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Development and Application of “Soft” Probe for Various Types of Electric Measurements
[ 全著者名 ] Michiko Yoshitake, Yusuke Nakaune, and Kentaro Kinoshita
[ 掲載誌名 ] Journal of Surface Analysis
[ 掲載年月 ] 2019年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Studies on interface of Cu/Al and Al/SiO2/Si
[ 全著者名 ] Yoshinori Irie, Hiromi Tanaka, Kentaro Kinoshita, and Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] Procedia Engineering
[ 掲載年月 ] 2016年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Role of Anode on Resistance Switching Phenomenon of Metal Oxide Resistive Random Access Memory
[ 全著者名 ] Kentaro Kinoshita, Sang-Gyu Koh, Takumi Moriyama, Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] MRS, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2015年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Improving Memory Performance of Cu/HfO2/Pt Conducting-Bridge RAM by Solvent Substitution.", ECS Transactions
[ 全著者名 ] K. Kinoshita
[ 掲載誌名 ] ECS Transactions
[ 掲載年月 ] 2015年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
The Influence of Water Absorbed in Grain Boundary of a Polycrystalline NiO Layer on the Memory Characteristics of Pt/NiO/Pt Resistive Random Access Memory (ReRAM)
[ 全著者名 ] Ryosuke Ogata, Masataka Yoshihara, Naohiro Murayama, Satoru Kishida, Kentaro Kinoshita
[ 掲載誌名 ] MRS, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2014年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Extremely Small Resistive Random Access Memory Test Cell Structure with Removable and Movable Bottom Electrode
[ 全著者名 ] Sang-Gyu Kohl, Yusuke Sawai, Satoru Kishida, Kentaro Kinoshita
[ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE International Memory Workshop 2014
[ 掲載年月 ] 2014年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構
[ 全著者名 ] 花田明紘, 三浦寛基, 野津武志, 大沢仁志, 伊奈稔哲, 鈴木基寛, 河村直己, 水牧仁一郎, 宇留賀朋哉, 木村滋, 岸田悟, 木下健太郎
[ 掲載誌名 ] 表面科学
[ 掲載年月 ] 2014年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
A proposal for the concept of pore-engineering as a method for controlling memory characteristics of resistive switching memories
[ 全著者名 ] Kentaro KINOSHITA
[ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC)
[ 掲載年月 ] 2014年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Elucidation of Cu diffusion surface and path in monoclinic HfO2 conducting-bridge memory
[ 全著者名 ] S. Yura, T. Yamasaki, K. Nakada, A. Ishii, S. Kishida, K. Kinoshita
[ 掲載誌名 ] JPS Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2014年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Fabrication and Characterization of BaTiO3/Pt/C/Pt/Ti/SiO2 structures
[ 全著者名 ] Dai-ichiro YOSHIDA, Kentaro KINOSHITA, Satoru KISHIDA
[ 掲載誌名 ] JPS Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2014年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Analysis of memory effect induced by hydrogen annealing
[ 全著者名 ] Akihiro HANADA, Hiroki MIURA, Takeshi NOTSU, Satoru KISHIDA, Kentaro KINOSHITA
[ 掲載誌名 ] JPS Conference Proceedings
[ 掲載年月 ] 2014年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Memory Characteristics of Filament Confined in Tiny ReRAM Structure
[ 全著者名 ] S. G. Koh, K. Kinoshita, T. Fukuhara, Y. Sawai, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2013年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
微細キャパシタ構造におけるReRAMフィラメントのメモリ特性
[ 全著者名 ] 高 相圭, 木下 健太郎, 福原 貴博, 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2013年 3月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
Pulse Switching Property of Reset Process in Resistive Random Access Memory (ReRAM) Consisting of Binary-Transition-Metal-Oxides
[ 全著者名 ] Takumi Moriyama, Kentaro Kinoshita, Ryosuke Koishi and Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] ECS Transactions
[ 掲載年月 ] 2013年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Physical Properties Elucidation of Filaments in Conducting-Bridge Random Access Memory Consisting of Metal-Oxide
[ 全著者名 ] Sho Hasegawa, Kentaro Kinoshita, Shigeyuki Tsuruta, and Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] ECS Transactions
[ 掲載年月 ] 2013年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Correlation between Controllability of Reset Current and Electrostatic Energy Released from the Self Capacitance of Conducting Bridge Random Access Memory
