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THEORETICAL STUDY OF PERFORMANCE LIMITS IN NANO-SCALE InAs HEMTS BASED ON QUANTUM-CORRECTED MONTE CARLO METHOD
[ 全著者名 ] T.Takegishi, H.Watanabe, R.Yamada, T.Matsumoto, S.Hara, H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)
[ 掲載年月 ] 2009年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale InGaAs HEMTs
[ 全著者名 ] Ryohei Yamada, Takayuki Takegishi, Yuko Hirata, Takayuki Matsumoto, Shinsuke Hara and Hiroki I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2008) Abstracts
[ 掲載年月 ] 2008年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Scaling Behavior of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata, and Jesús A. del Alamo
[ 掲載誌名 ] Abstracts of International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
[ 掲載年月 ] 2007年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Quantum Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale InGaAs High Electron Mobility Transistors
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takahiro Kawabata and Jesús A. del Alamo
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007)
[ 掲載年月 ] 2007年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Monte Carlo Study of High-Field Electron Transport Characteristics in AlGaN/GaN Heterostructure Considering Dislocation Scattering
[ 全著者名 ] Y.Tomita, H.Ikegami and H.I..Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2006年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
Large Signal Analysis of AlGaN/GaN-HEMT Amplifier by Coupled Physical Device-Circuit Simulation
[ 全著者名 ] H.I.Fujishiro, S.Narita and Y.Tomita
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 6th International Conference on Nitride Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2005年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Monte Carlo Analysis of 0.1-μm-Gate InP-HEMT
[ 全著者名 ] M. Hatakenaka, R. Kaga, K. Hara, H. I. Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Abstracts of 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2005)
[ 掲載年月 ] 2005年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Monte Carlo Study of Self-Heating Effect in GaN/AlGaN HEMTs on Sapphire, SiC and Si Substrates
[ 全著者名 ] H.I.Fujisiro, N.Mikami and M.Hatakenaka
[ 掲載誌名 ] Technical Digest of International Workshop on Nitride Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2004年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Determination of Noise Figures of GaAs-MESFETs by Physics-based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] T.Ishii, M.Nakayama and H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] Proc. Asia-Pacific Microwave Conference
[ 掲載年月 ] 2003年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Nano-Scale Patterning on Sulfur Terminated GaAs(001) Surface by Scanning Tunneling Microscope
[ 全著者名 ] Y.Yagishita, Y.Toda, M.Hirai and H.I.Fujishiro
[ 掲載誌名 ] 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures
[ 掲載年月 ] 2003年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Peculiality of Ga on Si(001) Surface at High Temperature
[ 全著者名 ] S.Hara, H.Torii, K.Irokawa, H.I.Fujishiro, H.Miki and A.Kawazu
[ 掲載誌名 ] 7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures
[ 掲載年月 ] 2003年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Self-Heating Effect on Device Characteristics of GaN/AlGaN HEMTs: 2D Monte Carlo Device Simulation
[ 全著者名 ] 藤代 博記、三上 信和、武井 照幸、猪澤 道能、杢 哲次、大塚 康二
[ 掲載誌名 ] 30th International Symposium on Compound Semiconductors
[ 掲載年月 ] 2003年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Determination of Small-Signal Parameters and Noise Figures of MESFET's by Physics-Based Circuit Simulator Employing Monte Carlo Technique
[ 全著者名 ] Hiroki I. Fujishiro, Takao Ishii
[ 掲載誌名 ] 2002 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2002年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによるCaAs−MESFETの小信号パラメータ・雑音解析
[ 全著者名 ] 藤代博記,石井隆雄,中山正博,武井照幸
[ 掲載誌名 ] 第6回マイクロ波シミュレータワークショップ
[ 掲載年月 ] 2002年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
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