Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 74 件中 1‐30 件目
| Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer |
| [ 全著者名 ] R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 掲載年月 ] 2023年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics |
| [ 全著者名 ] R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 掲載年月 ] 2023年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots |
| [ 全著者名 ] E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 掲載年月 ] 2023年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Thickness dependence of polarization doped transparent p-contact layer on the efficiency of 230 nm far-UVC AlGaN LED |
| [ 全著者名 ] Kou Sumishi, Noritoshi Maeda, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro, Tasushi Iwaisako, Hideki Hirayama |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of The Tenth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2022) |
| [ 掲載年月 ] 2022年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Size Control and PL Characteristics for InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by MBE |
| [ 全著者名 ] Keisuke Koseki, Kyosuke Yamamoto, Emin Kuwabara, Shin-ichiro Gozu, Akira Endoh, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Extended abstracts of 41st Electronic Materials Symposium |
| [ 掲載年月 ] 2022年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| High Sensitivity Schottky Barrier Ge Photodetectors with Transparent Conductive Oxide Electrodes |
| [ 全著者名 ] Hiroto Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations |
| [ 全著者名 ] A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Schottky Barrier Contact on In0.53Ga0.47As with Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide |
| [ 全著者名 ] Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Device PerformEffect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer |
| [ 全著者名 ] K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022) (The 48th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2022) and The 33nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2022)) |
| [ 掲載年月 ] 2022年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures |
| [ 全著者名 ] Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021) (The 47th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2021) and The 32nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2021)) |
| [ 掲載年月 ] 2021年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| SWIR InGaAs PhotoFETs on Half-inch Si Wafer Using Layer Transfer Technology |
| [ 全著者名 ] T. Maeda, H. Ishii, W.-H. Chang, T. Shimizu, H. Ishii, K. Ohishi, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) |
| [ 掲載年月 ] 2019年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| GaInSb n-Channel HEMTs with High AlInSb Barrier |
| [ 全著者名 ] K. Osawa, T. Iwaki, Y. Endoh, M. Hiraoka, N. Kishimoto, T. Hayashi, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, T. Gotow, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2019) |
| [ 掲載年月 ] 2019年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer |
| [ 全著者名 ] M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N. Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2019) and The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2019)) |
| [ 掲載年月 ] 2019年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Effect of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMTs |
| [ 全著者名 ] N. Kishimoto, Y. Endoh, T. Hayashi, M. Hiraoka, R. Machida, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2019) and The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2019)) |
| [ 掲載年月 ] 2019年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Electron Transport Properties of Novel Ga1-xInxSb Quantum Well Structures with Strained Al0.4In0.6Sb/Al0.3In0.7Sb Stepped Buffer |
| [ 全著者名 ] K. Osawa, M. Hiraoka, T. Kishi, Y. Endoh, J. Takeuchi, R. Machida and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018)) |
| [ 掲載年月 ] 2018年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Comprehensive Study on GaxIn1-xSb High Electron Mobility Transistors Considering Interface Roughness Scattering |
| [ 全著者名 ] T. Suzuki, Y. Fujisawa, S. Kawamura, K. Kumasaka, R. Machida, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018)) |
| [ 掲載年月 ] 2018年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure |
| [ 全著者名 ] N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Abstracts of 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017) |
| [ 掲載年月 ] 2017年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Monte Carlo Study on Electron Transport Properties of GaxIn1-xSb HEMT Structures Considering Roughness Scattering |
| [ 全著者名 ] Y. Fujisawa, T. Takahashi, S. Kawamura, S. Fujikawa, and H.I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017)) |
| [ 掲載年月 ] 2017年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Fabrication of GaSb/AlGaSb Multi Quantum Wells Structure Grown on Si(100) Substrate Using Heteroepitaxial GaSb Thin-film and Dots Nucleation Layers |
| [ 全著者名 ] R. Machida, K. Akahane, I. Watanabe, S. Hara, S. Fujikawa, A. Kasamatsu, and H.I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017)) |
| [ 掲載年月 ] 2017年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017)) |
| [ 掲載年月 ] 2017年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications |
| [ 全著者名 ] I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Hosako,H. Hamada, T. Kosugi, M. Yaita, A. E. Moutaouakil, H. Matsuzaki, O. Kagami,T. Takahashi, Y. Kawano, Y. Nakasha, N. Hara,D. Tsuji, K. Isono, S. Fujikawa, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium |
| [ 掲載年月 ] 2016年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016) |
| [ 掲載年月 ] 2016年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, J. Takeuchi, Y. Harada, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016) |
| [ 掲載年月 ] 2016年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Poly-InSb nMOSFETs for monolithic 3DIC |
| [ 全著者名 ] Masahiro Takahashi, Toshifumi Irisawa, Wen-Hsin Chang, Junji Tominaga, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, and Tatsuro Maeda |
| [ 掲載誌名 ] Proc. Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016) |
| [ 掲載年月 ] 2016年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Electron transport properties of novel InSb/GaInSb composite channel high electron mobility transistor structures |
| [ 全著者名 ] J. Takeuchi, S. Fujikawa, Y. Harada and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 35rd Electronic Materials Symposium (EMS35) |
| [ 掲載年月 ] 2016年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. 35rd Electronic Materials Symposium (EMS35) |
| [ 掲載年月 ] 2016年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs |
| [ 全著者名 ] Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film |
| [ 全著者名 ] K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, S. Fujikawa, I. Watanabe Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, H. Suzuki, H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of 31st NORTH AMERICAN MOLECULAR BEAM EPITAXY CONFRENCE |
| [ 掲載年月 ] 2015年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
| Electron transport properties of InGaSb quantum well structure |
| [ 全著者名 ] Y. Harada, K. Isono, T. Taketsuru, H. Suzuki, S. Katou, D. Tsuji, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. of 34rd Electronic Materials Symposium (EMS34) |
| [ 掲載年月 ] 2015年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付プロシーディングス（外国語） |
