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異なる熱処理条件で形成したNEA-GaAs表面における量子効率の時間変化
[ 共同発表者名 ] 小林大地, 佐田雄飛, 石谷宇織, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第83回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2022年9月21日
2段階活性化によるNEA-GaAsにおける最大量子効率の上昇率とGa2O脱離量の関係
[ 共同発表者名 ] 小林大地, 城生大, 佐田雄飛, 吉武裕貴, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第69回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2022年3月25日
2段階熱処理によるNEA-GaAsの量子効率の上昇とGa2O3と残留Csの関係
[ 共同発表者名 ] 佐田雄飛, 城生大, 小林大地, 吉武裕貴, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第40回法政大学 イオンビーム工学研究所シンポジウム
[ 発表日付 ] 2021年12月8日
NEA活性化過程における量子効率とCs吸着状態のO2供給量依存性
[ 共同発表者名 ] 佐田雄飛, 城生大, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第68回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2021年3月16日
yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定
[ 共同発表者名 ] 城生大, 佐田雄飛, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第39回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
[ 発表日付 ] 2020年12月16日
昇温脱離法によるGaAsのNEA活性化過程におけるCs吸着状態の評価
[ 共同発表者名 ] 佐田雄飛, 城生大, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第67回応用物理学会春季学術講演会
[ 発表日付 ] 2020年3月14日
GaAs表面のNEA活性化中における量子効率に対する仕事関数の変化
[ 共同発表者名 ] 佐田雄飛, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第38回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
[ 発表日付 ] 2019年12月18日
Study on work function and corresponding electron emission during NEA activation of GaAs surfaces
[ 共同発表者名 ] Y. Sada, T. Meguro
[ 学会・会議名 ] 3rd International Conference on Applied Surface Science
[ 発表日付 ] 2019年6月18日
分光法を用いたNEA-GaAs表面の仕事関数の測定
[ 共同発表者名 ] 佐田雄飛, 飯島北斗, 目黒多加志
[ 学会・会議名 ] 第79回応用物理学会秋季学術講演会
[ 発表日付 ] 2018年9月19日
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