Top > Back > 学術論文・プロシーディングス・著作 の検索結果 150 件中 61‐90 件目
| GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製 |
| [ 全著者名 ] 町田 龍人，赤羽 浩一，渡邊 一世，原 紳介，藤川 紗千恵，笠松 章史，藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2017年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価 |
| [ 全著者名 ] 石黒 稔也，藤川 紗千恵，王 科，前田 哲利，町田 龍人，藤代 博記，平山 秀樹 |
| [ 掲載誌名 ] 第78回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2017年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 東京理科大学 長万部キャンパスの地域連携 |
| [ 全著者名 ] 藤代博記、村上学 |
| [ 掲載誌名 ] IDE 現代の高等教育 |
| [ 掲載年月 ] 2017年 8月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| InSb/Ga0.35In0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価 |
| [ 全著者名 ] 岩木拓也, 原田義彬, 竹内 淳, 遠藤勇輝, 藤川紗千恵, 藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2017年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 3次元ICに向けた多結晶InSb nMOSFETの実現 |
| [ 全著者名 ] 高橋正紘, 入沢寿史, 張文馨, 富永淳二, 藤川紗千恵, 藤代博記, 前田辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT22) |
| [ 掲載年月 ] 2017年 1月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展論文特集の発行にあたって |
| [ 全著者名 ] 藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会和文論文誌C |
| [ 掲載年月 ] 2016年 5月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 3次元ICに向けた多結晶に向けた多結晶InSbInSb MOSMOS FETFETの電気特性評価 |
| [ 全著者名 ] 高橋正紘,藤川紗千恵,藤代博記,入沢寿史,富永淳二,前田辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 蒸着SiOx膜を用いたfT=300GHz超InSb-HEMTの作製 |
| [ 全著者名 ] 辻 大介，磯野恭佑，竹鶴達哉，藤川紗千恵，渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，笠松章史 |
| [ 掲載誌名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| In1-xGaxSb量子井戸構造の電気的特性評価 |
| [ 全著者名 ] 原田義彬,岡直希,藤川紗千恵,藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長 |
| [ 全著者名 ] 町田 龍人，戸田 隆介，藤川 紗千恵，原 紳介，渡邊 一世， 赤羽 浩一，笠松 章史，藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上 |
| [ 全著者名 ] 加藤三四郎，宮下愛理，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2016年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価 |
| [ 全著者名 ] 原 紳介、渡邊 一世、竹鶴 達哉、辻 大介、藤川 紗千恵、藤代 博記、赤羽 浩一、笠松 章史 |
| [ 掲載誌名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価 |
| [ 全著者名 ] 高橋 正紘、藤川 紗千恵、藤代 博記、入沢 寿史、富永 淳二、前田 辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性 |
| [ 全著者名 ] 鈴木 浩基、藤川 紗千恵、藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Al/Si(111)-\sqrt{3}×\sqrt{3}表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性 |
| [ 全著者名 ] 緒方 悟公、町田 龍人、石井 達也、藤川 紗千恵、原 紳介、色川 勝己、三木 裕文、河津 璋、藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| ナノスケールIII‐V HEMTの雑音解析 |
| [ 全著者名 ] 高橋 択斗、初芝 正太、藤川 紗千恵、藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 8月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 |
| [ 全著者名 ] 竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告（IEICE Technical Report) |
| [ 掲載年月 ] 2015年 7月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| ナローギャップ材料が拓く次世代電子・光デバイス |
| [ 全著者名 ] 藤代 博記 |
| [ 掲載誌名 ] 応用電子物性分科会会誌 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 6月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| GaSb表面の純窒化プロセスの検討 |
| [ 全著者名 ] 後藤 高寛、藤川 紗千恵、藤代 博記、小倉 睦郎、安田 哲二、前田 辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討 |
| [ 全著者名 ] 前田 章臣、辻 大介、竹鶴 達哉、藤川 紗千恵、藤代 博記、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史 |
| [ 掲載誌名 ] 第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2015年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価 |
| [ 全著者名 ] 竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価 |
| [ 全著者名 ] 後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 貫通転位がInSb HEMTの特性に与える影響の解析 |
| [ 全著者名 ] 初芝正太,長井彰平,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世,笠松章史,藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Ga/Si(100)表面再構成構造上 GaSb 3 次元島の成長形態解析 |
| [ 全著者名 ] 戸田隆介, 町田龍人, 緒方悟公, 藤川紗千恵, 原紳介, 藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 9月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析 |
| [ 全著者名 ] 初芝正太，長井彰平，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 8月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 |
| [ 全著者名 ] 矢島悠貴，大濱諒子，藤川紗千恵，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 電子情報通信学会技術研究報告 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 8月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価 |
| [ 全著者名 ] 藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討 |
| [ 全著者名 ] 後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎 |
| [ 掲載誌名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析 |
| [ 全著者名 ] 初芝正太，長井彰平，永井佑太郎，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
| 歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価 |
| [ 全著者名 ] 藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，古仲佑太朗，原紳介，渡邉一世，遠藤聡，山下良美，笠松章史，藤代博記 |
| [ 掲載誌名 ] 第61回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 |
| [ 掲載年月 ] 2014年 3月 |
| [ 著作区分 ] その他著作 |
