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Influence of residual Ga2O3 and Cs on the increase in the maximum quantum efficiency of NEA-GaAs by a two-step thermal cleaning process
[ 全著者名 ] Y. Sada, M. Jono, D. Kobayashi, Y. Yoshitake, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 40th Symposium on Materials Science and Engineering
[ 掲載年月 ] 2022年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
ANALYTICAL STUDY ON TPD MEASUREMENTS DURING NEA ACTIVATION PROCESS
[ 全著者名 ] M. Jono, Y. Sada, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 39th Symposium on Materials Science and Engineering
[ 掲載年月 ] 2021年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
STUDY ON WORK FUNCTION AND CORRESPONDING ELECTRON EMISSION DURING NEA ACTIVATION OF GaAs SURFACE
[ 全著者名 ] Y. Sada, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 38th Symposium on Materials Science and Engineering
[ 掲載年月 ] 2020年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
FORMATION OF MICRO/NANO STRUCTURES ALLEY AND DEVELOPMENT OF SURFACE CLEANING PROCEDURE FOR NEA-GaAs SURFACES
[ 全著者名 ] D. Ishikawa, M. Hirao, H. Nishikawa, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 37th Symposium on Materials Science and Engineering
[ 掲載年月 ] 2019年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
EVALUATION BY THERMAL DESORPTION METHOD OF Cs-Sb COMPOUND PHOTOCATHODE DEPOSITED ON GaAs SUBSTRATE
[ 全著者名 ] M. Maeda, H. Iijima, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 37th Symposium on Materials Science and Engineering
[ 掲載年月 ] 2019年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
Photoemission properties of NEA-GaAs surfaces prepared by thermal pretreatment and successive NEA activation cycles; - Exploring novel NEA activation methods -
[ 全著者名 ] Y. Inagaki, K. Tanaka, H. Iijima, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 36th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
[ 掲載年月 ] 2018年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
Surface preparation of NEA-GaAs(100) by HCl-Isopropanol etching for STM observations
[ 全著者名 ] R. Fukuzoe, M. Hirao, D. Yamanaka, Y, Iwabuchi, H. Iijima, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 36th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
[ 掲載年月 ] 2018年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
Analysis of NEA-GaAs surface condition by TPD
[ 全著者名 ] Y. Inagaki, Y. Shimura, K. Tanaka, Y. Ikeda, D. Ishikawa, H. Iijima, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 35th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University
[ 掲載年月 ] 2017年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
Drastic Change of Quantum Efficiency of NEA-GaAs Surface after Successive Thermal Pretreatments and Contribution of its Surface Orientation.
[ 全著者名 ] Y. Inagagi, K. Tanaka, H. Iijima, T. Meouro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 34th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
[ 掲載年月 ] 2016年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
Scanning Tunneling Microscopic Study During Alternating Supply of Cs and O2 upon the As-terminated GaAs (001) (2x4) Reconsturcted Surfaces
[ 全著者名 ] T. Yazaki, J. Osako, D. Yamanaka, H. Yamazaki, H.Iijima, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 33rd Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
[ 掲載年月 ] 2015年 3月
