Top > Back > 学会発表 の検索結果 333 件中 31‐60 件目
| Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures |
| [ 共同発表者名 ] Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021) (The 47th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2021) and The 32nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2021)) |
| [ 発表日付 ] 2021年5月9日 ～ 5月13日 |
| 歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価 |
| [ 共同発表者名 ] 國澤宗真、林 拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、渡邊一世、山下良美、原 紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第68回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年3月16日 ～ 3月19日 |
| エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 |
| [ 共同発表者名 ] 岸本尚之、礒前雄人、林 拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原 紳介、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第68回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年3月16日 ～ 3月19日 |
| 寄生抵抗を考慮した近赤外InGaAs PhotoFETsの感度評価 |
| [ 共同発表者名 ] 大石和明、石井裕之、張 文馨、石井寛仁、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第68回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年3月16日 ～ 3月19日 |
| Si基板上表面照射型InGaAs PhotoFETの近赤外線分光感度特性 |
| [ 共同発表者名 ] 大石和明、石井裕之、張 文馨、石井寛仁、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第81回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2020年9月8日 ～ 9月11日 |
| AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響 |
| [ 共同発表者名 ] 林 拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、國澤宗真、岸本尚之、渡邊一世、山下良美、原 紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第81回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2020年9月8日 ～ 9月11日 |
| AlInSb/InSb QW構造における表面モフォロジーと電子移動度の関係 |
| [ 共同発表者名 ] 町田 龍人、渡邊 一世、原 紳介、遠藤 聡、山下 良美、笠松 章史、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第67回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2020年3月12日 ～ 3月15日 |
| GaAs基板上Sb系HEMTにおけるGaSbバッファを用いた低転位化 |
| [ 共同発表者名 ] 大金 剛毅、平岡 瑞穂、林 拓也、國澤 宗真、渡邊 一世、山下 良美、原 紳介、町田 龍人、笠松 章史、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第67回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2020年3月12日 ～ 3月15日 |
| In0.78Ga0.22SbチャネルHEMTの高周波及び雑音特性に関するモンテカルロシミュレーション解析 |
| [ 共同発表者名 ] 熊坂 昂之輔、白井 脩策、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第67回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2020年3月12日 ～ 3月15日 |
| 表面照射型InGaAs PhotoFETの分光感度特性 |
| [ 共同発表者名 ] 大石 和明、 石井 裕之、張 文馨、清水 鉄司、石井 寛仁、遠藤 聡、藤代 博記、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第67回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2020年3月12日 ～ 3月15日 |
| Ge表面清浄化プロセスを用いたY2O3/Ge pMOSFETsの作製と評価 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁、石井裕之、張 文馨、森田行則、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会 |
| [ 発表日付 ] 2020年1月31日 ～ 2月1日 |
| 転写技術を用いたSi基板上の表面照射型InGaAs PhotoFETの実証 |
| [ 共同発表者名 ] 大石和明、石井裕之、張 文馨、清水鉄司、石井寛仁、藤代博記、遠藤 聡、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会 |
| [ 発表日付 ] 2020年1月31日 ～ 2月1日 |
| Y2O3/Ge pMOSFETsにおけるGe表面清浄化プロセスの検討 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁、石井裕之、張 文馨、森田行則、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] SATテクノロジー・ショーケース2020 |
| [ 発表日付 ] 2020年1月24日 ～ 1月24日 |
| 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT |
| [ 共同発表者名 ] 大澤幸希、岩木拓也、遠藤勇輝、平岡瑞穂、岸本尚之、林 拓也、渡邊一世、山下良美、原 紳介、後藤高寛、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」 |
| [ 発表日付 ] 2019年12月23日 ～ 12月24日 |
| ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイス |
| [ 共同発表者名 ] 渡邊一世、山下良美、原 紳介、笠松章史、町田龍人、遠藤 聡、藤代博記、吹留博一 |
