Top > Back > 学会発表 の検索結果 99 件中 1‐30 件目
| Phase-Selective Sputter Epitaxy of Superconducting NbNx and Nb(Al, Sc)Nx on AlN |
| [ 共同発表者名 ] Yuki Kato, Koryo Masuzawa, Takayuki Harada, Hideto Miyake, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月13日 ~ 11月13日 |
| Epitaxial Growth of NbAlN/GaN Heterostructures by Sputtering |
| [ 共同発表者名 ] Souta Kurogi, Riku Kikuchi, Takahiro Kawamura, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月13日 ~ 11月13日 |
| Transition-Metal-Containing Polar NbAlN Barriers for Carrier-Density Engineering in GaN Heterostructures |
| [ 共同発表者名 ] Atsushi Kobayashi, Tomoya Okuda, Souta Kurogi, Riku Kikuchi, Yusuke Wakamoto, Kouei Kubota, Hikaru Sasaki, Kazuhisa Ikeda, Kanako Shojiki, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Takehito Seki, Takuya Maeda |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月13日 ~ 11月13日 |
| B-Composition-Dependent Structural Evolution of Sputter-Epitaxial BAlN Films on GaN |
| [ 共同発表者名 ] Kazuhisa Ikeda, Yuto Shibuya, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月12日 ~ 11月12日 |
| Hall Effect Properties and Shubnikov-de Haas Oscillations of 2DEG in ScAlN/AlGaN/AlN/GaN and NbAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructures |
| [ 共同発表者名 ] Yusuke Wakamoto, Kouei Kubota, Tomoya Okuda, Souta Kurogi, Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月12日 ~ 11月12日 |
| Ferroelectric Properties of Sputter-Grown ScAlN Films on n-Type GaN: Effects of Growth Temperature and an AlN Interlayer |
| [ 共同発表者名 ] Sawaki Sato, Kazuhisa Ikeda, Kosuke Joya, Takuya Maeda, Hiroshi Funakubo, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月11日 ~ 11月11日 |
| Structural Characterization of ε-NbN and β-Nb2N Thin Films Grown on GaN by Sputtering |
| [ 共同発表者名 ] Takeru Kodama, Koryo Masuzawa, Yuki Kato, Takayuki Harada, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月10日 ~ 11月10日 |
| First-Principles Study of Structural Stability and Electronic Structure of NbAlN Alloys |
| [ 共同発表者名 ] Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Riku Kikuchi, Souta Kurogi, Atsushi Kobayashi, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa |
| [ 学会・会議名 ] International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年11月9日 ~ 11月9日 |
| NbAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合における2DEGのShubnikov-de Haas振動 |
| [ 共同発表者名 ] 若本 裕介, 奥田 朋也, 黒木 颯太, 小林 篤, 前田 拓也 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月10日 ~ 9月10日 |
| X線分光測定による新規窒化物電子材料(ScAlN, NbAlN)の表面酸化状態の評価 |
| [ 共同発表者名 ] 佐々木 洸, 武田 崇仁, 棟方 晟啓, 久保田 航瑛, 城谷 光亮, 藤 友哉, 奥田 朋也, 黒木 颯太, 小林 正起, 藤森 淳, 小林 篤, 中根 了昌, 杉山 正和, 前田 拓也 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月10日 ~ 9月10日 |
| AlN中間層膜厚を変化させたScAlN/AlN/GaNヘテロ構造の強誘電性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 佐藤 早和紀, 池田 和久, 城谷 光亮, 前田 拓也, 舟窪 浩, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月9日 ~ 9月9日 |
| スパッタ法によるSiC基板上へのBAlN薄膜のエピタキシャル成長 |
| [ 共同発表者名 ] 池田 和久, 渋谷 悠人, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月9日 ~ 9月9日 |
| GaN上スパッタ成長NbAlN薄膜の構造特性の成長温度依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 黒木 颯太, 辻 心智, 菊池 立貢, 池田 和久, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月9日 ~ 9月9日 |
| 第一原理計算によるNbAlN混晶の構造安定性および電子構造の理論解析 |
| [ 共同発表者名 ] 河村 貴宏, 秋山 亨, 菊池 立貢, 黒木 颯太, 小林 篤, 草場 彰, 寒川 義裕 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月9日 ~ 9月9日 |
| AlN上にエピタキシャル成長させた六方晶Nb(Al, Sc)Nx超伝導薄膜 |
| [ 共同発表者名 ] 加藤 雄貴, 増沢 向凌, 原田 尚之, 三宅 秀人, 池田 和久, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月8日 ~ 9月8日 |
| スパッタ法によるGaN上六方晶ε型NbN薄膜の作製 |