[ 著作区分 ] その他著作
エネルギー分散型X線分析によるアルカリーアンチモンカソードの定量評価
[ 全著者名 ] 飯島北斗, 緑川早紀, 目黒多加志
[ 掲載誌名 ] 第11回日本加速器学会年会プロシーディングス
[ 掲載年月 ] 2014年 8月
[ 著作区分 ] その他著作
In situ Observation of Formation Process of NEA Surface of GaAs by Surface Photo-Absorption
[ 全著者名 ] K. Hayase, T. Nishitani, K. Suzuki, H. Imai, J. Hasegawa, D. Namba, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 31st Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University
[ 掲載年月 ] 2013年 5月
[ 著作区分 ] その他著作
A Study on NEA (Negative Electron Affinity) Nature on Textured Surfaces
[ 全著者名 ] M. Hirao, K. Hayase, F. Sekita, Y. Yamatani, T. Shiokawa, H. Akimoto, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] Proceedings of the 31st Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University
[ 掲載年月 ] 2013年 5月
[ 著作区分 ] その他著作
Effects of Slow Highly Charged Ion Impact Upon Highly Oriented Pyrolytic Graphite---Nanoscale Modification of Electronic States of Graphite Surface---
[ 全著者名 ] T. Meguro
[ 掲載誌名 ] 電気学会論文誌C
[ 掲載年月 ] 2007年
[ 著作区分 ] その他著作
Ion beam induced dry etching and possibility of highly charged ion beam
[ 全著者名 ] T. Meguro Y. Aoyagi
[ 掲載誌名 ] RIKEN REVIEW
[ 掲載年月 ] 2000年
[ 著作区分 ] その他著作
レーザーALE
[ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信
[ 掲載誌名 ] レーザー研究
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] その他著作
化合物半導体のMOCVD
[ 全著者名 ] 目黒多加志
[ 掲載誌名 ] 化学工学
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] その他著作
UV laser activated digital etching of GaAs
[ 全著者名 ] T. Meguro Y. Aoyagi
[ 掲載誌名 ] PROCEEDINGS OF SPIE
[ 掲載年月 ] 1996年
[ 著作区分 ] その他著作
波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング
[ 全著者名 ] 目黒多加志 石井真史 青柳克信
[ 掲載誌名 ] 応用物理
[ 掲載年月 ] 1995年
[ 著作区分 ] その他著作
GaAsデジタルエッチング技術
[ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信
[ 掲載誌名 ] SEMICONDUCTOR WORLD
[ 掲載年月 ] 1993年
[ 著作区分 ] その他著作
III-V族化合物半導体の表面精密加工技術(原子層エピタキシー)
[ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信
[ 掲載誌名 ] 真空
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] その他著作
原子層エピタキシャル成長技術
[ 全著者名 ] 目黒多加志 岩井荘八 青柳克信
[ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会誌
[ 掲載年月 ] 1992年
[ 著作区分 ] その他著作
デジタルエッチング
[ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信
[ 掲載誌名 ] 表面科学
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] その他著作
Beam assisted layer-by-layer controlled epitaxy and etching
[ 全著者名 ] T. Meguro Y. Aoyagi
[ 掲載誌名 ] MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] その他著作
GaAs AlAs及びAlGaAsのレーザー原子層結晶成長の表面過程
[ 全著者名 ] 青柳克信 岩井荘八 目黒多加志
[ 掲載誌名 ] 電気化学
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] その他著作
Atomic layer epitaxy and its growth mechanism of III-V compound semiconductors using laser-metalorganic vapor phase epitaxy
[ 全著者名 ] A. Hirata T. Arai T. Meguro S. Iwai Y. Aoyagi
[ 掲載誌名 ] BULLETIN OF SCIENCE AND ENGINEERING RESEARCH OF LABORATORIES IN WASEDA UNIVERSITY
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] その他著作
米国材料学会(MRS)1991年春季大会報告
[ 全著者名 ] "白木靖寛,目黒多加志"
[ 掲載誌名 ] 応用物理
[ 掲載年月 ] 1991年
[ 著作区分 ] その他著作
GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィ
[ 全著者名 ] 目黒多加志 岩井荘八 青柳克信 難波進
[ 掲載誌名 ] 化学工学
[ 掲載年月 ] 1990年
[ 著作区分 ] その他著作
MOVPE法を利用した原子層結晶成長
[ 全著者名 ] 目黒多加志 岩井荘八 青柳克信
[ 掲載誌名 ] プレーティングとコーティング
[ 掲載年月 ] 1989年
[ 著作区分 ] その他著作
レーザー誘起原子層結晶成長
[ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信
[ 掲載誌名 ] 表面技術
[ 掲載年月 ] 1989年
[ 著作区分 ] その他著作
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