藤代 博記
ABOUT TUS
フジシロ ヒロキ
藤代 博記教授
FUJISHIRO Hiroki
東京理科大学 先進工学部 電子システム工学科
藤代研究室
連絡先 | 〒125-8585 東京都葛飾区新宿6-3-1 TEL : 03-5876-1717 (代表) 内線:4208 FAX : 04-7122-9195 fujisiro@te.noda.tus.ac.jp |
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ホームページURL | https://fujishirolab.gitlab.io |
出身大学 |
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出身大学院 |
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取得学位 |
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研究経歴 |
1984-2001 化合物半導体ヘテロ構造デバイスの結晶成長,デバイスプロセス,デバイス物理,および回路設計に関する研究に従事 2001- モンテカルロ法を用いた物理デバイス・回路統合シミュレータの開発,MBE法を用いたヘテロ構造の作製と評価,ナノ構造の作製制御に関する研究に従事 |
研究職歴 |
1984-1995 沖電気工業(株)半導体技術研究所 研究員 1995-2001 沖電気工業(株)半導体技術研究所 主任研究員グループリーダ 2001-2008 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 准教授 2006-2007 マサチューセッツ工科大学 客員研究員 2008- 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 教授 2010- 独立行政法人情報通信研究機構 特別研究員 |
研究キーワード | 電子デバイス,電子・電気材料工学,薄膜・表面界面物性 |
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研究分野 |
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研究課題 |
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受賞 |
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学会活動 |
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客員教授 |
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アクセス
グループ | IT、ナノテク・材料、環境 |
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研究・技術キーワード | ナノ電子デバイス、超高速デバイス、超高周波デバイス、光デバイス、LED、光センサ、デバイスシミュレーション、回路シミュレーション、半導体材料、エピ成長 |
研究・技術テーマ |
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研究・技術内容 | (1)高い電子移動度を持つSb系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30~300GHz)・サブミリ~テラヘルツ波帯(300GHz~3THz)で動作可能な高周波・低消費電力デバイスとして期待されています。InSb系材料を用いたHEMTのモンテカルロシミュレーションによる設計・解析、分子線エピタキシー(MBE)装置を用いたHEMTエピ構造の作製・評価、デバイス作製・評価により、次世代ミリ波・テラヘルツ波帯低消費電力デバイスの実現を目指しています。 (2)Si基板上GaSb量子ドットは新たな光デバイス(レーザ・LED)としての応用が期待されています。走査型トンネル顕微鏡(STM)を用い、表面科学的観点からの高密度かつ均一なGaSb量子ドットの作製制御技術の確立と、GaSb量子ドットLEDの実現を目指しています。 (3)低エネルギーバンドギャップを持つSb系化合物半導体を用いた 発光ダイオードや光センサーは、中赤外から遠赤外線領域で動作可能な高機能光デバイスとして期待されています。MBE装置による結晶成長等により、InSb系材料を用いた中赤外-遠赤外線領域の光デバイス実現を目指しています。 |
産業への利用 | (1)光通信・ミリ波・テラヘルツ波帯超高速・超高周波デバイス・回路の設計、作製・評価 (2)中赤外-遠赤外線光デバイスの設計、作製・評価 (3)超高速・超高周波・低雑音・パワー用デバイス・回路シミュレーション技術の開発 (4)次世代超高速・超高周波デバイス用半導体材料の開発支援(設計・エピ成長)、供給 (5)中赤外-遠赤外線光デバイス用半導体材料の開発受託(設計・エピ成長)、供給 (6)各種材料の原子レベル解析 |
可能な産学連携形態 | 共同研究、受託研究員受入、受託研究、技術相談および指導、国際的な産学連携への対応 |
具体的な産学連携形態内容 | (1)超高速・超高周波デバイス・回路の開発支援、コンサルティング、教育 (2)中赤外-遠赤外線光デバイスの開発支援、コンサルティング、教育 (3)デバイス・回路シミュレーション技術の開発支援、コンサルティング、教育 (4)次世代超高速・超高周波デバイス用半導体材料の開発受託、供給 (5)中赤外-遠赤外線光デバイス用半導体材料の開発受託、供給 (6)STMによる原子レベル解析の受託 |
その他所属研究機関 | |
所属研究室 | 藤代研究室 |
所有研究装置 | 分子線エピタキシー(MBE)装置2台、超高真空走査型トンネル顕微鏡(STM)2台、走査型電子顕微鏡(SEM/EDAX)、ホール測定装置、半導体評価装置、高速計算機システム、フォトルミネッセンス(PL)測定装置 |
SDGs |
アクセス
専攻分野 | 電子デバイス |
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研究分野 | ナノ電子デバイス、シミュレーション 情報通信の高速・広帯域化を支える半導体電子デバイスと回路・光デバイスを研究しています。デバイスの高速化には輸送特性に優れた材料の開発と、高い機能を得るための構造設計、それを実現するためのプロセス技術の開発が必要です。またデバイスのサイズを数十ナノメートル(1ナノメートル=1×10-9m)以下にすると、これまでの動作原理とは異なる新しいデバイス(量子効果デバイス)の実現も期待されます。 |
研究テーマ |
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アクセス
授業名 | 開講学期 | 曜日時限 | 区分 | 開講学科 |
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電子回路2 | 後期 | 木曜4限 | 先進工学部 電子システム工学科 | |
電子デバイス2 | 後期 | 火曜3限 | 先進工学部 電子システム工学科 | |
電磁気工学基礎及び演習(旧カリ) | 前期 | 木曜1限 木曜2限 | 先進工学部 電子システム工学科 | |
電子システム工学実験2A | 前期 | 金曜3限 金曜4限 金曜5限 | 先進工学部 電子システム工学科 Faculty of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学実験2B | 後期 | 金曜3限 金曜4限 金曜5限 | 先進工学部 電子システム工学科 Faculty of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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卒業研究 | 前期~後期 | 前期(集中講義) 後期(集中講義) |
先進工学部 電子システム工学科 | |
論文輪講 | 前期 | 集中講義 | 先進工学部 電子システム工学科 | |
電磁気工学基礎 | 前期 | 木曜1限 | 先進工学部 電子システム工学科 | |
電磁気工学基礎演習 | 前期 | 木曜2限 | 先進工学部 電子システム工学科 | |
マイクロ波デバイス特論1 | 前期 | 月曜2限 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別演習1A | 前期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別演習1B | 後期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別演習2A | 前期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別演習2B | 後期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別実験1A | 前期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別実験1B | 後期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別実験2A | 前期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別実験2B | 後期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別輪講1 | 前期~後期 | 前期(集中講義) 後期(集中講義) |
先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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電子システム工学特別輪講2 | 前期~後期 | 前期(集中講義) 後期(集中講義) |
先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |
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博士特別研究2A | 前期 | 集中講義 | ||
博士特別研究2B | 後期 | 集中講義 | 先進工学研究科 電子システム工学専攻 Graduate School of Advanced Engineering Department of Applied Electronics |