Top > Back > 学会発表 の検索結果 330 件中 1‐30 件目
| アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性 |
| [ 共同発表者名 ] 町田 龍人、岸本 尚之、礒前 雄人、林 拓也、國澤 宗真、遠藤 聡、藤代 博記、山下 良美、原 紳介、笠松 章史、渡邊 一世 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| 有効質量近似を用いた数値計算による 積層 InSb 量子ドットの発光エネルギー |
| [ 共同発表者名 ] 小野田 悠人、亀岡 俊貴、桑原 笑明、三田 泰継、藤代 博記、遠藤 聡 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価 |
| [ 共同発表者名 ] 三田 泰継、小関 敬祐、桑原 笑明、小野田 悠人、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| 221.5 nm far-UVC AlGaN LED における EQE0.008 %動作の実現 |
| [ 共同発表者名 ] 中村 勇稀、住司 光、藤川 紗千恵、矢口 裕之、遠藤 聡、藤代 博記、祝迫 恭、平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの広帯域光応答検出 |
| [ 共同発表者名 ] 石井 寛仁、張 文馨、石井 裕之、鯉田 崇、藤代 博記、前田 辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第84回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年9月19日 ～ 9月23日 |
| Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer |
| [ 共同発表者名 ] R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 発表日付 ] 2023年5月29日 ～ 6月2日 |
| Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots |
| [ 共同発表者名 ] E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 発表日付 ] 2023年5月29日 ～ 6月2日 |
| Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics |
| [ 共同発表者名 ] R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) |
| [ 発表日付 ] 2023年5月29日 ～ 6月2日 |
| In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁，大石和明，鯉田崇，清水鉄司，石井裕之，張文馨，遠藤聡，藤代博記，前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年3月17日 ～ 3月17日 |
| InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性 |
| [ 共同発表者名 ] 神内 智揮，羽鳥 小春，海老原 怜央，尾曽 雅宗，河野 亮介，遠藤 聡，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年3月15日 ～ 3月18日 |
| ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性 |
| [ 共同発表者名 ] 尾曽 雅宗、羽鳥 小春、海老原 怜央、神内 智揮、河野 亮介、遠藤 聡、藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第70回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2023年3月15日 ～ 3月18日 |
| Thickness dependence of polarization doped transparent p-contact layer on the efficiency of 230 nm far-UVC AlGaN LED |
| [ 共同発表者名 ] Kou Sumishi, Noritoshi Maeda, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro, Tasushi Iwaisako, Hideki Hirayama |
| [ 学会・会議名 ] The Tenth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2022) |
| [ 発表日付 ] 2022年11月13日 ～ 11月18日 |
| Size Control and PL Characteristics for InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by MBE |
| [ 共同発表者名 ] Keisuke Koseki, Kyosuke Yamamoto, Emin Kuwabara, Shin-ichiro Gozu, Akira Endoh, and Hiroki I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 第41回電子材料シンポジウム(The 41st Electronic Materials Symposium, EMS2022) |
| [ 発表日付 ] 2022年10月19日 ～ 10月21日 |
| GaSb基板上InSb量子ドットのサイズ制御とPL特性 |
| [ 共同発表者名 ] 桑原 笑明，山本 恭輔，小関 敬祐，牛頭 信一郎，遠藤 聡，藤代 博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年9月20日 ～ 9月23日 |
| 230 nm far-UVC AlGaN LEDにおける分極ドープ透明p型コンタクト層の膜厚依存性 |
| [ 共同発表者名 ] 住司 光, 前田 哲利, 遠藤 聡, 藤代 博記, 祝迫 恭, 平山 秀樹 |
| [ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年9月20日 ～ 9月23日 |
| 近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの光応答特性 |
| [ 共同発表者名 ] 石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年9月20日 ～ 9月23日 |
| Schottky Barrier Contact on In0.53Ga0.47As with Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide |
| [ 共同発表者名 ] Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida |
| [ 学会・会議名 ] 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) |
| [ 発表日付 ] 2022年9月5日 ～ 9月8日 |
| High Sensitivity Schottky Barrier Ge Photodetectors with Transparent Conductive Oxide Electrodes |
| [ 共同発表者名 ] Hiroto Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda |
| [ 学会・会議名 ] 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) |
| [ 発表日付 ] 2022年9月5日 ～ 9月8日 |
| Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations |
| [ 共同発表者名 ] A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) |
| [ 発表日付 ] 2022年8月29日 ～ 9月1日 |
| Device PerformEffect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer |
| [ 共同発表者名 ] K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022) (The 48th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2022) and The 33nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2022)) |
| [ 発表日付 ] 2022年6月1日 ～ 6月3日 |
| GaInSb HEMT構造の電気的特性への熱処理の影響 |
| [ 共同発表者名 ] 吉田陸人、國澤宗真、羽鳥小春、海老原怜央、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原 紳介、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第69回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年3月22日 ～ 3月26日 |
| Ｘ線回折極点図測定を用いたGaInSb HEMT構造中の双晶評価 |
| [ 共同発表者名 ] 海老原怜央、國澤宗真、羽鳥小春、吉田陸人、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原 紳介、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第69回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年3月22日 ～ 3月26日 |
| In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜ゲートを用いた表面照射型InGaAs PhotoFETsの特性評価 |
| [ 共同発表者名 ] 大石和明、鯉田 崇、清水鉄司、石井裕之、張 文馨、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第69回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2022年3月22日 ～ 3月26日 |
| In2O3系近赤外域透明導電膜ゲートを用いたInGaAs PhotoFETsの動作実証 |
| [ 共同発表者名 ] 大石和明、鯉田 崇、清水鉄司、石井裕之、張 文馨、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－第27回研究会 |
| [ 発表日付 ] 2022年1月28日 ～ 1月29日 |
| エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 |
| [ 共同発表者名 ] 礒前雄人、岸本尚之、林 拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原 紳介、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 電子情報通信学会電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」 |
| [ 発表日付 ] 2021年12月20日 ～ 12月21日 |
| GaSb基板上InSb/GaSbドットの密度・サイズに対するV/III比の効果 |
| [ 共同発表者名 ] 山本恭輔、土屋隆史、牛頭信一郎、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第82回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年9月21日 ～ 9月23日 |
| 近赤外域透明導電性酸化膜ゲートによる表面照射型InGaAs PhotoFETs |
| [ 共同発表者名 ] 大石和明、鯉田 崇、清水鉄司、石井裕之、張 文馨、石井寛仁、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎 |
| [ 学会・会議名 ] 第82回応用物理学会秋季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年9月10日 ～ 9月13日 |
| Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures |
| [ 共同発表者名 ] Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro |
| [ 学会・会議名 ] Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021) (The 47th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2021) and The 32nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2021)) |
| [ 発表日付 ] 2021年5月9日 ～ 5月13日 |
| 歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価 |
| [ 共同発表者名 ] 國澤宗真、林 拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、渡邊一世、山下良美、原 紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第68回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年3月16日 ～ 3月19日 |
| エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 |
| [ 共同発表者名 ] 岸本尚之、礒前雄人、林 拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原 紳介、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記 |
| [ 学会・会議名 ] 第68回応用物理学会春季学術講演会 |
| [ 発表日付 ] 2021年3月16日 ～ 3月19日 |
