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0.2μmゲートBP-MESFETによる超高速分周器 |
[ 共同発表者名 ] 辻、四方、田中、西 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1990年 |
14Gb/s DCFL D-フリップフロップIC |
[ 共同発表者名 ] 四方、田中、辻、西 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1990年 |
0.2μmゲートAlGaAs/InGaAs Pseudomorphic 逆構造HEMT |
[ 共同発表者名 ] 辻、西 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1990年 |
A 36GHz 1/8 Frequency Driver with GaAs BP-MESFETs |
[ 共同発表者名 ] S.Nishi, H.Tsuji, M.Shikata, K.Tanaka |
[ 学会・会議名 ] IEDM Tech. |
[ 発表日付 ] 1990年 |
0.2μm Gate Pseudomorphic InGaAs/AlGaAs Inverted HEMTs |
[ 共同発表者名 ] H.Tsuji, S.Nishi |
[ 学会・会議名 ] Proc. 17th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds (Institute of Physics, Bristol, 1991) |
[ 発表日付 ] 1990年 |
A Sub-10ps/Gate DCFL Circuit with 0.2μm Gate GaAs MESFET |
[ 共同発表者名 ] H.Tsuji, H.Nakamura, S.Nishi |
[ 学会・会議名 ] Extended Abstracts of the 22th Conference on Solid State Devices and Materials |
[ 発表日付 ] 1990年 |
0.25μm Gate Inverted HEMTs for an Ultra-High Speed DCFL Dynamic Frequency Driver |
[ 共同発表者名 ] T.Saito, T.Ichioka, T.Tanaka, S.Nishi, Y.Sano |
[ 学会・会議名 ] |
[ 発表日付 ] 1989年 |
0.5μmゲート逆構造HEMTを用いた高速画像処理用LSI |
[ 共同発表者名 ] 市岡、関、斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1989年 |
ECRを用いたゲートリセスエッチングによる 0.25μmゲート逆構造HEMT |
[ 共同発表者名 ] 斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1988年 |
An 8bit 1GHz Digital to Analog Converter Using 0.5μm Gate Inverted HEMTs |
[ 共同発表者名 ] S.Seki, T.Saito, S.Nishi, Y.Sano |
[ 学会・会議名 ] IEDM Tech |
[ 発表日付 ] 1988年 |
GaAsMESFETおよび逆構造HEMTの高電界特性 |
[ 共同発表者名 ] 角谷、斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1988年 |
0.5μmゲート逆構造HEMTを用いた8ビットDAコンバータ |
[ 共同発表者名 ] 関、斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1988年 |
逆構造HEMTにおけるサイドゲート効果 |
[ 共同発表者名 ] 斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1988年 |
High Speed Inverted-HEMT Logic with a Sub-Half-Micron Gate |
[ 共同発表者名 ] T.Saito, S.Nishi, Y.Sano, K.Kaminishi |
[ 学会・会議名 ] Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, pp.267-270 |
[ 発表日付 ] 1987年 |
逆構造HEMTの短チャネル効果 |
[ 共同発表者名 ] 斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1987年 |
逆構造HEMTを用いた1.7ns 8×4ビット並列乗算器 |
[ 共同発表者名 ] 関、斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会半導体・材料部門全国大会 |
[ 発表日付 ] 1987年 |
0.5μmゲート長逆構造HEMTによる高速ロジック |
[ 共同発表者名 ] 斉藤、西、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1987年 |
Quarter-micron Gate Inverted HEMT for High Speed Ics |
[ 共同発表者名 ] T.Saito, S.Nishi, S.Seki, Y.Sano, K.Kaminishi |
[ 学会・会議名 ] Proc. 14th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds (Institute of Physics |
[ 発表日付 ] 1987年 |
High Performance Inverted HEMT and its Application to LSI |
[ 共同発表者名 ] S.Nishi, T.Saito, S.Seki, Y.Sano, T.Itoh, M.Akiyama, K.Kaminishi |
[ 学会・会議名 ] Proc. 13th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds (Institute of Physics |
[ 発表日付 ] 1986年 |
n+イオン注入セルフアラインHEMT |
[ 共同発表者名 ] 猪股、木村、栗林、伊東、西、高橋、上西 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1986年 |
逆構造HEMTの高gm化とLSIへの適用 |
[ 共同発表者名 ] 斉藤、西、猪股、伊藤、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1986年 |
ランプアニールを用いたn+イオン注入セルフアラインHEMT |
[ 共同発表者名 ] 猪股、西、高橋、上西 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1986年 |
MBE成長でのGaAsへのSiドープ特性とアニールによる効果 |
[ 共同発表者名 ] 猪股、西、秋山、上西 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1985年 |
GaAs/Si基板上へのGaAsパワーFETの作製 |
[ 共同発表者名 ] 猪股、西、秋山、高橋 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会春季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1985年 |
GaAs Power FETs Fabricated on a GaAs/Si Substrate |
[ 共同発表者名 ] S.Nishi, M.Akiyama, M.Itoh, S.Takahashi, K.Kaminishi |
[ 学会・会議名 ] Proc. 12th Int. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds (Institute of Physics, Bristol, 1986) |
[ 発表日付 ] 1985年 |
MBEによるSi基板上へのGaAsの成長 |
[ 共同発表者名 ] 西、猪股、秋山、上西 |
[ 学会・会議名 ] 応用物理学会秋季全国大会 |
[ 発表日付 ] 1984年 |
ETC用通信部MMIC |
[ 共同発表者名 ] 文、片柳、新井、関、木村 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会研究会 |
[ 発表日付 ] |
0.25μmゲート逆構造HEMTによる超高速分周器−作成プロセス− |
[ 共同発表者名 ] 西、斉藤、市岡、田中、佐野 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会研究会 |
[ 発表日付 ] |
10Gb/s光通信用位相検出器付き識別回路 |
[ 共同発表者名 ] 四方、西野、重政、西、牛窪 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会研究会 |
[ 発表日付 ] |
低電圧動作スードモルフィック逆構造HEMT |
[ 共同発表者名 ] 笠島、新井、中村、西 |
[ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会研究会 |
[ 発表日付 ] |