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Adsorption structure deteriorating negative electron affinity under the H2O environment
[ 全著者名 ] M. Kashima, S. Ishiyama, D. Sato, A. Koizumi, H. Iijima, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS
[ 掲載年月 ] 2022年 10月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Residual Ga2O3 and Cs contribution to increase in maximum quantum efficiency of NEA-GaAs surface formed through two-step thermal cleaning process
[ 全著者名 ] Y. Sada, M. Jono, D. Kobayashi, Y. Yoshitake, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2022年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O2
[ 全著者名 ] Masahiro Kashima, Yuya Itokawa, Toshiya Kanai, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2022年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces
[ 全著者名 ] Y. Sada, T. Meguro
[ 掲載誌名 ] APPL SURF SCI
[ 掲載年月 ] 2020年 5月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Study on surface processes and photoemission properties of NEA-GaAs after repetitive sequence of thermal pretreatment and NEA activation
[ 全著者名 ] Yuta Inagaki, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2020年 4月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Preparation of Ga-terminated negative electron affinity-GaAs (100) surface by HCl-isopropanol treatment for nanoanalysis by scanning tunneling microscopy
[ 全著者名 ] Ryutaro Fukuzoe, Masayuki Hirao, Daichi Yamanaka, Youta Iwabuchi, Hokuto Iijima, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
[ 掲載年月 ] 2018年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method
[ 全著者名 ] Masahiro Kashima, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hokuto Iijima, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
[ 掲載年月 ] 2018年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Contribution of Treatment Temperature on Quantum Efficiency of Negative Electron Affinity (NEA)-GaAs
[ 全著者名 ] Yuma INAGAKI, Kazuya HAYASE, Ryosuke CHIBA, Hokuto IIJIMA, Takashi MEGURO
[ 掲載誌名 ] IEICE Transactions on Electronics
[ 掲載年月 ] 2016年 3月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
STM Study on Adsorption Structures of Cs on the As-Terminated GaAs(001) (2×4) Surface by Alternating Supply of Cs and O2
[ 全著者名 ] Masayuki HIRAO, Daichi YAMANAKA, Takanori YAZAKI, Jun OSAKO, Hokuto IIJIMA, Takao SHIOKAWA, Hikota AKIMOTO, Takashi MEGURO
[ 掲載誌名 ] IEICE Transactions on Electronics
[ 掲載年月 ] 2016年 3月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathode
[ 全著者名 ] Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano, Takuya Maekawa, Makoto Kuwahara, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
[ 掲載年月 ] 2014年 11月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
In situ Observation of Formation Process of Negative Electron Affinity Surface of GaAs by Surface Photo-Absorption
[ 全著者名 ] Kazuya Hayase, Tomohiro Nishitani, Katsunari Suzuki, Hironobu Imai, Jun-ichi Hasegawa, Daiki Namba, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2013年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
GaN 半導体型フォトカソードの量子効率の劣化現象と波長依存性
[ 全著者名 ] 早瀬 和哉、西谷 智博、目黒多加志
[ 掲載誌名 ] 電気学会論文誌
[ 掲載年月 ] 2012年 8月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語)
High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathode
[ 全著者名 ] Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Yuji Suzuki, Kazuya Motoki, Takashi Meguro
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2009年 6月
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Structure analysis of self-assembled ErSi2 nanowires formed on Si (110) substrates
[ 全著者名 ] Y.Katayama R.Watanabe T.Kobayashi T.Meguro X.W.Zhao
[ 掲載誌名 ] ELEC. ENG. JPN.
