Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 79 件中 1‐30 件目
Adsorption structure deteriorating negative electron affinity under the H2O environment |
[ 全著者名 ] M. Kashima, S. Ishiyama, D. Sato, A. Koizumi, H. Iijima, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano, T. Meguro |
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS |
[ 掲載年月 ] 2022年 10月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Residual Ga2O3 and Cs contribution to increase in maximum quantum efficiency of NEA-GaAs surface formed through two-step thermal cleaning process |
[ 全著者名 ] Y. Sada, M. Jono, D. Kobayashi, Y. Yoshitake, T. Meguro |
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE |
[ 掲載年月 ] 2022年 6月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O2 |
[ 全著者名 ] Masahiro Kashima, Yuya Itokawa, Toshiya Kanai, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE |
[ 掲載年月 ] 2022年 6月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces |
[ 全著者名 ] Y. Sada, T. Meguro |
[ 掲載誌名 ] APPL SURF SCI |
[ 掲載年月 ] 2020年 5月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Study on surface processes and photoemission properties of NEA-GaAs after repetitive sequence of thermal pretreatment and NEA activation |
[ 全著者名 ] Yuta Inagaki, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
[ 掲載年月 ] 2020年 4月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Preparation of Ga-terminated negative electron affinity-GaAs (100) surface by HCl-isopropanol treatment for nanoanalysis by scanning tunneling microscopy |
[ 全著者名 ] Ryutaro Fukuzoe, Masayuki Hirao, Daichi Yamanaka, Youta Iwabuchi, Hokuto Iijima, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B |
[ 掲載年月 ] 2018年 11月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method |
[ 全著者名 ] Masahiro Kashima, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hokuto Iijima, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B |
[ 掲載年月 ] 2018年 11月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Contribution of Treatment Temperature on Quantum Efficiency of Negative Electron Affinity (NEA)-GaAs |
[ 全著者名 ] Yuma INAGAKI, Kazuya HAYASE, Ryosuke CHIBA, Hokuto IIJIMA, Takashi MEGURO |
[ 掲載誌名 ] IEICE Transactions on Electronics |
[ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
STM Study on Adsorption Structures of Cs on the As-Terminated GaAs(001) (2×4) Surface by Alternating Supply of Cs and O2 |
[ 全著者名 ] Masayuki HIRAO, Daichi YAMANAKA, Takanori YAZAKI, Jun OSAKO, Hokuto IIJIMA, Takao SHIOKAWA, Hikota AKIMOTO, Takashi MEGURO |
[ 掲載誌名 ] IEICE Transactions on Electronics |
[ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode |
[ 全著者名 ] Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano, Takuya Maekawa, Makoto Kuwahara, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B |
[ 掲載年月 ] 2014年 11月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
In situ Observation of Formation Process of Negative Electron Affinity Surface of GaAs by Surface Photo-Absorption |
[ 全著者名 ] Kazuya Hayase, Tomohiro Nishitani, Katsunari Suzuki, Hironobu Imai, Jun-ichi Hasegawa, Daiki Namba, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
[ 掲載年月 ] 2013年 6月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
GaN 半導体型フォトカソードの量子効率の劣化現象と波長依存性 |
[ 全著者名 ] 早瀬 和哉、西谷 智博、目黒多加志 |
[ 掲載誌名 ] 電気学会論文誌 |
[ 掲載年月 ] 2012年 8月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語) |
High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathode |
[ 全著者名 ] Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, Takashi Meguro |
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
[ 掲載年月 ] 2009年 6月 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Structure analysis of self-assembled ErSi2 nanowires formed on Si (110) substrates |
[ 全著者名 ] Y.Katayama R.Watanabe T.Kobayashi T.Meguro X.W.Zhao |
[ 掲載誌名 ] ELEC. ENG. JPN. |
[ 掲載年月 ] 2009年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Oxidation and photoluminescence of ErSi2 nanowires formed on Si substrates |
[ 全著者名 ] Y. Katayama, S. Harako, T. Kobayashi, T. Meguro, S. Komuro and X. W. Zhao |
[ 掲載誌名 ] MICROELECTRONIC ENGINEERING |
[ 掲載年月 ] 2009年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
