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フォーミングを必要としない抵抗変化メモリ (ReRAM)の作製に関する研究
[ 全著者名 ] 依田貴稔, 木下健太郎, 牧野達也, 土橋一史, 岸田悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
大面積透明フレキシブルオールGaドープZnO抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製と評価
[ 全著者名 ] 田中 隼人, 木下 健太郎, 奥谷 匠, 牧野 達也, 檜木 利雄, 大観 光徳, 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
フォーミングフリーReRAMにおけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係
[ 全著者名 ] 北村 健一, 木下 健太郎, 土橋 一史, 依田 貴稔, 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 3月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
Low Power and High Speed Switching of Ti-doped NiO ReRAM under the Unipolar Voltage Source of less than 3V
[ 全著者名 ] K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Iizuka, Y. Ito, A. Takahashi, A. Okano, Y. Sato, T. Fukano, M. Aoki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] IEEE, Tech. Digest International Electron Device Meeting (IEDM)
[ 掲載年月 ] 2008年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Reduction of Reset Current in NiO-ReRAM Brought about by Ideal Current Limiter
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, K. Tsunoda, Y. Sato, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Fukano, S. Yagaki, M. Aoki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE Nonvolatile Memory Workshop
[ 掲載年月 ] 2007年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
New Model proposed for Switching Mechanism of ReRAM
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Tamura, H. Aso, H. Noshiro, C. Yoshida, M. Aoki, Y. Sugiyama, H. Tanaka
[ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE Nonvolatile Memory Workshop
[ 掲載年月 ] 2006年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
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