[ 掲載年月 ] 2009年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Oxidation and photoluminescence of ErSi2 nanowires formed on Si substrates
[ 全著者名 ] Y. Katayama, S. Harako, T. Kobayashi, T. Meguro, S. Komuro and X. W. Zhao
[ 掲載誌名 ] MICROELECTRONIC ENGINEERING
[ 掲載年月 ] 2009年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
The mechanism of protrusion formation on PTFE surface by ion beam irradiation
[ 全著者名 ] A.Kitamura T.Kobayashi T.Meguro A.Suzuki T.Terai
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
[ 掲載年月 ] 2009年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Control of cell behavior on PTFE surface using ion beam irradiation
[ 全著者名 ] A. Kitamura, T. Kobayashi, T. Meguro, A. Suzuki and T. Terai
[ 掲載誌名 ] NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
[ 掲載年月 ] 2009年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Ion irradiation effecs on carbon nanotube dispersed polyimide thin films
[ 全著者名 ] T.Kobayashi H.Hirao S.Suzuki T.Terai T.Meguro
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
[ 掲載年月 ] 2009年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Surface modification and cell adhesion of PTFE using ion-beam irradiation
[ 全著者名 ] A. Kitamura T. Kobayashi T. Meguro A. Suzuki T. Terai
[ 掲載誌名 ] TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN
[ 掲載年月 ] 2008年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Electrical properties of ErSi2 nanowires formed on Si substrates
[ 全著者名 ] Y. Katayama T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao
[ 掲載誌名 ] MICROELECTRONIC ENGINEERING
[ 掲載年月 ] 2008年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Formation of convex micro- and nano-disk by atmospheric plasma system.
[ 全著者名 ] T.Meguro N.Tsuji S.Saito Y.Yamamoto T.Mise K.Watanabe
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
[ 掲載年月 ] 2008年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Atomic structure analysis of ErSi2 nanowires formed on Si(100) substrates.
[ 全著者名 ] Y. Katayama S. Yokoyama T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2008年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
A New Approach for Preventing Charging Up of Soft Material Samples by Coating with Conducting Polymers in SIMS Analysis
[ 全著者名 ] T. Mise M. Ishikawa K. Nishimoto T. Meguro
[ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE
[ 掲載年月 ] 2008年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Atomic structure analysis of self-assembled ErSi2 nanowires formed on Si substrates
[ 全著者名 ] R. Watanabe Y. Katayama S. Yokoyama T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao
[ 掲載誌名 ] MICROELECTRONIC ENGINEERING
[ 掲載年月 ] 2007年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Highly charged ion induced surface nano-modification
[ 全著者名 ] T. Meguro K. Kobashi T. Ishii Y. Yamamoto H. Takai M. Iwaki
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
[ 掲載年月 ] 2007年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
自己組織化によってSi(110)基板上に作製したErSi2ナノワイヤーの構造解析
[ 全著者名 ] 片山佑介 渡邊亮基 小林知洋 目黒多加志 趙新為
[ 掲載誌名 ] 電気学会論文誌C
[ 掲載年月 ] 2007年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(日本語)
Cell adhesion to nitrogen-doped DLCs fabricated by a plasma-based ion implantation and deposition method using toluene gas
[ 全著者名 ] T. Yokota T. Terai T. Kobayashi T. Meguro M. Iwaki
[ 掲載誌名 ] SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
[ 掲載年月 ] 2007年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Formation and Structure Analysis of Very Long ErSi2 Nanowires Formed on Si(110) Substrates
[ 全著者名 ] R. Watanabe S. Harako T. Kuzuu K. Kouno T. Kobayashi T. Meguro X.W. Zhao
[ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
[ 掲載年月 ] 2006年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Nanoscale modification of electronic states of HOPG by the single impact of HCI
[ 全著者名 ] T. Meguro Y. Yamaguchi H. Fukagawa Y. Yamaguchi H. Takai N. Hanano Y. Yamamoto K. Kobashi T. Ishii
[ 掲載誌名 ] NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIO
[ 掲載年月 ] 2005年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
Optogalvanic spectroscopy of silicon atoms
[ 全著者名 ] Y. Ueda H. Kumagai T. Meguro K. Midorikawa M. Obara
[ 掲載誌名 ] NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIO
[ 掲載年月 ] 2004年
[ 著作区分 ] レフェリー付学術論文(外国語)
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