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Correlation between filament distribution and resistive switching properties in resistive random access memory consisting of binary transition-metal oxides
[ 全著者名 ] Hayato Tanaka, Kentaro Kinoshita, Masataka Yoshihara, and Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] AIP Advances
[ 掲載年月 ] 2012年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
HfO2-CB-RAMの基本メモリ特性
[ 全著者名 ] 鶴田 茂之 木下 健太郎 中林 竜也 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会論文誌C
[ 掲載年月 ] 2012年 3月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語)
Developmental Mechanism for the Resistance Change Effect in Perovskite Oxide-Based Resistive Random Access Memory Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Bulk Single Crystal
[ 全著者名 ] A. Hanada K. Kinoshita K. Matsubara T. Fukuhara S. Kishida
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2011年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Correlation between resistance-change effect in transition-metal oxides and secondary-electron contrast of scanning electron microscope images
[ 全著者名 ] K. Kinoshita T. Yoda S. Kishida
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2011年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
遷移金属酸化物における抵抗スイッチング現象と二次電子放出効率との相関関係
[ 全著者名 ] 依田貴稔 木下健太郎 土橋一史 北村健一 岸田悟
[ 掲載誌名 ] 表面科学
[ 掲載年月 ] 2011年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語)
銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム
[ 全著者名 ] 花田 明紘 木下 健太郎 松原 勝彦 福原 貴博 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] 表面科学
[ 掲載年月 ] 2011年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語)
Analysis on Data Storage Area of NiO-ReRAM with Secondary Electron Image
[ 全著者名 ] K. Kinoshita T. Makino T. Yoda K. Dobashi S. Kishida
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
[ 掲載年月 ] 2011年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Flexible and transparent ReRAM with GZO memory layer and GZO-electrodes on large PEN sheet
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Okutani, H. Tanaka, T. Hinoki, H. Agura, K. Yazawa, K. Ohmi, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Solid-State Electronics
[ 掲載年月 ] 2011年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Study on fabrication method of forming-free resistance random access memory
[ 全著者名 ] T. Yoda, K. Kinoshita, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Phys. Status Solidi C
[ 掲載年月 ] 2011年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Effect of organic-buffer-layer on electrical property and environmental reliability of Ga-doped ZnO films prepared by RF plasma assisted DC magnetron sputtering on plastic substrate
[ 全著者名 ] T. Hinoki, C. Kyuhara, H. Agura, K. Yazawa, K. Kinoshita, K. Ohmi, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Thin Solid Films
[ 掲載年月 ] 2010年 12月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Synthesis and Precise Analysis of Bi2Sr2Can-1CunOy Superconducting Whiskers
[ 全著者名 ] H. Tanaka, H. Yoshikawa, M. Kimura, C. Tsuruta, S. Fukushima, Y. Matsui, S. Nakagawa, K. Kinoshita, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Advances in Science and Technology
[ 掲載年月 ] 2010年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Analysis on resistive switching of resistive random access memory using visualization technique of data storage area with secondary electron image
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Makino, T. Yoda, K. Dobashi, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Advances in Science and Technology
[ 掲載年月 ] 2010年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
(35) GaドープZnO薄膜における不揮発性抵抗変化現象の成膜雰囲気依存性
[ 全著者名 ] 奥谷 匠, 木下 健太郎*, 田中 隼人, 牧野 達也, 檜木 利雄, 大観 光徳, 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語)
Ga doped ZnO thin films prepared by RF-Plasma assisted DC magnetron sputtering without heating substrates
[ 全著者名 ] T. Hinoki, K. Yazawa, K. Kinoshita, K. Ohmi, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI C
[ 掲載年月 ] 2010年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Mechanism of resistive memory effect in Ga doped ZnO thin films
[ 全著者名 ] K. Kinoshtia*, T. Hinoki, K. Yazawa, K. Ohmi, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI C
[ 掲載年月 ] 2010年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Opposite bias polarity dependence of resistive switching in n-type Ga-doped-ZnO and p-type NiO thin films
[ 全著者名 ] K. Kinoshtia, T. Okutani, H. Tanaka, T. Hinoki, K. Yazawa, K Ohmi, S Kishida
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS
