2017.12.19 Tuesday

本学教員がInternational Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)にてSSDM Awardを受賞

本学教員がInternational Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)にてSSDM Awardを受賞しました。

受賞者 理工学部 電気電子情報工学科 教授 楳田 洋太郎
受賞題目 0.05-µm-Gate InAlAs/InGaAs HEMT and Reduction of Its Short-Channel Effects
受賞内容 本受賞は、高い耐圧と優れた高周波特性を両立した、InP基板上の格子整合InAlAs/InGaAs HEMTの製造プロセス研究に対するものである。受賞対象の論文は1993年に開催された25th International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)において発表されたものであるが、高い耐圧と優れた高周波特性により高速なディジタル回路の作製が可能となり、その後の40Gbit/s光通信の実用化につながったことが評価された。
受賞日 2017年9月20日

応用物理学会のページ:https://www.jsap.or.jp/
SSDMのページ:https://confit.atlas.jp/guide/event/ssdm2017/static/award

楳田研究室のページ
研究室のページ:http://www.rs.noda.tus.ac.jp/umedalab/
大学公式ページ:http://www.tus.ac.jp/fac_grad/p/index.php?4d13

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