Top > Back > 学会発表 の検索結果 333 件中 61‐90 件目
| 230-240nm短波長UVC-LEDの高出力化の検討 |
| [ 共同発表者名 ] 石黒 稔也, 中村 励志, 前田 哲利、藤川 紗千恵, 藤代 博記, 平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 日本学術振興会 第110回研究会・特別公開シンポジウム |
| [ 発表日付 ] 2018年9月27日 ～ 9月28日 |
| 240nm帯AlGaN UVC-LEDの高出力化の検討 |
| [ 共同発表者名 ] 石黒 稔也, 中村 励志, 藤川 紗千恵, 前田 哲利, 町田 龍，藤代 博記,平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第79回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2018年9月18日 ～ 9月21日 |
| Electron Transport Properties of Novel Ga1-xInxSb Quantum Well Structures with Strained Al0.4In0.6Sb/Al0.3In0.7Sb Stepped Buffer |
| [ 共同発表者名 ] K. Osawa, M. Hiraoka, T. Kishi, Y. Endoh, J. Takeuchi, R. Machida and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018)) |
| [ 発表日付 ] 2018年5月29日 ～ 6月1日 |
| Comprehensive Study on GaxIn1-xSb High Electron Mobility Transistors Considering Interface Roughness Scattering |
| [ 共同発表者名 ] T. Suzuki, Y. Fujisawa, S. Kawamura, K. Kumasaka, R. Machida, and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018)) |
| [ 発表日付 ] 2018年5月29日 ～ 6月1日 |
| ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発 |
| [ 共同発表者名 ] 渡邊 一世,山下 良美,遠藤 聡,原 紳介,笠松 章史, 吉田 智洋,井上 和孝,中田 健,眞壁 勇夫,磯野 恭佑,岡 直希,原田 義彬,竹内 淳,町田 龍人,藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電気学会 電子デバイス研究会 |
| [ 発表日付 ] 2018年3月26日 ～ 3月27日 |
| GaSb薄膜／GaAs(100)基板上のInSb QDs形成の成長温度依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 伊藤 峰水，岩熊 陽，土屋 隆史，町田 龍人，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第65回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2018年3月17日 ～ 3月20日 |
| ALD-Al2O3膜の熱輸送特性 |
| [ 共同発表者名 ] 中島佑太, 内田紀行, 大石佑治, 町田龍人, 藤代博記, 服部淳一, 福田浩一, 前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第65回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2018年3月17日 ～ 3月20日 |
| Thermal transport characterization in Ge devices |
| [ 共同発表者名 ] Y. Nakajima、 N. Uchida、R. Machida、 H. Fujishiro、J. Hattori、K. Fukuda、T. Maeda |
| [ 学会・会議名 ] 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（EDIT23) |
| [ 発表日付 ] 2018年1月19日 ～ 1月21日 |
| アンチモン系トランジスタの開発 |
| [ 共同発表者名 ] 藤代 博記、磯野 恭佑、高橋 択斗、原田 義彬、岡 直希、竹内 淳、藤澤 由衣、藤川 紗千恵、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史 |
| [ 学会・会議名 ] 電子デバイス研究会-ミリ波･テラヘルツ波デバイス・システム- |
| [ 発表日付 ] 2017年12月18日 ～ 12月19日 |
| GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御 |
| [ 共同発表者名 ] 伊藤 峰水，鈴木 浩基，渡邊 優介，藤川 紗千恵，町田 龍人，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日 |
| GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製 |
| [ 共同発表者名 ] 町田 龍人，赤羽 浩一，渡邊 一世，原 紳介，藤川 紗千恵，笠松 章史，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日 |
| NiGe/Geコンタクト構造の熱輸送特性 |
| [ 共同発表者名 ] 中島 佑太, 内田 紀行, 町田 龍人, 藤代 博記, 服部 淳一, 福田 浩一, 前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日 |
| 低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響 |
| [ 共同発表者名 ] 渡邊 優介，椎野 響太，伊藤 峰水，鈴木 浩基，藤川 紗千恵，町田 龍人，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日 |
| Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価 |
| [ 共同発表者名 ] 石黒 稔也，藤川 紗千恵，王 科，前田 哲利，町田 龍人，藤代 博記，平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日 |
| LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響 |
| [ 共同発表者名 ] 遠藤 勇輝, 原田 義彬, 竹内 淳, 岩木 拓也, 町田 龍人, 藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年9月5日 ～ 9月8日 |
| InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure |
| [ 共同発表者名 ] N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017) |
| [ 発表日付 ] 2017年8月28日 ～ 8月31日 |
