東京理科大学　研究者情報データベース　

Top > Back > 学会発表の検索結果 347 件中 1‐30 件目

Improved Electron Transport Properties in InSb/Ga0.22In0.78Sb Composite Channel HEMT Structures

[ 共同発表者名 ] T. Oba, T. Jinnai, R. Ebihara, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2025 (CSW2025) (The 51th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2025) and The 36nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2025))

[ 発表日付 ] 2025年5月27日～ 5月30日

Redshift in Photoluminescence Wavelength by Stacking Two-layers of InSb/GaSb Quantum Dot

[ 共同発表者名 ] T. Kito, E. Kuwabara, Y. Onoda, S. Ominato, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

[ 発表日付 ] 2025年5月27日～ 5月30日

ダブルドープInSb/InGaSb 複合チャネルHEMT 構造の電気的特性の向上 ―傾斜バッファ層の組成比制御による貫通転位密度の低減―

[ 共同発表者名 ] 小山歩夢，神内智揮，大場達久, 中島渉, 遠藤聡，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第72回応用物理学会春季学術講演会

[ 発表日付 ] 2025年3月14日～ 3月14日

量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測

[ 共同発表者名 ] 児玉直也，戸邉康太，上田晟生，田中聖真，遠藤聡，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第72回応用物理学会春季学術講演会

[ 発表日付 ] 2025年3月14日～ 3月14日

fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT

[ 共同発表者名 ] 町田龍人, 吉田陸人, 岸本尚之, 河野亮介, 礒前雄人, 海老原怜央, 林拓也†, 神内智揮, 國澤宗真, 渡邊一世, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会電子デバイス研究会12月研究会 (ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

[ 発表日付 ] 2024年12月19日～ 12月20日

GaSb上InSb量子ドットからの発光波長の積層による長波長化

[ 共同発表者名 ] 小野田悠人, 桑原笑明, 大湊空, 牛頭信一郎, 藤代博記, 遠藤聡

[ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2024年9月17日～ 9月20日

InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造における電子移動度の向上

[ 共同発表者名 ] 大場達久, 神内智揮, 海老原怜央, 中島渉, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2024年9月17日～ 9月20日

ダブルドープInSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の電気的特性

[ 共同発表者名 ] 中島渉, 神内智揮, 海老原怜央, 大場達久, 渡邊一世, 町田龍人, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2024年9月17日～ 9月20日

量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造GaInSb HEMT特性解析

[ 共同発表者名 ] 上田晟生，戸邉康太，児玉直也，塩澤祐介，遠藤聡，藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第85回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2024年9月17日～ 9月20日

Double δ-doped Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTs with over 450 GHz-fmax

[ 共同発表者名 ] R. Machida, R. Yoshida, R. Kouno, R. Ebihara, T. Jinnai, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024)

[ 発表日付 ] 2024年8月26日～ 8月29日

Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structures

[ 共同発表者名 ] T. Jinnai, T. Oba, W. Nakajima, R. Ebihara, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024)

[ 発表日付 ] 2024年8月26日～ 8月29日

高fT, fmax を有するダブルドープGaInSb チャネルHEMT

[ 共同発表者名 ] 遠藤聡, 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 電気学会電子デバイス研究会

[ 発表日付 ] 2024年7月5日～ 7月5日

High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs

[ 共同発表者名 ] R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024))

[ 発表日付 ] 2024年6月3日～ 6月6日

Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure

[ 共同発表者名 ] T. Jinnai, R. Ebihara, T. Oba, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

[ 発表日付 ] 2024年6月3日～ 6月6日

GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減

[ 共同発表者名 ] 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第71回応用物理学会春季学術講演会

[ 発表日付 ] 2024年3月24日～ 3月24日

300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT

[ 共同発表者名 ] 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第71回応用物理学会春季学術講演会

[ 発表日付 ] 2024年3月24日～ 3月24日

In2O3系透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの感度特性評価

[ 共同発表者名 ] 石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎

[ 学会・会議名 ] 応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第29回研究会

[ 発表日付 ] 2024年2月2日～ 2月2日

アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性

[ 共同発表者名 ] 町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世

[ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2023年9月19日～ 9月23日

有効質量近似を用いた数値計算による積層 InSb 量子ドットの発光エネルギー

[ 共同発表者名 ] 小野田悠人、亀岡俊貴、桑原笑明、三田泰継、藤代博記、遠藤聡

[ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2023年9月19日～ 9月23日

LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価

[ 共同発表者名 ] 三田泰継、小関敬祐、桑原笑明、小野田悠人、遠藤聡、藤代博記

[ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2023年9月19日～ 9月23日

221.5 nm far-UVC AlGaN LED における EQE0.008 %動作の実現

[ 共同発表者名 ] 中村勇稀、住司光、藤川紗千恵、矢口裕之、遠藤聡、藤代博記、祝迫恭、平山秀樹

[ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2023年9月19日～ 9月23日

In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの広帯域光応答検出

[ 共同発表者名 ] 石井寛仁、張文馨、石井裕之、鯉田崇、藤代博記、前田辰郎

[ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会

[ 発表日付 ] 2023年9月19日～ 9月23日

Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer

[ 共同発表者名 ] R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

[ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023))

[ 発表日付 ] 2023年5月29日～ 6月2日

Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots

[ 共同発表者名 ] E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

[ 発表日付 ] 2023年5月29日～ 6月2日

Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics

[ 共同発表者名 ] R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe

[ 発表日付 ] 2023年5月29日～ 6月2日

In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価

[ 共同発表者名 ] 石井寛仁，大石和明，鯉田崇，清水鉄司，石井裕之，張文馨，遠藤聡，藤代博記，前田辰郎

[ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会

[ 発表日付 ] 2023年3月17日～ 3月17日

InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性