Top > Back > 学会発表 の検索結果 342 件中 1‐30 件目
| GaSb上InSb量子ドットからの発光波長の積層による長波長化 |
| [ 共同発表者名 ] 小野田 悠人, 桑原 笑明, 大湊 空, 牛頭 信一郎, 藤代 博記, 遠藤 聡 |
| [ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年9月17日 ～ 9月20日 |
| InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造における電子移動度の向上 |
| [ 共同発表者名 ] 大場 達久, 神内 智揮, 海老原 怜央, 中島 渉, 渡 邊 一世, 山下 良美, 町田 龍人, 原 紳介, 笠松 章 史, 遠藤 聡, 藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年9月17日 ～ 9月20日 |
| ダブルドープInSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の電気的特性 |
| [ 共同発表者名 ] 中島 渉, 神内 智揮, 海老原 怜央, 大場達久, 渡邊一世, 町田龍人, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年9月17日 ～ 9月20日 |
| 量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブル ドープ構造GaInSb HEMT特性解析 |
| [ 共同発表者名 ] 上田 晟生，戸邉 康太，児玉 直也，塩澤 祐介，遠藤 聡，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年9月17日 ～ 9月20日 |
| Double δ-doped Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTs with over 450 GHz-fmax |
| [ 共同発表者名 ] R. Machida, R. Yoshida, R. Kouno, R. Ebihara, T. Jinnai, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024) |
| [ 発表日付 ] 2024年8月26日 ～ 8月29日 |
| Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structures |
| [ 共同発表者名 ] T. Jinnai, T. Oba, W. Nakajima, R. Ebihara, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024) |
| [ 発表日付 ] 2024年8月26日 ～ 8月29日 |
| 高fT, fmax を有するダブルドープGaInSb チャネルHEMT |
| [ 共同発表者名 ] 遠藤 聡, 吉田 陸人, 河野 亮介, 海老原 怜央, 神内 智揮, 渡邊 一世, 山下 良美, 町田 龍人, 原 紳介, 笠松 章史, 藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電気学会電子デバイス研究会 |
| [ 発表日付 ] 2024年7月5日 ～ 7月5日 |
| High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs |
| [ 共同発表者名 ] R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) |
| [ 発表日付 ] 2024年6月3日 ～ 6月6日 |
| Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure |
| [ 共同発表者名 ] T. Jinnai, R. Ebihara, T. Oba, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) |
| [ 発表日付 ] 2024年6月3日 ～ 6月6日 |
| GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減 |
| [ 共同発表者名 ] 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第71回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年3月24日 ～ 3月24日 |
| 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT |
| [ 共同発表者名 ] 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第71回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年3月24日 ～ 3月24日 |
| In2O3系透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの感度特性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－第29回研究会 |
| [ 発表日付 ] 2024年2月2日 ～ 2月2日 |
| アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性 |
| [ 共同発表者名 ] 町田 龍人、岸本 尚之、礒前 雄人、林 拓也、國澤 宗真、遠藤 聡、藤代 博記、山下 良美、原 紳介、笠松 章史、渡邊 一世 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| 有効質量近似を用いた数値計算による 積層 InSb 量子ドットの発光エネルギー |
| [ 共同発表者名 ] 小野田 悠人、亀岡 俊貴、桑原 笑明、三田 泰継、藤代 博記、遠藤 聡 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価 |
| [ 共同発表者名 ] 三田 泰継、小関 敬祐、桑原 笑明、小野田 悠人、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| 221.5 nm far-UVC AlGaN LED における EQE0.008 %動作の実現 |
| [ 共同発表者名 ] 中村 勇稀、住司 光、藤川 紗千恵、矢口 裕之、遠藤 聡、藤代 博記、祝迫 恭、平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの広帯域光応答検出 |
| [ 共同発表者名 ] 石井 寛仁、張 文馨、石井 裕之、鯉田 崇、藤代 博記、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer |
| [ 共同発表者名 ] R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 発表日付 ] 2023年5月29日 ～ 6月2日 |
| Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots |
| [ 共同発表者名 ] E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 発表日付 ] 2023年5月29日 ～ 6月2日 |
| Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics |
| [ 共同発表者名 ] R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 発表日付 ] 2023年5月29日 ～ 6月2日 |
| In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁，大石和明，鯉田崇，清水鉄司，石井裕之，張文馨，遠藤聡，藤代博記，前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年3月17日 ～ 3月17日 |
| InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性 |
| [ 共同発表者名 ] 神内 智揮，羽鳥 小春，海老原 怜央，尾曽 雅宗，河野 亮介，遠藤 聡，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年3月15日 ～ 3月18日 |
| ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性 |
| [ 共同発表者名 ] 尾曽 雅宗、羽鳥 小春、海老原 怜央、神内 智揮、河野 亮介、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年3月15日 ～ 3月18日 |
| Thickness dependence of polarization doped transparent p-contact layer on the efficiency of 230 nm far-UVC AlGaN LED |
| [ 共同発表者名 ] Kou Sumishi, Noritoshi Maeda, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro, Tasushi Iwaisako, Hideki Hirayama |
| [ 学会・会議名 ] The Tenth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2022) |
| [ 発表日付 ] 2022年11月13日 ～ 11月18日 |
| Size Control and PL Characteristics for InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by MBE |
| [ 共同発表者名 ] Keisuke Koseki, Kyosuke Yamamoto, Emin Kuwabara, Shin-ichiro Gozu, Akira Endoh, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 第41回電子材料シンポジウム(The 41st Electronic Materials Symposium, EMS2022) |
| [ 発表日付 ] 2022年10月19日 ～ 10月21日 |
| GaSb基板上InSb量子ドットのサイズ制御とPL特性 |
| [ 共同発表者名 ] 桑原 笑明，山本 恭輔，小関 敬祐，牛頭 信一郎，遠藤 聡，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年9月20日 ～ 9月23日 |
| 230 nm far-UVC AlGaN LEDにおける分極ドープ透明p型コンタクト層の膜厚依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 住司 光, 前田 哲利, 遠藤 聡, 藤代 博記, 祝迫 恭, 平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年9月20日 ～ 9月23日 |
| 近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの光応答特性 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年9月20日 ～ 9月23日 |
| Schottky Barrier Contact on In0.53Ga0.47As with Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide |
| [ 共同発表者名 ] Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida |
| [ 学会・会議名 ] 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) |
| [ 発表日付 ] 2022年9月5日 ～ 9月8日 |
| High Sensitivity Schottky Barrier Ge Photodetectors with Transparent Conductive Oxide Electrodes |
| [ 共同発表者名 ] Hiroto Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda |
| [ 学会・会議名 ] 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) |
| [ 発表日付 ] 2022年9月5日 ～ 9月8日 |
