Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 74 件中 31‐60 件目
| Formation of GaSb islands on Si(100) with low-temperature grown GaSb layer |
| [ 全著者名 ] R. Machida, R. Toda, S. Fujikawa, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of 34rd Electronic Materials Symposium (EMS34) |
| [ 掲載年月 ] 2015年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Growth of GaSb Islands on Si(100) with Low-temperature Grown GaSb Layer |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Hiroki Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of Compound Semiconductor Week 2015 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Study on Impacts of Dislocation and Roughness Scatterings on Electron Transport in InSb QW Comparing Monte Carlo Simulation and Measurements |
| [ 全著者名 ] Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa and Hiroki Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of Compound Semiconductor Week 2015 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Improved Electron Transport Properties of InSb-QW Structure Using Stepped Buffer Layer for Strain Reduction |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, D. Tsuji, T. Taketsuru, T. Maeda and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014) |
| [ 掲載年月 ] 2014年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Improved electron transport characteristic of InSb-QW structure with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 全著者名 ] T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS) |
| [ 掲載年月 ] 2014年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Comparison of delay times in III-V MOSFETs with various channel materials |
| [ 全著者名 ] Y. Yajima, R. Ohama, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] 33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS) |
| [ 掲載年月 ] 2014年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Characterization of InSb-QW structures with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb buffer layer for strain reduction |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, Y. Takagi, T. Maeda, T. Taketsuru, D. Tsuji and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (38th WOCSDICE) |
| [ 掲載年月 ] 2014年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Analysis of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials |
| [ 全著者名 ] R. Ohama, Y. Yajima, A. Nishida, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014) |
| [ 掲載年月 ] 2014年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates |
| [ 全著者名 ] T. Gotow, S. Fujikawa, H. I. Fujishiro, M. Ogura, T. Yasuda, T. Maeda |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2013) |
| [ 掲載年月 ] 2013年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Keisuke Yoshiki, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Akira Kawazu, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2013) |
| [ 掲載年月 ] 2013年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials |
| [ 全著者名 ] Shohei Nagai, Yutaro Nagai, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Shinsuke Hara, Akira Endoh, Issei Watanabe, and Akifumi Kasamatsu |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013) |
| [ 掲載年月 ] 2013年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island |
| [ 全著者名 ] R.Machida, R.Toda, K.Yoshiki, S.Hara, K.Irokawa, H.Miki, A.Kawazu, and H.I.Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Conference Proceedings |
| [ 掲載年月 ] 2013年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials |
| [ 全著者名 ] Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013) |
| [ 掲載年月 ] 2013年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Comparative Study on III-V DG MOSFETs with Various Channel Materials |
| [ 全著者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013) |
| [ 掲載年月 ] 2013年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island |
| [ 全著者名 ] R. Machida, K. Yoshiki, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20) |
| [ 掲載年月 ] 2012年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs Using Monte Carlo Technique |
| [ 全著者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012) |
| [ 掲載年月 ] 2012年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation |
| [ 全著者名 ] J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012) |
| [ 掲載年月 ] 2012年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111) |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012) |
| [ 掲載年月 ] 2012年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Study of GaSb Strained Layer Locally Grown on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy |
| [ 全著者名 ] R. Machida, K. Yagishita, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM19) |
| [ 掲載年月 ] 2011年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Study of Initial Growth Layer of GaSb on Ga- and Sb-induced Si(111) Reconstructed Surface by Scanning Tunneling Microscopy |
| [ 全著者名 ] S. Hara, R. Machida, K. Fuse, K. Yagishita, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2011) |
| [ 掲載年月 ] 2011年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects |
| [ 全著者名 ] S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I. Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011) |
| [ 掲載年月 ] 2011年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation |
| [ 全著者名 ] T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011) |
| [ 掲載年月 ] 2011年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Strain Effects on Performances in InAs HEMTs |
| [ 全著者名 ] F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011) |
| [ 掲載年月 ] 2011年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Study of GaSb quantum dot on Si(111) surface by scanning tunneling microscopy |
| [ 全著者名 ] K. Fuse, K. Yagishita, R. Machida, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki and H.I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstract of 18th International Colloquiumon Scanning Probe Microscopy (ICSPM18) |
| [ 掲載年月 ] 2010年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs |
| [ 全著者名 ] Hiroki Fujishiro, Hisanao Watanabe, Takahiro Homma and Shinsuke Hara |
| [ 掲載誌名 ] Proc. International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010) |
| [ 掲載年月 ] 2010年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs |
| [ 全著者名 ] H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010) |
| [ 掲載年月 ] 2010年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| MONTE CARLO STUDY OF STRAIN EFFECT ON HIGH FIELD ELECTRON TRANSPORT IN InAs AND InSb |
| [ 全著者名 ] H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010) |
| [ 掲載年月 ] 2010年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Study of Ga adsorption structure on Ni/Si(100) surface by scanning tunneling microscopy |
| [ 全著者名 ] K. Fuse, T. Suzuki, K. Yagishita, Y. Hirata, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H.I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstract of The 17th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy |
| [ 掲載年月 ] 2009年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Study of the hydrogen terminated Si(113) surface by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Toru Suzuki, Kazuhiro Fuse, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, Hiroki Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstract of 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 10) |
| [ 掲載年月 ] 2009年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Theoretical Study on Upper Limit of Cutoff Frequency in Nano-Scale InAs HEMTs Based on Quantum-Corrected Monte Carlo Method |
| [ 全著者名 ] H. I. Fujishiro, T. Takegishi, H. Watanabe, and S. Hara |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009) |
| [ 掲載年月 ] 2009年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
