Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 113 件中 1‐30 件目
| Hole Conduction Mechanism in In–Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition |
| [ 全著者名 ] Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
| [ 掲載年月 ] 2024年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts |
| [ 全著者名 ] Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (a) |
| [ 掲載年月 ] 2024年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2023年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Preparation of degenerate n-type AlxGa1−xN (0 < x ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition |
| [ 全著者名 ] Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2023年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Positive impurity size effect in degenerate Sn-doped GaN prepared by pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Yuto Nishikawa Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2023年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Shunya Kihira Toru Akiyama Takahiro Kawamura Takuya Maeda Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] ACS Applied Electronic Materials |
| [ 掲載年月 ] 2023年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Electrical properties of N-polar Si-doped GaN prepared by pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno Yusuke Masuda Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2023年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Schottky barrier height engineering in vertical p-type GaN Schottky barrier diodes for high-temperature operation up to 800 K |
| [ 全著者名 ] Kohei Aoyama Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2022年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Epitaxial growth of superconducting NbN on wide-bandgap AlN |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] JSAP Review |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Crystal‐Phase Controlled Epitaxial Growth of NbNx Superconductors on Wide‐Bandgap AlN Semiconductors |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Shunya Kihira Takahito Takeda Masaki Kobayashi Takayuki Harada Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Advanced Materials Interfaces |
| [ 掲載年月 ] 2022年 9月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN |
| [ 全著者名 ] Shunya Kihira Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Crystal Growth & Design |
| [ 掲載年月 ] 2022年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| AlN/Al0.5Ga0.5N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Ryota Maeda Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2022年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Ultrathin rock-salt type NbN films grown on atomically flat AlN/sapphire substrates |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Crystal Growth |
| [ 掲載年月 ] 2021年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High Electron Mobility AlN on Sapphire (0001) with a Low Dislocation Density Prepared via Sputtering and High‐Temperature Annealing |
| [ 全著者名 ] Yuya Sakurai Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Kenjiro Uesugi Hideto Miyake Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (a) |
| [ 掲載年月 ] 2021年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Pulsed sputtering growth of heavily Si-doped GaN (20 2? 1) for tunneling junction contacts on semipolar InGaN (20 2? 1) LEDs |
| [ 全著者名 ] Soichiro Morikawa Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2021年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes |
| [ 全著者名 ] Taiga Fudetani Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2021年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno Keita Shibahara Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2021年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Growth of InN ultrathin films on AlN for the application to field-effect transistors |
| [ 全著者名 ] Dayeon Jeong Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] AIP Advances |
| [ 掲載年月 ] 2020年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2020年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN |
| [ 全著者名 ] Bei Ma Mingchuan Tang Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Ken Morita Hiroshi Fujioka Yoshihiro Ishitani |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2020年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Express |
| [ 掲載年月 ] 2020年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| AlN/InAlN thin-film transistors fabricated on glass substrates at room temperature |
| [ 全著者名 ] Kyohei Nakamura Atsushi Kobayashi Kohei Ueno Jitsuo Ohta Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Scientific Reports |
| [ 掲載年月 ] 2019年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Optical characteristics of highly conductive n-type GaN prepared by pulsed sputtering deposition |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno Fudetani Taiga Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Scientific Reports |
| [ 掲載年月 ] 2019年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers |
| [ 全著者名 ] Masumi Sakamoto Atsushi Kobayashi Yoshino K. Fukai Kohei Ueno Yuki Tokumoto Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 2019年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Characteristics of unintentionally doped and lightly Si-doped GaN prepared via pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] AIP Advances |
| [ 掲載年月 ] 2019年 7月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Operations of hydrogenated diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistors after annealing at 500 °C |
| [ 全著者名 ] J. W. Liu H. Oosato B. Da T. Teraji A. Kobayashi H. Fujioka Y. Koide |
| [ 掲載誌名 ] Journal of Physics D: Applied Physics |
| [ 掲載年月 ] 2019年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Wide range doping controllability of p-type GaN films prepared via pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Taiga Fudetani Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] Applied Physics Letters |
| [ 掲載年月 ] 2019年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Growth of Si-doped AlN on sapphire (0001) via pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Yuya Sakurai Kohei Ueno Atsushi Kobayashi Jitsuo Ohta Hideto Miyake Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] APL Materials |
| [ 掲載年月 ] 2018年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Epitaxial Growth of Thick Polar and Semipolar InN Films on Yttria-Stabilized Zirconia Using Pulsed Sputtering Deposition |
| [ 全著者名 ] Atsushi Kobayashi Masaaki Oseki Jitsuo Ohta Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] physica status solidi (b) |
| [ 掲載年月 ] 2018年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Electron transport properties of degenerate n-type GaN prepared by pulsed sputtering |
| [ 全著者名 ] Kohei Ueno Taiga Fudetani Yasuaki Arakawa Atsushi Kobayashi Jitsuo Ohta Hiroshi Fujioka |
| [ 掲載誌名 ] APL Materials |
| [ 掲載年月 ] 2017年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
