Top   >   Back   >   学会発表 の検索結果 333 件中 121150 件目

ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析
[ 共同発表者名 ] 初芝正太,長井彰平,永井佑太郎,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世1,笠松章史,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月20日
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析
[ 共同発表者名 ] 矢島悠貴,大濱諒子,西田明央,藤川紗千恵,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月20日
Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,藤川紗千恵,藤代博記,小倉睦郎,安田哲二,前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月18日
歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価
[ 共同発表者名 ] 藤川紗千恵,高木裕介,前田章臣,古仲佑太朗,原紳介,渡邉一世,遠藤聡,山下良美,笠松章史,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月18日
ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価
[ 共同発表者名 ] 藤川紗千恵,高木裕介,前田章臣,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2014年3月18日
Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates
[ 共同発表者名 ] G.Gotoh,S.Fujikawa,H.I.Fujishiro,M.Ogura,T.Yasuda,T.Maeda
[ 学会・会議名 ] 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2013)
[ 発表日付 ] 2013年12月6日
Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface
[ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Keisuke Yoshiki, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Akira Kawazu, Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2013)
[ 発表日付 ] 2013年11月4日 ~ 11月8日
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析
[ 共同発表者名 ] 大濱諒子,西田明央,藤川紗千恵,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年9月19日
各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界
[ 共同発表者名 ] 長井彰平,永井佑太郎,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世,笠松章史,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年9月19日
GaSb ショットキー接合型メタルS/D pMOSFETs の動作実証
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,藤川紗千恵,藤代博記,小倉睦郎,安田哲二,前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年9月17日 ~ 9月
Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Shohei Nagai, Yutaro Nagai, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Shinsuke Hara, Akira Endoh, Issei Watanabe, and Akifumi Kasamatsu
[ 学会・会議名 ] 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013)
[ 発表日付 ] 2013年9月2日 ~ 9月5日
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
[ 共同発表者名 ] 町田龍人,戸田隆介,吉木圭祐,藤川紗千恵,原紳介,色川勝己,三木裕文,河津璋,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2013年8月8日 ~ 8月13日
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,原紳介,藤代博記,小倉睦郞,安田哲二,前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2013年8月8日 ~ 8月13日
Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
[ 学会・会議名 ] 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
[ 発表日付 ] 2013年5月19日 ~ 5月23日
Comparative Study on III-V DG MOSFETs with Various Channel Materials
[ 共同発表者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
[ 発表日付 ] 2013年5月19日 ~ 5月23日
InSb/Al0.25In0.75Sb HEMTの作製及び特性評価
[ 共同発表者名 ] 高橋 維,小畑卓也,古仲佑太朗,高木裕介,原 紳介,藤代博記,渡邊一世,山下良美,遠藤 聡,笠松章史
[ 学会・会議名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年3月29日
GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製
[ 共同発表者名 ] 後藤高寛,原 紳介,藤代博記,小倉睦郎,安田哲二,前田辰郎
[ 学会・会議名 ] 第60回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2013年3月28日
Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island
[ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Yoshiki, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20)
[ 発表日付 ] 2012年12月17日 ~ 12月19日
Ga 誘起 Si(111)再構成表面上 GaSb ナノ構造の成長形態の温度依存性
[ 共同発表者名 ] 町田龍人、吉木圭祐、原紳介、色川勝己、三木裕文、河津璋、藤代博記
[ 学会・会議名 ] 第32回表面科学学術講演会
[ 発表日付 ] 2012年11月20日 ~ 11月22日
Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Nano-Scale III-V MOSFETs
[ 共同発表者名 ] Hiroki Fujishiro
[ 学会・会議名 ] BIT's 2st Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology (Nano-S&T 2012)
[ 発表日付 ] 2012年10月26日 ~ 10月28日
Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs Using Monte Carlo Technique
[ 共同発表者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
[ 発表日付 ] 2012年10月15日 ~ 10月19日
Temperature-Dependent Growth Morphology of GaSb Islands on Ga/Si(111)
[ 共同発表者名 ] S. Hara, R. Machida, Ke. Yoshiki, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. Fujishiro
[ 学会・会議名 ] The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS10)
[ 発表日付 ] 2012年9月26日
傾斜 Field-Plate 構造 AlGaN/GaN HEMT の 遅延時間の発生メカニズムに関する理論的検討
[ 共同発表者名 ] 戸島拓也,原和也,原紳介,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2012年9月12日
III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響 に関する理論的解析
[ 共同発表者名 ] 長谷川慶,西田明央,原紳介,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
[ 発表日付 ] 2012年9月11日
InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析
[ 共同発表者名 ] 西田明央,長谷川慶,原紳介,藤代博記
[ 学会・会議名 ] 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
[ 発表日付 ] 2012年9月11日 ~ 9月11日
Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111)
[ 共同発表者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu,
[ 学会・会議名 ] 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2012)
[ 発表日付 ] 2012年8月27日 ~ 8月30日
Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
[ 共同発表者名 ] J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
[ 学会・会議名 ] 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
[ 発表日付 ] 2012年8月27日 ~ 8月30日
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析
[ 共同発表者名 ] 永井佑太郎,佐藤純,原紳介,藤代博記,遠藤 聡,渡邊一世
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会ED研究会
[ 発表日付 ] 2012年7月27日
GaAs基板上InSb/AlInSbヘテロ構造の断面TEM観察
[ 共同発表者名 ] 原紳介、内田明憲、 堀井宏之、藤代博記
[ 学会・会議名 ] 中部地区ナノテク総合支援:ナノ材料創製加工と先端機器分析 平成23年度成果報告会
[ 発表日付 ] 2012年3月31日 ~ 3月31日
モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析
[ 共同発表者名 ] 平澤勇樹、原和也、原紳介、藤代博記
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会 2012年総合大会
[ 発表日付 ] 2012年3月20日 ~ 3月23日
Previous | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |  ...  12 | Next