The mechanism of protrusion formation on PTFE surface by ion beam irradiation |
[ 全著者名 ] A.Kitamura T.Kobayashi T.Meguro A.Suzuki T.Terai |
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY |
[ 掲載年月 ] 2009年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Control of cell behavior on PTFE surface using ion beam irradiation |
[ 全著者名 ] A. Kitamura, T. Kobayashi, T. Meguro, A. Suzuki and T. Terai |
[ 掲載誌名 ] NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS |
[ 掲載年月 ] 2009年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Ion irradiation effecs on carbon nanotube dispersed polyimide thin films |
[ 全著者名 ] T.Kobayashi H.Hirao S.Suzuki T.Terai T.Meguro |
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY |
[ 掲載年月 ] 2009年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Surface modification and cell adhesion of PTFE using ion-beam irradiation |
[ 全著者名 ] A. Kitamura T. Kobayashi T. Meguro A. Suzuki T. Terai |
[ 掲載誌名 ] TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN |
[ 掲載年月 ] 2008年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Electrical properties of ErSi2 nanowires formed on Si substrates |
[ 全著者名 ] Y. Katayama T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao |
[ 掲載誌名 ] MICROELECTRONIC ENGINEERING |
[ 掲載年月 ] 2008年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Formation of convex micro- and nano-disk by atmospheric plasma system. |
[ 全著者名 ] T.Meguro N.Tsuji S.Saito Y.Yamamoto T.Mise K.Watanabe |
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY |
[ 掲載年月 ] 2008年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Atomic structure analysis of ErSi2 nanowires formed on Si(100) substrates. |
[ 全著者名 ] Y. Katayama S. Yokoyama T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao |
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
[ 掲載年月 ] 2008年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
A New Approach for Preventing Charging Up of Soft Material Samples by Coating with Conducting Polymers in SIMS Analysis |
[ 全著者名 ] T. Mise M. Ishikawa K. Nishimoto T. Meguro |
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE |
[ 掲載年月 ] 2008年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Atomic structure analysis of self-assembled ErSi2 nanowires formed on Si substrates |
[ 全著者名 ] R. Watanabe Y. Katayama S. Yokoyama T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao |
[ 掲載誌名 ] MICROELECTRONIC ENGINEERING |
[ 掲載年月 ] 2007年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Highly charged ion induced surface nano-modification |
[ 全著者名 ] T. Meguro K. Kobashi T. Ishii Y. Yamamoto H. Takai M. Iwaki |
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY |
[ 掲載年月 ] 2007年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
自己組織化によってSi(110)基板上に作製したErSi2ナノワイヤーの構造解析 |
[ 全著者名 ] 片山佑介 渡邊亮基 小林知洋 目黒多加志 趙新為 |
[ 掲載誌名 ] 電気学会論文誌C |
[ 掲載年月 ] 2007年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語) |
Cell adhesion to nitrogen-doped DLCs fabricated by a plasma-based ion implantation and deposition method using toluene gas |
[ 全著者名 ] T. Yokota T. Terai T. Kobayashi T. Meguro M. Iwaki |
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY |
[ 掲載年月 ] 2007年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Formation and Structure Analysis of Very Long ErSi2 Nanowires Formed on Si(110) Substrates |
[ 全著者名 ] R. Watanabe S. Harako T. Kuzuu K. Kouno T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao |
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
[ 掲載年月 ] 2006年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Nanoscale modification of electronic states of HOPG by the single impact of HCI |
[ 全著者名 ] T. Meguro Y. Yamaguchi H. Fukagawa Y. Yamaguchi H. Takai N. Hanano Y. Yamamoto K. Kobashi T. Ishii |
[ 掲載誌名 ] NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIO |
[ 掲載年月 ] 2005年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |
Optogalvanic spectroscopy of silicon atoms |
[ 全著者名 ] Y. Ueda H. Kumagai T. Meguro K. Midorikawa M. Obara |
[ 掲載誌名 ] NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIO |
[ 掲載年月 ] 2004年 |
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語) |