Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 160 件中 1‐30 件目
| High-Responsivity Ge Schottky Photodetectors With Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes |
| [ 全著者名 ] Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda |
| [ 掲載誌名 ] IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| [ 掲載年月 ] 2023年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1−xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer |
| [ 全著者名 ] Akira Endoh, Koharu Hatori, Naoyuki Kishimoto, Mizuho Hiraoka, Yuta Kemmochi, Yuki Endoh, Koki Osawa, Takuya Hayashi, Ryuto Machida, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Shinsuke Hara, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
| [ 掲載年月 ] 2023年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Schottky barrier contact on In0.53Ga0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxide |
| [ 全著者名 ] Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida |
| [ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS |
| [ 掲載年月 ] 2022年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda,Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A |
| [ 掲載年月 ] 2022年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| High and broadband sensitivity front-side illuminated InGaAs photo field-effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate |
| [ 全著者名 ] Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro and Takashi Koida |
| [ 掲載誌名 ] APPLIED PHYSICS LETTERS |
| [ 掲載年月 ] 2021年 11月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| 転写技術を用いたSi基板上の表面照射型InGaAs PhotoFETsによる赤外線検出 |
| [ 全著者名 ] 大石和明, 石井裕之, 張 文馨, 清水鉄司, 石井寛仁, 藤代博記, 遠藤 聡, 前田辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 表面と真空 |
| [ 掲載年月 ] 2021年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（日本語） |
| Spectral Responsivity Characteristics of Front-Side Illumination InGaAs PhotoFETs on Si |
| [ 全著者名 ] Kazuaki Oishi, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroto Ishii, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro, and Tatsuro Maeda |
| [ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
| [ 掲載年月 ] 2021年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer |
| [ 全著者名 ] M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N. Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, T. Gotow, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] PHYS STATUS SOLIDI A |
| [ 掲載年月 ] 2020年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| InGaAs photo field-effect-transistors (PhotoFETs) on half-inch Si wafer using layer transfer technology |
| [ 全著者名 ] Tatsuro Maeda , Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Hiroto Ishii, Kazuaki Ohishi, Akira Endoh, and Hiroki Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2020年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Evaluation of GaN/AlGaN THz quantum-cascade laser epi-layers grown on AlGaN/Si templates by MOCVD |
| [ 全著者名 ] Sachie Fujikawa, Toshiya Ishiguro, Ke Wang, Wataru Terashima, Hiroki Fujishiro, Hideki Hirayama |
| [ 掲載誌名 ] J CRYST GROWTH |
| [ 掲載年月 ] 2019年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Advantage of heteroepitaxial GaSb thin-film buffer and GaSb dot nucleation layer for GaSb/AlGaSb multiple quantum well structure grown on Si(1 0 0) substrate by molecular beam epitaxy |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Kouichi Akahane, Issei Watanabe, Shinsuke Hara, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] J CRYST GROWTH |
| [ 掲載年月 ] 2019年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Surface cleaning and pure nitridation of GaSb by in-situ plasma processing |
| [ 全著者名 ] Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Wen Hsin Chang, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda |
| [ 掲載誌名 ] AIP ADV |
| [ 掲載年月 ] 2017年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Comparative study on noise characteristics of As and Sb-based high electron mobility transistors |
| [ 全著者名 ] T.Takahashi, S.Hatsushiba, S.Fujikawa, H.I.Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
| [ 掲載年月 ] 2017年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin-Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Proc. International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS) 2016 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effect of low-temperature-grown GaSb layer on formation of high-density and small GaSb islands on Si(100) substrate |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2016年 4月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effect of low-temperature-grown GaSb layer on formation of high-density and small GaSb islands on Si(100) substrate |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effects of Ga-induced Reconstructed Surfaces and Atomic Steps on the Morphology of GaSb Islands on Si(100) |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida,Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe ,and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] APPL SURF SCI |
| [ 掲載年月 ] 2015年 10月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effects of Ga-induced reconstructed surfaces and atomic steps on themorphology of GaSb islands on Si(1 0 0) |
| [ 全著者名 ] Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe,Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] APPLIED SURFACE SCIENCE |
| [ 掲載年月 ] 2015年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Improved electron transport properties of InSb quantum well structure using stepped buffer layer for strain reduction |
| [ 全著者名 ] S. Fujikawa, T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, H.I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] J CRYST GROWTH |
| [ 掲載年月 ] 2015年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures |
| [ 全著者名 ] Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2015年 1月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Comparative Study on Nano-Scale III-V Double-Gate MOSFETs with Various Channel Materials |
| [ 全著者名 ] Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C |
| [ 掲載年月 ] 2013年 12月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Monte Carlo Simulation |
| [ 全著者名 ] K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2013年 6月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111) |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu |
| [ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C |
| [ 掲載年月 ] 2013年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Si(100)表面上前駆Gaクラスター構造の研究 |
| [ 全著者名 ] 原 紳介, 色川 勝己, 藤代 博記, 渡辺 一之, 三木 裕文, 河津 璋 |
| [ 掲載誌名 ] 表面科学 |
| [ 掲載年月 ] 2012年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（日本語） |
| Study of GaSb Layers Grown on Ga/Si(111)-√3×√3 by Scanning Tunneling Microscopy |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Kazuki Yagishita, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2012年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation |
| [ 全著者名 ] Takahiro Homma, Kei Hasegawa, Hisanao Watanabe, Shinsuke Hara and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C |
| [ 掲載年月 ] 2012年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Kazuhiro Fuse, Ryuto Machida, Kazuki Yagishita, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2011年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Selective Growth of InSb on Localized Area of Si(100) by Molecular Beam Epitaxy |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Tomoaki Iida, Yuichi Nishino, Akinori Uchida, Hiroyuki Horii, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| [ 掲載年月 ] 2011年 5月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs |
| [ 全著者名 ] H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Hara and H. I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] Physica Status Solidi C |
| [ 掲載年月 ] 2011年 2月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
| Study of Ga Adsorption Structure on Ni/Si(100) Surface by Scanning Tunneling Microscopy |
| [ 全著者名 ] Shinsuke Hara, Kazuhiro Fuse, Toru Suzuki, Kazuki Yagishita, Yoshiki Hirata, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 掲載誌名 ] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| [ 掲載年月 ] 2010年 8月 |
| [ 著作区分 ] レフェリー付学術論文（外国語） |