[ 掲載年月 ] 2010年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Growth of Bi-2212 single crystals by a horizontal Bridgman method using different oxygen pressure
[ 全著者名 ] M. Fujiwara, T. Makino, T. Nakabayashi, H. Tanaka, K. Kinoshita, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Physica C
[ 掲載年月 ] 2009年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Cap effect of (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Oy thick films during post-annealing process
[ 全著者名 ] T. Tokuda, S. Honda*, K. Kinoshita, and S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Physica C
[ 掲載年月 ] 2009年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Dominant Failure Mechanism in Data Retention Characteristics of Resistance Change Memory Consisting of NiO at High Temperature
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, K. Tsunoda, H. Noshiro, Y. Sato, M. Aoki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] Applied Physics Express
[ 掲載年月 ] 2008年 12月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Direct observation of oxygen movement during resistance switching in NiO/Pt film
[ 全著者名 ] C. Yoshida, K. Kinoshita, T. Yamasaki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS
[ 掲載年月 ] 2008年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Reduction in the reset current in a resistive random access memory consisting of NiOx brought about by reducing a parasitic capacitance
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, K. Tsunoda, Y. Sato, H. Noshiro, S. Yagaki, M. Aoki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS
[ 掲載年月 ] 2008年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Sub-100-μA Reset Current of Nickel Oxide Resistive Memory Through Control of Filamentary Conductance by Current Limit of MOSFET
[ 全著者名 ] Y. Sato, K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, M. Aoki, and Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
[ 掲載年月 ] 2008年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Universal understanding of direct current transport properties of ReRAM based on a parallel resistance model
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, H. Noshiro, C. Yoshida, Y. Sato, M. Aoki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
[ 掲載年月 ] 2008年 3月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Dissipation of quantized vortex of high-Tc superconductors investigated by microwave impedance: Novel physics in nano-scale space
[ 全著者名 ] A. Maeda, H. Kitano, Y. Tsuchiya, K. Kinoshita, K. Shibata, T. Nishizaki, N. Kobayashi
[ 掲載誌名 ] Physica C
[ 掲載年月 ] 2007年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Effect of Nonmagnetic Impurities on the Electronic State of Quasiparticles Confined in the Naturally Prepared Nanostructure under Magnetic Field in YBa2Cu3Oy
[ 全著者名 ] A. Maeda, H. Kitano, K. Kinoshita, T. Nishizaki, K. Shibata, N. Kobayashi
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
[ 掲載年月 ] 2007年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Consideration of switching mechanism of binary metal oxide resistive junctions using a thermal reaction model
[ 全著者名 ] Y. Sato, K. Kinoshita, M. Aoki, Y. Sugiyama
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS
[ 掲載年月 ] 2007年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Bias polarity dependent data retention of resistive random access memory consisting of binary transition metal oxide
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, H. Tanaka
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS
[ 掲載年月 ] 2006年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Lowering the Switching Current of Resistance Random Access Memory Using a Hetero Junction Structure Consisting of Transition Metal Oxides
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, H. Tanaka
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2006年 9月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Impurity effect on the electronic state of the vortex core in the mixed state of YBa2Cu3Oy
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, Y. Tsuchiya, T. Hanaguri, H. Kitano, A. Maeda, K. Shibata, T. Nishizaki, N. Kobayashi
[ 掲載誌名 ] Physica C
[ 掲載年月 ] 2004年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Effect of impurities on the electronic structure of vortex core investigated by microwave surface impedance measurement
[ 全著者名 ] A. Maeda, K. Kinoshita, H. Kitano, Y. Kato, K. Shibata, T. Sato, T. Nishizaki, N. Kobayashiita
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2003年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
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