Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 5 件中 1‐5 件目
| Demonstration of sputtered ScAlN/MOVPE-AlGaN/AlN/GaN HEMT |
| [ 全著者名 ] Takuya Maeda1, Yusuke Wakamoto, Kouei Kubota, Takahiko Kawahara, Shigeki Yoshida, Kozo Makiyama, Ken Nakata, Atsushi Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] 2025 Device Research Conference (DRC) |
| [ 掲載年月 ] 2025年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application |
| [ 全著者名 ] Takuya Maeda, Yusuke Wakamoto, Atsushi Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] 2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) |
| [ 掲載年月 ] 2024年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Epitaxial growth of NbN superconductors on lattice-matched AlN wide-bandgap semiconductors |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings Volume PC12421, Gallium Nitride Materials and Devices XVIII |
| [ 掲載年月 ] 2023年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| GaN-Based Light-Emitting Diodes with Graphene Buffers for Their Application to Large-Area Flexible Devices |
| [ 全著者名 ] J. Ohta, J.-W. Shon, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] IEICE Ttans. Electron. |
| [ 掲載年月 ] 2017年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Large Area Flexible Devices Based on Group-III Nitrides |
| [ 全著者名 ] Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta |
| [ 掲載誌名 ] 2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) |
| [ 掲載年月 ] 2016年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
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