Top > Back > 学会発表 の検索結果 17 件中 1‐17 件目
| Epitaxial Growth of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors |
| [ 共同発表者名 ] Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Yoshio Honda |
| [ 学会・会議名 ] LEDIA 2024 |
| [ 発表日付 ] 2024年4月25日 |
| スパッタ法により作製した縮退GaN再成長コンタクトを有するAlN/AlGaN HEMT |
| [ 共同発表者名 ] 前田 亮太, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋 |
| [ 学会・会議名 ] 第71回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2024年3月23日 |
| 窒化物半導体・超伝導体・強誘電体のエピタキシャル融合 |
| [ 共同発表者名 ] 小林篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第4回半導体ナノフォトニクス研究会 |
| [ 発表日付 ] 2023年11月22日 ～ 11月22日 |
| Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches |
| [ 共同発表者名 ] Atsushi Kobayashi Yoshio Honda Takuya Maeda Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月16日 ～ 11月16日 |
| Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling |
| [ 共同発表者名 ] Yusuke Wakamoto Atsushi Kobayashi Yoshiaki Nakano Takuya Maeda |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月16日 ～ 11月16日 |
| Electronic States at the Interface of β-Nb2N/AlN Superlattices |
| [ 共同発表者名 ] Takahiro Kawamura Toru Akiyama Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月15日 ～ 11月15日 |
| Growth and characterization of highly Si doped AlxGa1-xN films prepared via pulsed sputtering deposition |
| [ 共同発表者名 ] Kohei Ueno Yuto Nishikawa Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月14日 ～ 11月14日 |
| Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and Crystal Phase Manipulation |
| [ 共同発表者名 ] Atsushi Kobayashi Shunya Kihira Takahito Takeda Masaki Kobayashi Takuya Maeda Takayuki Harada Toru Akiyama Takahiro Kawamura Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月14日 ～ 11月14日 |
| Selectively regrown heavily Si-doped degenerate GaN contact to AlN/AlGaN HEMTs prepared via pulsed sputtering |
| [ 共同発表者名 ] Ryota Maeda Takao Kozaka Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月14日 ～ 11月14日 |
| Characterization of Optical Properties and Bandgaps of ScxAl1-xN Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method |
| [ 共同発表者名 ] Takuya Maeda Yusuke Wakamoto Shota Kaneki Hajime Fujikura Atsushi Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) |
| [ 発表日付 ] 2023年11月13日 ～ 11月13日 |
| ScAlN/GaNとAlGaN/GaNに対する数値計算・解析式による2DEGモデリング |
| [ 共同発表者名 ] Y. Wakamoto, A. Kobayashi, Y. Nakano, T. Maeda |
| [ 学会・会議名 ] 第42回電子材料シンポジウム(EMS-42) |
| [ 発表日付 ] 2023年10月13日 |
| GaN基板上にスパッタ成長したScAlN薄膜の構造・光学物性の評価 |
| [ 共同発表者名 ] T. Maeda, Y. Wakamoto, S. Kaneki, H. Fujikura, A. Kobayashi |
| [ 学会・会議名 ] 第42回電子材料シンポジウム(EMS-42) |
| [ 発表日付 ] 2023年10月12日 |
| ScAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの二次元電子ガス濃度の数値計算と解析モデルの提案 |
| [ 共同発表者名 ] 若本裕介, 小林篤, 中野義昭, 前田拓也 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月23日 |
| 分光エリプソメトリーによるScAlN/GaNの光学物性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 前田 拓也, 若本 裕介, 金木 奨太, 藤倉 序章, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月22日 |
| β-Nb2N/AlN超格子構造における界面の電子状態の解析 |
| [ 共同発表者名 ] 河村 貴宏, 秋山 亨, 小林 篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 |
| ScAlN/GaNヘテロ接合界面における二次元電子ガス濃度の数値計算 |
| [ 共同発表者名 ] 若本裕介,小林篤,中野義昭,前田拓也 |
| [ 学会・会議名 ] 第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年6月16日 |
| β-Nb2N/AlN超格子の電子構造解析 |
| [ 共同発表者名 ] 河村貴宏,秋山亨,小林篤 |
| [ 学会・会議名 ] 第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年6月15日 |
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