Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 31 件中 1‐30 件目
| Influence of residual Ga2O3 and Cs on the increase in the maximum quantum efficiency of NEA-GaAs by a two-step thermal cleaning process |
| [ 全著者名 ] Y. Sada, M. Jono, D. Kobayashi, Y. Yoshitake, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 40th Symposium on Materials Science and Engineering |
| [ 掲載年月 ] 2022年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| ANALYTICAL STUDY ON TPD MEASUREMENTS DURING NEA ACTIVATION PROCESS |
| [ 全著者名 ] M. Jono, Y. Sada, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 39th Symposium on Materials Science and Engineering |
| [ 掲載年月 ] 2021年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| STUDY ON WORK FUNCTION AND CORRESPONDING ELECTRON EMISSION DURING NEA ACTIVATION OF GaAs SURFACE |
| [ 全著者名 ] Y. Sada, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 38th Symposium on Materials Science and Engineering |
| [ 掲載年月 ] 2020年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| FORMATION OF MICRO/NANO STRUCTURES ALLEY AND DEVELOPMENT OF SURFACE CLEANING PROCEDURE FOR NEA-GaAs SURFACES |
| [ 全著者名 ] D. Ishikawa, M. Hirao, H. Nishikawa, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 37th Symposium on Materials Science and Engineering |
| [ 掲載年月 ] 2019年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| EVALUATION BY THERMAL DESORPTION METHOD OF Cs-Sb COMPOUND PHOTOCATHODE DEPOSITED ON GaAs SUBSTRATE |
| [ 全著者名 ] M. Maeda, H. Iijima, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 37th Symposium on Materials Science and Engineering |
| [ 掲載年月 ] 2019年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Photoemission properties of NEA-GaAs surfaces prepared by thermal pretreatment and successive NEA activation cycles; - Exploring novel NEA activation methods - |
| [ 全著者名 ] Y. Inagaki, K. Tanaka, H. Iijima, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 36th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2018年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Surface preparation of NEA-GaAs(100) by HCl-Isopropanol etching for STM observations |
| [ 全著者名 ] R. Fukuzoe, M. Hirao, D. Yamanaka, Y, Iwabuchi, H. Iijima, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 36th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2018年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Analysis of NEA-GaAs surface condition by TPD |
| [ 全著者名 ] Y. Inagaki, Y. Shimura, K. Tanaka, Y. Ikeda, D. Ishikawa, H. Iijima, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 35th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2017年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Drastic Change of Quantum Efficiency of NEA-GaAs Surface after Successive Thermal Pretreatments and Contribution of its Surface Orientation. |
| [ 全著者名 ] Y. Inagagi, K. Tanaka, H. Iijima, T. Meouro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 34th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Scanning Tunneling Microscopic Study During Alternating Supply of Cs and O2 upon the As-terminated GaAs (001) (2x4) Reconsturcted Surfaces |
| [ 全著者名 ] T. Yazaki, J. Osako, D. Yamanaka, H. Yamazaki, H.Iijima, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 33rd Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2015年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| エネルギー分散型X線分析によるアルカリーアンチモンカソードの定量評価 |
| [ 全著者名 ] 飯島北斗, 緑川早紀, 目黒多加志 |
| [ 掲載誌名 ] 第11回日本加速器学会年会プロシーディングス |
| [ 掲載年月 ] 2014年 8月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| In situ Observation of Formation Process of NEA Surface of GaAs by Surface Photo-Absorption |
| [ 全著者名 ] K. Hayase, T. Nishitani, K. Suzuki, H. Imai, J. Hasegawa, D. Namba, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 31st Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2013年 5月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| A Study on NEA (Negative Electron Affinity) Nature on Textured Surfaces |
| [ 全著者名 ] M. Hirao, K. Hayase, F. Sekita, Y. Yamatani, T. Shiokawa, H. Akimoto, T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] Proceedings of the 31st Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University |
| [ 掲載年月 ] 2013年 5月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Effects of Slow Highly Charged Ion Impact Upon Highly Oriented Pyrolytic Graphite---Nanoscale Modification of Electronic States of Graphite Surface--- |
| [ 全著者名 ] T. Meguro |
| [ 掲載誌名 ] 電気学会論文誌C |
| [ 掲載年月 ] 2007年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Ion beam induced dry etching and possibility of highly charged ion beam |
| [ 全著者名 ] T. Meguro Y. Aoyagi |
| [ 掲載誌名 ] RIKEN REVIEW |
| [ 掲載年月 ] 2000年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| レーザーＡＬＥ |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] レーザー研究 |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 化合物半導体のMOCVD |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 |
| [ 掲載誌名 ] 化学工学 |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| UV laser activated digital etching of GaAs |
| [ 全著者名 ] T. Meguro Y. Aoyagi |
| [ 掲載誌名 ] PROCEEDINGS OF SPIE |
| [ 掲載年月 ] 1996年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 波長可変レーザーと塩素を用いたGaAsの原子層エッチング |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 石井真史 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] 応用物理 |
| [ 掲載年月 ] 1995年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| GaAsデジタルエッチング技術 |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] SEMICONDUCTOR WORLD |
| [ 掲載年月 ] 1993年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| III-V族化合物半導体の表面精密加工技術（原子層エピタキシー） |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] 真空 |
| [ 掲載年月 ] 1992年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 原子層エピタキシャル成長技術 |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 岩井荘八 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会誌 |
| [ 掲載年月 ] 1992年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| デジタルエッチング |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] 表面科学 |
| [ 掲載年月 ] 1991年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Beam assisted layer-by-layer controlled epitaxy and etching |
| [ 全著者名 ] T. Meguro Y. Aoyagi |
| [ 掲載誌名 ] MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS |
| [ 掲載年月 ] 1991年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| GaAs AlAs及びAlGaAsのレーザー原子層結晶成長の表面過程 |
| [ 全著者名 ] 青柳克信 岩井荘八 目黒多加志 |
| [ 掲載誌名 ] 電気化学 |
| [ 掲載年月 ] 1991年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Atomic layer epitaxy and its growth mechanism of III-V compound semiconductors using laser-metalorganic vapor phase epitaxy |
| [ 全著者名 ] A. Hirata T. Arai T. Meguro S. Iwai Y. Aoyagi |
| [ 掲載誌名 ] BULLETIN OF SCIENCE AND ENGINEERING RESEARCH OF LABORATORIES IN WASEDA UNIVERSITY |
| [ 掲載年月 ] 1991年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 米国材料学会(MRS)1991年春季大会報告 |
| [ 全著者名 ] "白木靖寛，目黒多加志" |
| [ 掲載誌名 ] 応用物理 |
| [ 掲載年月 ] 1991年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィ |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 岩井荘八 青柳克信 難波進 |
| [ 掲載誌名 ] 化学工学 |
| [ 掲載年月 ] 1990年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| ＭＯＶＰＥ法を利用した原子層結晶成長 |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 岩井荘八 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] プレーティングとコーティング |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| レーザー誘起原子層結晶成長 |
| [ 全著者名 ] 目黒多加志 青柳克信 |
| [ 掲載誌名 ] 表面技術 |
| [ 掲載年月 ] 1989年 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
