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フジシロ ヒロキ
藤代 博記 教授
東京理科大学 先進工学部 電子システム工学科
藤代 博記 教授
東京理科大学 先進工学部 電子システム工学科
| グループ |
IT、ナノテク・材料、環境 |
| 研究・技術キーワード | ナノ電子デバイス、超高速デバイス、超高周波デバイス、光デバイス、LED、光センサ、デバイスシミュレーション、回路シミュレーション、半導体材料、エピ成長 |
| 研究・技術テーマ |
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| 研究・技術内容 | (1)高い電子移動度を持つSb系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30～300GHz)・サブミリ～テラヘルツ波帯(300GHz～3THz)で動作可能な高周波・低消費電力デバイスとして期待されています。InSb系材料を用いたHEMTのモンテカルロシミュレーションによる設計・解析、分子線エピタキシー(MBE)装置を用いたHEMTエピ構造の作製・評価、デバイス作製・評価により、次世代ミリ波・テラヘルツ波帯低消費電力デバイスの実現を目指しています。 (2)Si基板上GaSb量子ドットは新たな光デバイス(レーザ・LED)としての応用が期待されています。走査型トンネル顕微鏡(STM)を用い、表面科学的観点からの高密度かつ均一なGaSb量子ドットの作製制御技術の確立と、GaSb量子ドットLEDの実現を目指しています。 (3)低エネルギーバンドギャップを持つSb系化合物半導体を用いた 発光ダイオードや光センサーは、中赤外から遠赤外線領域で動作可能な高機能光デバイスとして期待されています。MBE装置による結晶成長等により、InSb系材料を用いた中赤外－遠赤外線領域の光デバイス実現を目指しています。 |
| 産業への利用 | (1)光通信・ミリ波・テラヘルツ波帯超高速・超高周波デバイス・回路の設計、作製・評価 (2)中赤外－遠赤外線光デバイスの設計、作製・評価 (3)超高速・超高周波・低雑音・パワー用デバイス・回路シミュレーション技術の開発 (4)次世代超高速・超高周波デバイス用半導体材料の開発支援(設計・エピ成長)、供給 (5)中赤外－遠赤外線光デバイス用半導体材料の開発受託(設計・エピ成長)、供給 (6)各種材料の原子レベル解析 |
| 可能な産学連携形態 | 共同研究、受託研究員受入、受託研究、技術相談および指導、国際的な産学連携への対応 |
| 具体的な産学連携形態内容 | (1)超高速・超高周波デバイス・回路の開発支援、コンサルティング、教育 (2)中赤外－遠赤外線光デバイスの開発支援、コンサルティング、教育 (3)デバイス・回路シミュレーション技術の開発支援、コンサルティング、教育 (4)次世代超高速・超高周波デバイス用半導体材料の開発受託、供給 (5)中赤外－遠赤外線光デバイス用半導体材料の開発受託、供給 (6)STMによる原子レベル解析の受託 |
| その他所属研究機関 | |
| 所属研究室 | 藤代研究室 |
| 所有研究装置 | 分子線エピタキシー(MBE)装置2台、超高真空走査型トンネル顕微鏡(STM)2台、走査型電子顕微鏡(SEM/EDAX)、ホール測定装置、半導体評価装置、高速計算機システム、フォトルミネッセンス(PL)測定装置 |
| SDGs |
