda, S. Matsui, M. Ota, H. Suzuki and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS |
| [ 掲載年月 ] 2005年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa3(TM=Fe,Ru,and Os) |
| [ 全著者名 ] Y. Amagai, A. Yamamoto, T. Iida and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2004年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Crystal growth of orthorhombic BaSi2 by the vertical Bridgman method |
| [ 全著者名 ] S. Kishino, T. Iida, T. Kuji and Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] THIN SOLID FILMS |
| [ 掲載年月 ] 2004年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Bulk crystal growth of Mg2Si by the Vertical Bridgman method |
| [ 全著者名 ] M.Yoshinaga, T.Iida, M.Noda, T.Endo, and Y.Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] THIN SOLID FILMS |
| [ 掲載年月 ] 2004年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Characterization of Oxide Layer of Bulk Si1-xGex |
| [ 全著者名 ] W. Suzukake, S. Nemoto, Y. Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 654 |
| [ 掲載年月 ] 2001年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Growing Cobalt Tetraantimonied Using Vertical Bridgeman Method and Effects of Post Annealing |
| [ 全著者名 ] M.Akasaka, G.Sakuragi, H.Suzuki, Y.Takanashi |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 646 |
| [ 掲載年月 ] 2001年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Nanolithography on Electron Beam Resist Trimming Technique |
| [ 全著者名 ] H.Taguchi, Y.Takanashi, T. Maeda, K. Ishii, E.Suzuki |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 636 |
| [ 掲載年月 ] 2001年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers : Thermal behavior and formation mechanisms |
| [ 全著者名 ] 高野 幸夫 伊藤 孝政 野口 大輔 |
| [ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2001年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Si1-xGex Bulk Crystal Growth and Pn Junction Formation by Diffusing Phosphorus |
| [ 全著者名 ] S. Kato, T. Horikoshi, T. Ohkubo, and Y. Takano |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 607 |
| [ 掲載年月 ] 2000年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Thermal Behavior of Residual Strain in Silicon-On-Insulator Bonded Wafer and Effects on Electron Mobility |
| [ 全著者名 ] T. Itoh, Y. Takano, A. Sandhu, and K. Shikama |
| [ 掲載誌名 ] Solid-State Electronics 43 |
| [ 掲載年月 ] 1999年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Change in residual strain by heat treatment for SOI bonded wafer |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Proceeding of the Silicon Materials Science and Technology Forum |
| [ 掲載年月 ] 1997年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Residual ion damage in GaAs : C prepared by combined ion beam and molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear instruments and methods in physics research |
| [ 掲載年月 ] 1997年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Change of Residual Strain by Heat Treatment for SOI Bonded Wafer |
| [ 全著者名 ] T. Itoh, and Y. Takano |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Of The Science and Technology of Silicon Materials |
| [ 掲載年月 ] 1997年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Residual Ion Damage in GaAs:C Prepared by Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, J. Horn, H. L. Hartnagel, T. Shima, S. Kimura, H. Sanpei, K. Shikama, and A. Sandhu |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 127/128 |
| [ 掲載年月 ] 1997年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Optical Characterization of Low-energy nitrogen-ion doped GaAs |
| [ 全著者名 ] T. Shima, Y. Makita, S.Kimura, H. Sanpei, M. Yamaguchi and K. Kudo |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 127/128 |
| [ 掲載年月 ] 1997年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| C+-energy-dependent residnal ion damage in GaAs : C grown by the low-energy ion-beam doping method |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Annealing Effect of Cd+ Ion-Implanted Liquid Encapsulated Czochralski-GaAs |
| [ 全著者名 ] Y. Kawasumi, S. Kimura, M. Kotani, A. Obara, N. Kobayashi, T. Tsukamoto, and Y. Makita |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 396 |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Optical and Electrical Properties of Heavily Carbon-Doped GaAs Fabricated by High-Energy Ion-Implantation |
| [ 全著者名 ] T. Shima, Y. Makita, S.Kimura, H. Sanpei, M. Yamaguchi and K. Kudo |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings 396 |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High Concentration Nitrogen Ion Doping into GaAs for The Fabrication of GaAsN |
| [ 全著者名 ] T. Shima, S. Kimura, A. Obara, Y. Makita, K. Kudo, and K. Tanaka |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 118 |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Optical and Electrical Properties of Heavily Carbon-Doped GaAs Fabricated by High-Energy Ion-Implantation |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Materials Research Society Symposium Proceedings |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Carbon Doping into GaAs using Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy (CIBMBE) |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, Y. Kawasumi, A. Yamada, T. Tsukamoto, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Crystal Growth 150 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Ion-Beam Doping of GaAs with Low-Energy (100 eV) C+ using Combined Ion Beam and Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] Y. Makita, S. Kimura, S. Winter, Y. Tsai, A. Yamada, H. Shibata, A. Obara, P. Fons, S. Niki, and S. Uekusa |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics 77 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Ion-beam doping of GaAs with low-energy(100eV)C+ using combined ion-beam and molecular-beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High-Energy Implantation of Hg+ Ions into GaAs Grown by Liquid Encapsulated Czochralski Method: Formation of Maltiple Shallow Emissions |
| [ 全著者名 ] K. Harada, B. Lo, Y. Makita, A. C. Beye, M. H. Halsall, S. Kimura, N. Kobayashi, T. Shima, and T. Matsumori |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters 67 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Hyperthermal(30-500cV)C+ ion-beam doping into GaAs during molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Heavily carbon-doped GaAs layers prepared low-energy ion-beam impinging during molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] |
| [ 掲載誌名 ] Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
