Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 36 件中 31‐36 件目
| NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性 |
| [ 全著者名 ] 土橋 一史, 木下 健太郎*, 牧野達也, 奥谷 匠依田 貴稔, 花田 明紘, 岸田 悟 |
| [ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan |
| [ 掲載年月 ] 2010年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（日本語） |
| フォーミングを必要としない抵抗変化メモリ (ReRAM)の作製に関する研究 |
| [ 全著者名 ] 依田貴稔, 木下健太郎, 牧野達也, 土橋一史, 岸田悟 |
| [ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan |
| [ 掲載年月 ] 2010年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（日本語） |
| フォーミングフリーReRAMにおけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係 |
| [ 全著者名 ] 北村 健一, 木下 健太郎, 土橋 一史, 依田 貴稔, 岸田 悟 |
| [ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan |
| [ 掲載年月 ] 2010年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（日本語） |
| Low Power and High Speed Switching of Ti-doped NiO ReRAM under the Unipolar Voltage Source of less than 3V |
| [ 全著者名 ] K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Iizuka, Y. Ito, A. Takahashi, A. Okano, Y. Sato, T. Fukano, M. Aoki, Y. Sugiyama |
| [ 掲載誌名 ] IEEE, Tech. Digest International Electron Device Meeting (IEDM) |
| [ 掲載年月 ] 2008年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Reduction of Reset Current in NiO-ReRAM Brought about by Ideal Current Limiter |
| [ 全著者名 ] K. Kinoshita, K. Tsunoda, Y. Sato, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Fukano, S. Yagaki, M. Aoki, Y. Sugiyama |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE Nonvolatile Memory Workshop |
| [ 掲載年月 ] 2007年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| New Model proposed for Switching Mechanism of ReRAM |
| [ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Tamura, H. Aso, H. Noshiro, C. Yoshida, M. Aoki, Y. Sugiyama, H. Tanaka |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE Nonvolatile Memory Workshop |
| [ 掲載年月 ] 2006年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