| [ 学会・会議名 ] シンポジウム テラヘルツ科学の最先端VI |
| [ 発表日付 ] 2019年11月28日 ～ 11月30日 |
| Ge清浄表面からのY2O3/Ge pMOSFETsの作製 |
| [ 共同発表者名 ] 石井 寛仁、石井 裕之、張 文馨、森田 行則、遠藤 聡、藤代 博記、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| GaSb薄膜上へのAl照射がInSbドット密度に与える影響 |
| [ 共同発表者名 ] 土屋 隆史、深川 大地、町田 龍人、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響 |
| [ 共同発表者名 ] 岸本 尚之、熊坂 昂之輔、遠藤 勇輝、林 拓也、平岡 瑞穂、白井 脩策、吉田 直史、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、原 紳介、後藤 高寛、笠松 章史、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| 歪超格子バッファがInSb HEMTの表面形態と電気的特性に与える影響 |
| [ 共同発表者名 ] 林 拓也、大坪 拓史、岸本 尚之、遠藤 勇輝、平岡 瑞穂、渡邊 一世、山下 良美、原 紳介、後藤 高寛、笠松 章史、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| 歪Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySbステップバッファを用いたGa1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性 |
| [ 共同発表者名 ] 平岡 瑞穂、遠藤 勇輝、大澤 幸希、岸本 尚之、林 拓也、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、原 紳介、後藤 高寛、笠松 章史、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いた歪Ga1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性 |
| [ 共同発表者名 ] 平岡 瑞穂、遠藤 勇輝、大澤 幸希、岸本 尚之、林 拓也、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、原 紳介、後藤 高寛、笠松 章史、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| 電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善 |
| [ 共同発表者名 ] 中村 励志、藤川 紗千恵、前田 哲利、遠藤 聡、藤代 博記、平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| 転写技術による表面照射型近赤外InGaAs PhotoFET |
| [ 共同発表者名 ] 大石 和明、石井 裕之、張 文馨、清水 鉄司、石井 寛仁、遠藤 聡、藤代 博記、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第80回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年9月18日 ～ 9月21日 |
| SWIR InGaAs PhotoFETs on Half-inch Si Wafer Using Layer Transfer Technology |
| [ 共同発表者名 ] T. Maeda, H. Ishii, W.-H. Chang, T. Shimizu, H. Ishii, K. Ohishi, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] The 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) |
| [ 発表日付 ] 2019年9月2日 ～ 9月5日 |
| GaInSb n-Channel HEMTs with High AlInSb Barrier |
| [ 共同発表者名 ] K. Osawa, T. Iwaki, Y. Endoh, M. Hiraoka, N. Kishimoto, T. Hayashi, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, T. Gotow, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2019) |
| [ 発表日付 ] 2019年8月26日 ～ 8月29日 |
| Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer |
| [ 共同発表者名 ] M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N. Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2019) and The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2019)) |
| [ 発表日付 ] 2019年5月19日 ～ 5月23日 |
| Effect of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMTs |
| [ 共同発表者名 ] N. Kishimoto, Y. Endoh, T. Hayashi, M. Hiraoka, R. Machida, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2019) and The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2019)) |
| [ 発表日付 ] 2019年5月19日 ～ 5月23日 |
| GaInSbチャネルHEMT構造のゲート・チャネル間距離パラメータが電気的特性に与える影響 |
| [ 共同発表者名 ] 岸本 尚之, 遠藤 勇輝, 林 拓也, 平岡 瑞穂, 町田 龍人, 遠藤 聡, 藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第66回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年3月9日 ～ 3月12日 |
| Ge基板の平坦化RTAを用いたin-situ Ge MOS構造の作製 |
| [ 共同発表者名 ] 石井 寛仁、石井 裕之、張 文馨、森田 行則、遠藤 聡、藤代 博記、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第66回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2019年3月9日 ～ 3月12日 |
| InP系，Sb系及びGaN系HEMTの高速化 |
| [ 共同発表者名 ] 遠藤 聡、渡邊 一世、山下 良美、笠松 章史、藤代 博記、三村 高志 |
| [ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」 |
| [ 発表日付 ] 2018年12月17日 ～ 12月18日 |
