藤代 博記 フジシロ ヒロキ FUJISHIRO Hiroki 教授

基礎工学部 電子応用工学科

藤代研究室

教員プロフィール

連絡先 〒125-8585 東京都葛飾区新宿6-3-1
TEL : 03-5876-1717 (代表)  内線:4208
FAX : 04-7122-9195
電子メールアドレス
ホームページURL http://www.te.noda.tus.ac.jp/pub/labs/fujisiro/index-j.html
出身大学 1982年 東京理科大学 理工学部 物理学科 卒業
出身大学院 1984年 東京理科大学 理工学研究科 物理学 修士課程 修了
取得学位 東京理科大学 理学修士 課程
東京理科大学 博士(工学) 論文
研究経歴 1984-2001 化合物半導体ヘテロ構造デバイスの結晶成長,デバイスプロセス,デバイス物理,および回路設計に関する研究に従事
2001- モンテカルロ法を用いた物理デバイス・回路統合シミュレータの開発,MBE法を用いたヘテロ構造の作製と評価,ナノ構造の作製制御に関する研究に従事
研究職歴 1984-1995 沖電気工業(株)半導体技術研究所,研究員
1995-2001 沖電気工業(株)半導体技術研究所,主任研究員グループリーダ
2001-2008 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科,准教授
2006-2007 マサチューセッツ工科大学,客員研究員
2008- 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科,教授
2010- 独立行政法人情報通信研究機構,特別研究員
性別
生年月 1959年9月
研究キーワード 電子デバイス,電子・電気材料工学,薄膜・表面界面物性
研究分野 薄膜・表面界面物性 (ナノ構造の作製・評価)
電子・電気材料工学 (化合物半導体薄膜成長)
電子デバイス・電子機器 (化合物半導体電子デバイス)
研究課題 物理ベース回路シミュレータの開発に関する研究
化合物半導体量子ナノ構造及びナノ電子デバイスの作製評価に関する研究
化合物半導体表面の構造・電子状態の制御に関する研究
GaN系デバイスの解析およびシミュレーションに関する研究
半導体表面上の結晶成長の素過程に関する研究
受賞
2011年3月15日
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰 (電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ)
「エレクトロニクスソサイエティにおける企画運営等に関する献身的活動」
学会活動
2016年8月~2016年11月
電子情報通信学会
エレソ学生奨励賞選定委員会委員
2016年2月1日~2017年6月30日
電子情報通信学会
「エレクトロニクス分野におけるシミュレーション技術の進展」特集号編集委員会 編集委員
2015年5月1日~2018年4月30日
電子情報通信学会
和文論文誌C 常任編集委員
2015年5月1日~2016年4月30日
電子情報通信学会
『Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices』英文論文誌小特集編集委員会 編集委員
2015年4月~2017年5月
電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会
研究専門委員
学会活動を全件表示
客員教授
2006年9月1日~2007年8月31日
MTL, Massachusetts Institute of Technology

アクセス

  • オリジナルホームページ

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