[ 全著者名 ] Kentaro Kinoshita, Shigeyuki Tsuruta, Sho Hasegawa, Takahiro Fukuhara, Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2012年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
High-Speed and Multi-Bit Resistive Switching Brought about by Migration of Hydrogen Ions in Resistive Random Access Memory Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Single Crystal
[ 全著者名 ] Akihiro Hanada, Kentaro Kinoshita, Katsuhiko Matsubara, Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] Proceedings of IEEE International Memory Workshop
[ 掲載年月 ] 2012年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
遷移金属酸化物抵抗変化メモリ(ReRAM)におけるフィラメント分布と動作特性の関係
[ 全著者名 ] 田中 隼人 木下 健太郎 吉原 幹貴 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2012年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
Construction of high-performance systems with neural networks for detection of abnormal areas from chest X-ray images
[ 全著者名 ] T. Sasaki, K. Kinoshita, S. Kishida, Y. Hirata, S. Yamada
[ 掲載誌名 ] Proc. International Symposium on Intelligent Signal Processing and Communications Systems (ISPACS)
[ 掲載年月 ] 2012年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Resistance Change Caused by Electrochemically Induced Carrier Injection in NiO Films
[ 全著者名 ] T. Yoda, K. Kinoshita, T. Fukuhara, S. Kishida, N. Sawai, K. Honda
[ 掲載誌名 ] Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2012年 1月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Developmental Mechanism for the Memory Effect in Perovskite Oxide-Based ReRAM Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Bulk Single Crystal
[ 全著者名 ] Akihiro Hanada, Kentaro Kinoshita, Katsuhiko Matsubara, Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] Procedia Engineering
[ 掲載年月 ] 2012年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Micro-Fabrication Method of Josephson Junctions without Etching Process
[ 全著者名 ] Akihiro Hanada, Kentaro Kinoshita, Katsuhiko Matsubara, Satoru Kishida
[ 掲載誌名 ] Procedia Engineering
[ 掲載年月 ] 2012年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
BaTiO3薄膜の自立化に伴う特性変化
[ 全著者名 ] 吉田大一郎, 木下健太郎, 三浦寛基, 高橋智一, 岸田悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2012年
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
Effect of number of input layer units on performance of neural network systems for detection of abnormal areas from X-ray images of chest
[ 全著者名 ] T. Sasaki, K. Kinoshita, S. Kishida, Y. Hirata, S. Yamada
[ 掲載誌名 ] Proc. IEEE 5th International Conference on Cybernetics and Intelligent Systems
[ 掲載年月 ] 2011年 12月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Memory Retention Characteristics of Data Storage Area Written in Transition Metal Oxide Films by Using Atomic Force Microscope
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Yoda, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2011年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
Analysis on Resistance Change Mechanism of NiO-ReRAM Using Visualization Technique of Data Storage Area with Secondary Electron Image
[ 全著者名 ] K. Kinoshita, T. Makino, T. Yoda, K. Dobashi, S. Kishida
[ 掲載誌名 ] Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2011年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
A Proposal of a Parallel Resistance Model for the Conduction Mechanism of Binary Transition Metal Oxide ReRAM
[ 全著者名 ] Kentaro Kinoshita, Hideyuki Noshiro, Chikako Yoshida, Yoshihiro Sato, Masaki Aoki, Yoshihiro Sugiyama
[ 掲載誌名 ] Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[ 掲載年月 ] 2011年 2月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(外国語)
BaTiO3自立薄膜におけるクラック密度の低減と配向性の成長基板温度依存性
[ 全著者名 ] 出口恭平, 木下健太郎, 吉田大一郎, 花田明紘, 岸田悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 7月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
高周波マグネトロンスパッタ法によるBaTiO3/Pt 自立膜の作製と評価
[ 全著者名 ] 吉田大一郎*, 木下健太郎, 出口恭平, 高橋智一, 大観光徳, 岸田悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性
[ 全著者名 ] 土橋 一史, 木下 健太郎*, 牧野達也, 奥谷 匠依田 貴稔, 花田 明紘, 岸田 悟
[ 掲載誌名 ] Journal of the Vacuum Society of Japan
[ 掲載年月 ] 2010年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス(日本語)
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