| [ 共同発表者名 ] 児玉 竹琉, 加藤 雄貴, 増沢 向凌, 原田 尚之, 池田 和久, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第87回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年9月8日 ~ 9月8日 |
| Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-Polar GaN on Ga-Polar GaN |
| [ 共同発表者名 ] Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] The 22nd International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXII) |
| [ 発表日付 ] 2026年7月15日 ~ 7月15日 |
| X-ray Spectroscopic Characterization of Surface Oxidation Properties of NbAlN Thin Films Epitaxially Grown on GaN |
| [ 共同発表者名 ] H. Sasaki, T. Takeda, A. Munakata, M. Kobayashi, A. Fujimori, T. Okuda, S. Kurogi, A. Kobayashi, M. Sugiyama, T. Maeda |
| [ 学会・会議名 ] The 68th Electronic Materials Conference (EMC 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年6月26日 ~ 6月26日 |
| Structural characterization of BAlN films grown on sapphire by sputtering |
| [ 共同発表者名 ] Yuto Shibuya, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] 日本表面真空学会 2026年度関東支部講演大会 |
| [ 発表日付 ] 2026年6月26日 ~ 6月26日 |
| Phase-dependent nucleation behavior of NbNx films grown on AlN by sputtering |
| [ 共同発表者名 ] Yuki Kato, Koryo Masuzawa, Takayuki Harada, Hideto Miyake, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] 日本表面真空学会 2026年度関東支部講演大会 |
| [ 発表日付 ] 2026年6月26日 ~ 6月26日 |
| Temperature dependence of leakage current in ScAlN thin films grown on GaN/sapphire substrates by a sputtering method |
| [ 共同発表者名 ] K. Joya, S. Sawaki, A. Kobayashi, T. Maeda |
| [ 学会・会議名 ] The 68th Electronic Materials Conference (EMC 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年6月25日 ~ 6月25日 |
| X-ray Spectroscopic Characterization of Surface Oxidation of ScAlN Thin Films Grown on GaN |
| [ 共同発表者名 ] Hikaru Sasaki, Akihira Munakata, Takahito Takeda, Masaki Kobayashi, Atsushi Fujimori, Ryota Yamamoto, Sawaki Sato, Atsushi Kobayashi, Masakazu Sugiyama, Ryosho Nakane, Takuya Maeda |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2026 (CSW 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年5月28日 ~ 5月28日 |
| Electrical Characterization of ScAlN Thin Films Epitaxially Grown on n-GaN/sapphire Substrates by Sputtering |
| [ 共同発表者名 ] Kosuke Joya, Sawaki Sato, Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2026 (CSW 2026) |
| [ 発表日付 ] 2026年5月28日 ~ 5月28日 |
| OBF STEM法によるSc0.25Al0.75N/GaNヘテロ接合界面の原子分解能観察 |
| [ 共同発表者名 ] 橋本 晋亮, 関 岳人, 遠山 慧子, 小林 篤, 前田 拓也, 幾原 雄一, 柴田 直哉 |
| [ 学会・会議名 ] 日本顕微鏡学会 第82回学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月26日 ~ 5月26日 |
| GaN-HEMT 構造上にエピタキシャル成長させたScAlGaN薄膜の特性 |
| [ 共同発表者名 ] 倉上 友希, 奥田 朋也, 河原 孝彦, 牧山 剛三, 中田 健, 池田 和久, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月22日 ~ 5月22日 |
| GaN上NbNの結晶構造制御 |
| [ 共同発表者名 ] 児玉 竹琉, 加藤 雄貴, 原田 尚之, 池田 和久, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月22日 ~ 5月22日 |
| 窒化物半導体の極性反転と新機能窒化物材料のエピタキシャル成長 |
| [ 共同発表者名 ] 池田 和久, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月22日 ~ 5月22日 |
| X線分光測定によるスパッタ法及びMBE成長ScAlN/GaNの表面酸化状態評価 |
| [ 共同発表者名 ] 佐々木 洸, 棟方 晟啓, 武田 崇仁, 小林 正起, 藤森 淳, 山本 涼太, 佐藤 早和紀, 小林 篤, 杉山 正和, 中根 了昌, 前田 拓也 |
| [ 学会・会議名 ] 第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月21日 ~ 5月21日 |
| AlN挿入層がScAlN/GaNヘテロ構造の強誘電性に及ぼす影響 |
| [ 共同発表者名 ] 佐藤 早和紀, 池田 和久, 前田 拓也, 舟窪 浩, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月21日 ~ 5月21日 |
| NbAlN混晶の構造安定性および電子構造の組成依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 河村 貴宏, 秋山 亨, 菊池 立貢, 黒木 颯太, 小林 篤, 草場 彰, 寒川 義裕 |
| [ 学会・会議名 ] 第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2026年5月21日 ~ 5月21日 |

