2026.09.07

• プレスリリース
• 研究
• 
• 

遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功
～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～

東京理科大学 東京大学 三重大学 研究の要旨とポイント 遷移金属ニオブ（Nb）を含むNbAlNを、GaN上に単結晶エピタキシャル薄膜として作製することに初めて成功しました。 原子分解能の観察により、NbAlNがGaNと同じ金属極性を保ち、N…