Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 125 件中 1‐30 件目
| Interface engineering of ScAlN/GaN ferroelectric heterostructures using epitaxial Sc bottom electrodes |
| [ 全著者名 ] Ryota Yamamoto, Sawaki Sato, Ginji Yoshizaki, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Japanese Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 2026年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Phase-selective sputter epitaxy of δ-NbN, γ-Nb4N3, and β-Nb2N on atomically flat AlN |
| [ 全著者名 ] Y. Kato, K. Masuzawa, T. Harada, H. Miyake, A. Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 2026年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High-density two-dimensional electron gas in ScAlN/GaN heterostructures grown by sputter epitaxy with enhanced metal supply |
| [ 全著者名 ] T. Okuda, K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, K. Ikeda, T. Maeda, A. Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2026年 4月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Carrier trapping effects in the electrical characteristics of ScAlN thin films grown on n+-GaN/sapphire substrates by sputtering |
| [ 全著者名 ] K. Joya, S. Sato, A. Kobayashi, T. Maeda |
| [ 掲載誌名 ] Japanese Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 2026年 4月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Structural and ferroelectric properties of sputter-epitaxial ScAlN on GaN grown at various temperatures |
| [ 全著者名 ] S. Sato, Y. Wakamoto, T. Maeda, H. Funakubo, K. Ueno, H. Fujioka, K. Ikeda, A. Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2026年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Enhanced transport properties in GaN heterostructures with sputter-epitaxy-grown ScAlN barriers via thermal annealing |
| [ 全著者名 ] T. Okuda, S. Ota, K. Kubouta, Y. Wakamoto, S. Hashimoto, T. Seki, S. Toyama, N. Shibata, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, K. Ikeda, T. Maeda, A. Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2025年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Structural evolution in sputter-epitaxial ScAlN films on GaN/SiC substrates |
| [ 全著者名 ] S. Fukuda, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, A. Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Japanese Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 2025年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effect of growth temperature on the structural and electrical properties of sputter-epitaxial ScAlN on AlGaN/AlN/GaN heterostructures |
| [ 全著者名 ] Shunsuke Ota, Tomoya Okuda, Kouei Kubota, Yusuke Wakamoto, Takuya Maeda, Takahiko Kawahara, Kozo Makiyama, Ken Nakata, Atsushi Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] APL Materials |
| [ 掲載年月 ] 2025年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high electron mobility transistor structures |
| [ 全著者名 ] Tomoya Okuda, Shunsuke Ota, Takahiko Kawahara, Kozo Makiyama, Ken Nakata, Takuya Maeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2025年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Yoshio Honda |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (a) |
| [ 掲載年月 ] 2025年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1−xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method |
| [ 全著者名 ] Takuya Maeda, Yusuke Wakamoto, Shota Kaneki, Hajime Fujikura, Atsushi Kobayashi |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2024年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Hole Conduction Mechanism in In–Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition |
| [ 全著者名 ] Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (a) |
| [ 掲載年月 ] 2024年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts |
| [ 全著者名 ] Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (a) |
| [ 掲載年月 ] 2024年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2023年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Preparation of degenerate n-type AlxGa1−xN (0 < x ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition |
| [ 全著者名 ] Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2023年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Positive impurity size effect in degenerate Sn-doped GaN prepared by pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2023年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Takuya Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] ACS Applied Electronic Materials |
| [ 掲載年月 ] 2023年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Electrical properties of N-polar Si-doped GaN prepared by pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno, Yusuke Masuda, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2023年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Schottky barrier height engineering in vertical p-type GaN Schottky barrier diodes for high-temperature operation up to 800 K |
| [ 全著者名 ] Kohei Aoyama Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2022年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Crystal‐Phase Controlled Epitaxial Growth of NbNx Superconductors on Wide‐Bandgap AlN Semiconductors |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Takahito Takeda, Masaki Kobayashi, Takayuki Harada, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Advanced Materials Interfaces |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Epitaxial growth of superconducting NbN on wide-bandgap AlN |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] JSAP Review |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| AlNワイドギャップ半導体上へのNbN超伝導体エピタキシャル成長 |
| [ 全著者名 ] 小林 篤, 上野 耕平, 藤岡 洋 |
| [ 掲載誌名 ] 応用物理 |
| [ 掲載年月 ] 2022年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（日本語） |
| AlN/Al0.5Ga0.5N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2022年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN |
| [ 全著者名 ] Shunya Kihira, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Crystal Growth & Design |
| [ 掲載年月 ] 2022年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Ultrathin rock-salt type NbN films grown on atomically flat AlN/sapphire substrates |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Crystal Growth |
| [ 掲載年月 ] 2021年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High Electron Mobility AlN on Sapphire (0001) with a Low Dislocation Density Prepared via Sputtering and High‐Temperature Annealing |
| [ 全著者名 ] Yuya Sakurai Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Kenjiro Uesugi Hideto Miyake Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (a) |
| [ 掲載年月 ] 2021年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Pulsed sputtering growth of heavily Si-doped GaN (20 2? 1) for tunneling junction contacts on semipolar InGaN (20 2? 1) LEDs |
| [ 全著者名 ] Soichiro Morikawa Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2021年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes |
| [ 全著者名 ] Taiga Fudetani Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2021年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno Keita Shibahara Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2021年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2020年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