| Monte Carlo Study on Electron Transport Properties of GaxIn1-xSb HEMT Structures Considering Roughness Scattering |
| [ 共同発表者名 ] Y. Fujisawa, T. Takahashi, S. Kawamura, S. Fujikawa, and H.I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017)) |
| [ 発表日付 ] 2017年5月14日 ～ 5月18日 |
| Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017)) |
| [ 発表日付 ] 2017年5月14日 ～ 5月18日 |
| Fabrication of GaSb/AlGaSb Multi Quantum Wells Structure Grown on Si(100) Substrate Using Heteroepitaxial GaSb Thin-film and Dots Nucleation Layers |
| [ 共同発表者名 ] R. Machida, K. Akahane, I. Watanabe, S. Hara, S. Fujikawa, A. Kasamatsu, and H.I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017)) |
| [ 発表日付 ] 2017年5月14日 ～ 5月18日 |
| InSb/Ga0.35In0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価 |
| [ 共同発表者名 ] 岩木拓也, 原田義彬, 竹内 淳, 遠藤勇輝, 藤川紗千恵, 藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2017年3月14日 ～ 3月17日 |
| 3次元ICに向けた多結晶InSb nMOSFETの実現 |
| [ 共同発表者名 ] 高橋正紘, 入沢寿史, 張文馨, 富永淳二, 藤川紗千恵, 藤代博記, 前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT22) |
| [ 発表日付 ] 2017年1月20日 ～ 1月21日 |
| Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications |
| [ 共同発表者名 ] I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Hosako,H. Hamada, T. Kosugi, M. Yaita, A. E. Moutaouakil, H. Matsuzaki, O. Kagami,T. Takahashi, Y. Kawano, Y. Nakasha, N. Hara,D. Tsuji, K. Isono, S. Fujikawa, and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium |
| [ 発表日付 ] 2016年10月23日 ～ 10月26日 |
| Poly-InSb nMOSFETs for monolithic 3DIC |
| [ 共同発表者名 ] Masahiro Takahashi, Toshifumi Irisawa, Wen-Hsin Chang, Junji Tominaga, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, and Tatsuro Maeda |
| [ 学会・会議名 ] Solid State Devices and Materials (SSDM2016) |
| [ 発表日付 ] 2016年9月25日 ～ 9月29日 |
| InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro, |
| [ 学会・会議名 ] 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016) |
| [ 発表日付 ] 2016年9月4日 ～ 9月9日 |
| Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, J. Takeuchi, Y. Harada, and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016), |
| [ 発表日付 ] 2016年9月4日 ～ 9月9日 |
| アンチモン系トランジスタおよび関連技術に関する研究開発 |
| [ 共同発表者名 ] 渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，赤羽浩一，笠松章史，辻大介，町田龍人，竹鶴達哉，戸田隆介，磯野恭佑，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会 |
| [ 発表日付 ] 2016年8月5日 ～ 8月5日 |
| Electron transport properties of novel InSb/GaInSb composite channel high electron mobility transistor structures |
| [ 共同発表者名 ] J. Takeuchi, S. Fujikawa, Y. Harada and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 35rd Electronic Materials Symposium (EMS35) |
| [ 発表日付 ] 2016年7月6日 ～ 7月9日 |
| InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 共同発表者名 ] S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 35rd Electronic Materials Symposium (EMS35) |
| [ 発表日付 ] 2016年7月6日 ～ 7月9日 |
| InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film |
| [ 共同発表者名 ] K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, S. Fujikawa, I. Watanabe Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro, |
| [ 学会・会議名 ] The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016 |
| [ 発表日付 ] 2016年6月29日 |
| Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin-Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy |
| [ 共同発表者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] The International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS) 2016 |
| [ 発表日付 ] 2016年6月29日 |
